一种提高LED芯片亮度的ITO溅射工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种提高LED芯片亮度的ITO溅射工艺，涉及芯片制备技术领域，包括：在图形化衬底上依次沉积N型GaN层、发光层MQW和P‑GaN层，以得到具有芯片外延的晶圆；在得到的晶圆上进行N电极平台工艺；在完成N电极平台工艺的晶圆上进行电流阻挡层工艺；在完成电流阻挡层工艺的晶圆上进行电流扩展层ITO镀膜工艺；在完成ITO镀膜工艺的晶圆上进行快速热退火工艺；在完成快速热退火工艺的晶圆上进行ITO光刻及蚀刻去胶工艺；在完成ITO光刻及蚀刻去胶工艺后的晶圆上进行金属电极层工艺；在完成金属电极层工艺的晶圆上进行保护钝化层工艺从而获得LED芯片。采用本发明专利技术的方法获得的LED芯片在能够维持芯片电压的情况下，实现芯片亮度的提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片制备，具体是一种提高led芯片亮度的ito(indium tinoxide，氧化铟锡)溅射工艺。

技术介绍

1、目前led芯片结构中主要包括电流阻挡层、电流扩展层、反射层、金属层和钝化保护层。其中电流扩展层一般采用铟锡氧化物ito靶材，成分比例in2o3：sno2＝90:10，使用磁控溅射技术进行ito镀膜(利用磁控溅射技术在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ito)导电薄膜镀层并经高温退火处理得到高技术产品)，ito镀膜包括cnt层与blk层，cnt层主要指用于数据通信的控制器(cnt)层，它通常包含传输协议控制和网络驱动程序控制两部分。在该层中，数据被封装成帧，通过设备驱动程序与传输协议进行交互，最终到达目的地。该层的设计有助于数据在复杂的网络环境中更加高效和可靠地传输。而blk层指的是块层(block layer)，块层在计算机i/o体系结构中起着重要的作用，主要负责数据的传输和管理，如硬盘驱动器和usb设备的i/o操作。该层涉及的任务包括对磁盘块的管理、分配、寻址以及提供访问接口等。

2、在进行ito溅射处理时，it本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提高LED芯片亮度的ITO溅射工艺，其特征在于，该提高LED芯片亮度的ITO溅射工艺包括：

2.根据权利要求1所述的提高LED芯片亮度的ITO溅射工艺，其特征在于，在得到晶圆上实施N电极平台工艺，包括：

3.根据权利要求2所述的提高LED芯片亮度的ITO溅射工艺，其特征在于，对晶圆进行刻蚀与去胶，包括：

4.根据权利要求1所述的提高LED芯片亮度的ITO溅射工艺，其特征在于，在完成N电极平台工艺的晶圆上施加电流阻挡层，包括：

5.根据权利要求1所述的提高LED芯片亮度的ITO溅射工艺，其特征在于，在完成快速热退火的晶圆上进行ITO光...

【技术特征摘要】

1.一种提高led芯片亮度的ito溅射工艺，其特征在于，该提高led芯片亮度的ito溅射工艺包括：

2.根据权利要求1所述的提高led芯片亮度的ito溅射工艺，其特征在于，在得到晶圆上实施n电极平台工艺，包括：

3.根据权利要求2所述的提高led芯片亮度的ito溅射工艺，其特征在于，对晶圆进行刻蚀与去胶，包括：

4.根据权利要求1所述的提高led芯片亮度的ito溅射工艺，其特征在于，在完成n电极平台工艺的晶圆上施加电流阻挡层，包括：

5.根据权利要求1所述的提高led芯片亮度的ito溅射工艺，其特征在于，在完成快速热退火的晶圆上进行ito光刻及蚀刻去胶工，包括：

6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：康志杰，贾钊，窦志珍，胡恒广，
申请(专利权)人：青岛旭芯互联科技研发有限公司，
类型：发明
国别省市：