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本发明公开了一种提高LED芯片亮度的ITO溅射工艺，涉及芯片制备技术领域，包括：在图形化衬底上依次沉积N型GaN层、发光层MQW和P‑GaN层，以得到具有芯片外延的晶圆；在得到的晶圆上进行N电极平台工艺；在完成N电极平台工艺的晶圆上进行电流...
该专利属于青岛旭芯互联科技研发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛旭芯互联科技研发有限公司授权不得商用。

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