一种倒装Mini-LED芯片及其制备方法技术

本申请涉及一种倒装Mini‑LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。该芯片包括依次设置的发光层、衬底，以及在衬底上依次外延生长的石墨烯层、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和p型GaN层；发光层包括钙钛矿量子点薄膜；其中，单层石墨烯层的厚度为0.5‑1.5nm，石墨烯层的层数至少为2层。通过在衬底的一侧沉积钙钛矿量子点薄膜，可以提高芯片整体的发光效率，以及拓宽了波长。通过在另一侧沉积石墨烯夹层，并在几层石墨烯上继续生长高结晶质量GaN薄膜；使得该芯片不仅在大电流和高功率条件下应用时，具有优异的散热效果，还具有出色的发光效率和更宽的波长范围。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体发光器件，且特别涉及一种倒装mini-led芯片及其制备方法。

技术介绍

1、随着显示技术的不断升级，led芯片在发光性能方面的要求日益提高，尤其在电视、手机和大型显示器等应用中，用户对亮度、对比度、分辨率和能耗的期望不断上升。目前，许多led芯片采用了先进的材料和结构设计，以提高光输出效率，然而现有技术仍面临一些显著缺陷。

2、传统led芯片虽然能够提供良好的发光效果，但在高亮度和高对比度的需求下，其发光强度和能耗之间的平衡仍然难以实现。此外，现有led材料的光致发光效率受限，导致在某些应用中难以满足日益增长的亮度要求。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本申请实施例的目的包括提供一种倒装mini-led芯片及其制备方法，以提高倒装mini-led芯片的发光效率。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种倒装mini-led芯片，包括依次设置的发光层、衬底，以及在衬底上依次外延生长的石墨烯层、缓冲层、未掺杂gan层、n型gan层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和p本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种倒装Mini-LED芯片，其特征在于，包括依次设置的发光层、衬底，以及在衬底上依次外延生长的石墨烯层、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和p型GaN层；所述发光层包括钙钛矿量子点薄膜；

2.根据权利要求1所述的倒装Mini-LED芯片，其特征在于，所述发光层中，发光材料的化学式为CsPbX3；其中，X为Br、Cl或I。

3.根据权利要求1所述的倒装Mini-LED芯片，其特征在于，衬底包括Si衬底；

4.一种如权利要求1-3中任一项所述的倒装Mini-LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：

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【技术特征摘要】

1.一种倒装mini-led芯片，其特征在于，包括依次设置的发光层、衬底，以及在衬底上依次外延生长的石墨烯层、缓冲层、未掺杂gan层、n型gan层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和p型gan层；所述发光层包括钙钛矿量子点薄膜；

2.根据权利要求1所述的倒装mini-led芯片，其特征在于，所述发光层中，发光材料的化学式为cspbx3；其中，x为br、cl或i。

3.根据权利要求1所述的倒装mini-led芯片，其特征在于，衬底包括si衬底；

4.一种如权利要求1-3中任一项所述的倒装mini-led芯片的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁琳，贾钊，窦志珍，胡恒广，
申请(专利权)人：青岛旭芯互联科技研发有限公司，
类型：发明
国别省市：