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本申请涉及一种倒装Mini‑LED芯片及其制备方法,属于半导体发光器件技术领域。该芯片包括依次设置的发光层、衬底,以及在衬底上依次外延生长的石墨烯层、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和p型GaN层;发...该专利属于青岛旭芯互联科技研发有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过青岛旭芯互联科技研发有限公司授权不得商用。
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本申请涉及一种倒装Mini‑LED芯片及其制备方法,属于半导体发光器件技术领域。该芯片包括依次设置的发光层、衬底,以及在衬底上依次外延生长的石墨烯层、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和p型GaN层;发...