一种基于重掺杂硼扩散的TOPCon电池制备工艺制造技术

本申请提出了一种基于重掺杂硼扩散的TOPCon电池制备工艺，涉及TOPCon电池制备领域。包括以下步骤：制绒；重掺杂硼扩散；激光处理和氧化处理；沉积二氧化硅和多晶硅；磷扩散；利用化学腐蚀去除背面PSG，再用碱液去除正面的BSG；对N型晶体硅基体的正反表面进行钝化处理；金属化：在N型晶体硅基体的背面用银浆印刷电极，形成背面细栅；在N型晶体硅基体的正面先用腐蚀性铝浆横向印刷正面第一细栅，经烘烤烧结后在正面第一细栅上纵向印刷银浆，烧结后得到第二细栅。此制备工艺通过采用重掺杂硼扩散、低温金属化以及增加金属化细栅数来达到提高转化率的效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及topcon电池制备，具体而言，涉及一种基于重掺杂硼扩散的topcon电池制备工艺。

技术介绍

1、近几十年来，随着人类对石油、煤炭、天然气等不可再生能源的过度开采和消耗，此类能源难以长久满足人类的需求；另外，不可再生能源的过度利用导致环境污染加剧，人类赖以生存的环境一步步被破坏，因此寻求新型清洁能源一直受到国际社会广泛关注，诸如风能、地热能、太阳能、海洋能等能源的发展利用越来越成为人类发展所必须研究利用的能源。其中，太阳能因其覆盖范围广，受地域限制性因素较小且取之不尽、用之不竭而受到国际能源发展的青睐，而太阳能光伏发电技术更利于满足人类发展所需，另一方面，目前传统的也是最具发展潜力的仍是硅基太阳能电池，生产硅基太阳能电池主要原料就是硅(si),硅元素在地壳中占总质量的26.4％，仅次于排名第一位的氧元素(49.4％)，足够太阳能电池生产所需，因此太阳能电池近几十年发展迅速。

2、隧穿氧化层钝化接触太阳电池(tunnel oxide passivated contact solarcell,topcon)是最近几年发展迅速的一种高效晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于重掺杂硼扩散的TOPCon电池制备工艺，其特征在于，其包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种基于重掺杂硼扩散的TOPCon电池制备工艺，其特征在于，所述S1步骤中的制绒为将N型晶体硅基体放入含有制绒添加剂的碱液中，在60-80℃下形成金字塔绒面。

3.根据权利要求1所述的一种基于重掺杂硼扩散的TOPCon电池制备工艺，其特征在于，所述S2步骤中的第一次硼扩散具体步骤为：先将扩散炉升温至950℃，将N型晶体硅基体先在炉口预热后再送入恒温区，通入三氯化硼进行扩散，扩散时间为30-90min，第一P+掺杂层的结深为0.3-0.5μm。

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【技术特征摘要】

1.一种基于重掺杂硼扩散的topcon电池制备工艺，其特征在于，其包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种基于重掺杂硼扩散的topcon电池制备工艺，其特征在于，所述s1步骤中的制绒为将n型晶体硅基体放入含有制绒添加剂的碱液中，在60-80℃下形成金字塔绒面。

3.根据权利要求1所述的一种基于重掺杂硼扩散的topcon电池制备工艺，其特征在于，所述s2步骤中的第一次硼扩散具体步骤为：先将扩散炉升温至950℃，将n型晶体硅基体先在炉口预热后再送入恒温区，通入三氯化硼进行扩散，扩散时间为30-90min，第一p+掺杂层的结深为0.3-0.5μm。

4.根据权利要求3所述的一种基于重掺杂硼扩散的topcon电池制备工艺，其特征在于，所述s2步骤中第二次硼扩散的扩散时间为60-100min，第二p+掺杂层的结深为1-3μm。

5.根据权利要求1所述的一种基于重掺杂硼扩散的topcon电池制备工艺，其特征在于，所述s4步骤中沉积二氧化硅和多晶硅具体采用低压化学气相沉积法在硅片沉积隧穿氧化层sio2和poly-si层。

6.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈龙，
申请(专利权)人：宜宾英发德耀科技有限公司，
类型：发明
国别省市：