【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种双向二极管及其制作方法。
技术介绍
1、在半导体集成电路产业的发展进程中，线宽和ic芯片尺寸越来越小，同时产品的静电承受能力变差。为了减少由于电力设备的起停，交流电网的不稳定、雷电干扰及人体静电放电等原因带来的电压及电流的瞬态干扰造成的电子电路及设备的损坏和故障，这时出现了电路保护器件，例如双向二极管。
2、如何提升双向二极管性能是一个技术问题。
3、需要说明的是，上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、针对现有技术中的问题，本专利技术的目的在于提供双向二极管及其制作方法，克服了现有技术中双向二极管性能不佳的技术问题。
2、本公开实施例提供一种双向二极管制作方法，其包括：
3、在半导体衬底上形成间隔开的间隔层；
4、在半导体衬底中形成位于相邻两个间隔层之间的有源区，有源区具有第一类型掺杂；
5、在间隔层的侧壁形成侧壁结构，侧壁结构位于有源区上方；
6、使用两次掩模分别在有源区中形成第一类型掺杂区及位于第一类型掺杂区两侧的第二类型掺杂区，使得每一侧的第二类型掺杂区与第一类型掺杂区接触连接并在远离第一类型掺杂区的方向上不超出有源区。
7、在一些实施例中，使用两次掩模分别在有源区中形成第一类型掺杂区及位于第一类型掺杂区两侧的第二类型掺杂区，包括：
9、在去除第一掩模层之后形成具有注入窗口的第二掩模层，通过注入窗口在有源区中注入第一类型掺杂区。
10、在一些实施例中，侧壁结构的宽度为80-100nm。
11、在一些实施例中，在间隔层的侧壁形成侧壁结构，包括：
12、在有源区和间隔层上形成侧壁材料；
13、使用干法刻蚀去除覆盖有源区和间隔层顶部的侧壁材料，剩余间隔层侧壁的侧壁结构。
14、在一些实施例中，在有源区和间隔层上形成侧壁材料，包括：
15、使用四乙氧基硅烷作为前驱物在有源区和间隔层上进行化学气相沉积，得到厚度范围为的侧壁材料；
16、在沉积过程中，四乙氧基硅烷的流量为180-220sccm，反应温度为625.5-764.5℃。
17、在一些实施例中，在干法刻蚀过程中，使用的刻蚀气体为cf4和chf3的混合气体，其中cf4的流量为18-22sccm，chf3的流量为36-44sccm，刻蚀过程中的功率范围为400-1000w。
18、在一些实施例中，侧壁材料与间隔层的材料相同。
19、在一些实施例中，侧壁材料与间隔层的材料均为氧化硅。
20、在一些实施例中，在半导体衬底上形成间隔开的间隔层，包括：
21、使用热氧化在半导体衬底上生长第一氧化硅层；
22、在第一氧化硅层上沉积第二氧化硅层；
23、对第二氧化硅层和第一氧化硅层进行选择性刻蚀，以得到间隔开的间隔层。
24、在一些实施例中，有源区延伸到间隔层下方。
25、本公开实施例还提供另一种双向二极管，其包括：
26、半导体衬底；
27、位于半导体衬底上并间隔开的间隔层及位于间隔层侧壁的侧壁结构，在相邻两个间隔层之间的半导体衬底中形成有有源区，侧壁结构位于有源区上方，有源区具有第一类型掺杂；
28、位于有源区中的第一类型掺杂区及位于第一类型掺杂区两侧的第二类型掺杂区，每一侧的第二类型掺杂区与第一类型掺杂区接触连接并在远离第一类型掺杂区的方向上不超出有源区。
29、在一些实施例中，侧壁结构的宽度为80-100nm。
30、本专利技术的双向二极管及其制作方法具有如下优点：
31、使用如上方法制作由第一类型掺杂区及位于两侧的第二类型掺杂区构成的双向二极管结构。在形成有源区之后，在间隔层侧壁形成侧壁结构，该侧壁结构相当于增加了间隔层的宽度，这样在进行第一类型掺杂区形成过程中，由于侧壁结构的存在，第二类型掺杂区远离第一类型掺杂区的横向扩散范围受到限制，有利于实现第二类型掺杂区横向扩散不超出有源区，降低甚至避免出现双向二极管性能不佳甚至失效的问题，提升双向二极性能。
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1.一种双向二极管制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的双向二极管制作方法，其特征在于，所述使用两次掩模分别在所述有源区中形成第一类型掺杂区及位于所述第一类型掺杂区两侧的第二类型掺杂区，包括：
3.根据权利要求1所述的双向二极管制作方法，其特征在于，所述侧壁结构的宽度为80-100nm。
4.根据权利要求1所述的双向二极管制作方法，其特征在于，所述在所述间隔层的侧壁形成侧壁结构，包括：
5.根据权利要求4所述的双向二极管制作方法，其特征在于，所述在所述有源区和间隔层上形成侧壁材料，包括：
6.根据权利要求5所述的双向二极管制作方法，其特征在于，在所述干法刻蚀过程中，使用的刻蚀气体为CF4和CHF3的混合气体，其中所述CF4的流量为18-22sccm，CHF3的流量为36-44sccm，刻蚀过程中的功率范围为400-1000W。
7.根据权利要求4所述的双向二极管制作方法，其特征在于，所述侧壁材料与所述间隔层的材料相同。
8.根据权利要求7所述的双向二极管制作方法，其特征在于，所述侧
9.根据权利要求8所述的双向二极管制作方法，其特征在于，所述在半导体衬底上形成间隔开的间隔层，包括：
10.一种双向二极管，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的双向二极管，其特征在于，所述侧壁结构的宽度为80-100nm。
...【技术特征摘要】
1.一种双向二极管制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的双向二极管制作方法，其特征在于，所述使用两次掩模分别在所述有源区中形成第一类型掺杂区及位于所述第一类型掺杂区两侧的第二类型掺杂区，包括：
3.根据权利要求1所述的双向二极管制作方法，其特征在于，所述侧壁结构的宽度为80-100nm。
4.根据权利要求1所述的双向二极管制作方法，其特征在于，所述在所述间隔层的侧壁形成侧壁结构，包括：
5.根据权利要求4所述的双向二极管制作方法，其特征在于，所述在所述有源区和间隔层上形成侧壁材料，包括：
6.根据权利要求5所述的双向二极管制作方法，其特征在于，在所述干法刻蚀过程中，使用...
【专利技术属性】
技术研发人员：毛月，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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