晶圆、半导体元件及半导体元件处理方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆、半导体元件及半导体元件处理方法，所述晶圆包括本体部和侧结构；所述侧结构位于所述本体部的两端；所述侧结构包括第一倒角部、第二倒角部和侧边缘；所述第一倒角部和所述本体部的第一表面连接；所述第二倒角部和所述本体部的第二表面连接；所述第一倒角部和所述第二倒角部在远离所述本体部的一侧的连接部形成所述侧边缘；所述侧边缘上任一点的曲率大于第一预设值；所述侧结构的第一幅长小于所述侧结构的第二幅长。本发明专利技术通过对晶圆的侧结构进行改进，大幅减小了晶圆生长外延层后产生的突角，从而避免了晶圆在生产运输过程中由于尖锐的突角导致晶圆碎片，改善了晶圆生产质量，使之能在确保良率的前提下投入大幅量产。投入大幅量产。投入大幅量产。

【技术实现步骤摘要】
晶圆、半导体元件及半导体元件处理方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种晶圆、半导体元件及半导体元件处理方法。

技术介绍

[0002]6英寸的外延场截止IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)的耐压要求较高，需要在晶圆上长相对较厚的外延层，因此会导致原本光滑的晶圆侧面轮廓形成突角，并且为了减小IGBT的整体厚度，需要对生长外延层后的晶圆进行减薄处理，参见图1，减薄处理后的晶圆的边缘更加容易形成尖锐的突角(图1中的Y即突角)，而这样的突角不仅在运输过程中受到轻微碰撞就极易破碎导致缺角，而且也是在线生产过程中碎片率高达20％的主要原因。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中晶圆生长外延层后导致边缘产生突角而容易造成破碎的缺陷，提供一种晶圆、半导体元件及半导体元件处理方法。
[0004]本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
[0005]本专利技术提供了一种晶圆，所述晶圆包括本体部和侧结构；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆，其特征在于，所述晶圆包括本体部和侧结构；所述侧结构位于所述本体部的两端；所述侧结构包括第一倒角部、第二倒角部和侧边缘；所述第一倒角部和所述本体部的第一表面连接；所述第二倒角部和所述本体部的第二表面连接；所述第一倒角部和所述第二倒角部在远离所述本体部的一侧的连接部形成所述侧边缘，所述侧边缘呈平直状；所述侧结构的第一幅长小于所述侧结构的第二幅长；所述第一幅长为所述第一倒角部在所述第一表面所在平面上的投影的长度；所述第二幅长为所述第二倒角部在所述第二表面所在平面上的投影的长度。2.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述第一倒角部为第一倒圆上的一段圆弧；所述第二倒角部为第二倒圆上的一段圆弧；所述第一倒圆和所述第二倒圆外切；所述侧边缘设置于所述第一倒圆和所述第二倒圆的公切线；所述第一倒圆的半径小于所述第二倒圆的半径。3.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述第一幅长大于55um且小于300um。4.如权利要求3所述的晶圆，其特征在于，所述第一幅长为180um。5.一种半导体元件，其特征在于，所述半导体元件包括如权利要求1
‑
4任一项所述的晶圆及形成于所述晶圆的外表面的外延层。6.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，所述半导体元件减薄后的厚度不大于150μ...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘东栋，张洁，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：