一种半导体器件的隔离结构制造技术

本申请提供一种半导体器件的隔离结构，该隔离结构包括：衬底，位于衬底中的深槽，位于深槽表面的第一氧化层及位于第一氧化层上的多晶硅，第一氧化层和多晶硅高出衬底，且多晶硅高出第一氧化层，位于高出第一氧化层的多晶硅的侧壁的侧墙，侧墙至少覆盖深槽顶部的第一氧化层。侧墙可以保护深槽顶部两侧的氧化层不被腐蚀掉，防止深槽顶部两侧的氧化层的损失对器件特性产生的不利影响，节约了工艺成本。由于最终形成的隔离结构保留有侧墙，并没有将侧墙移除，可以避免深槽附近氧化层留膜过薄而对器件性能产生的不利影响，对于该半导体工艺提供了足够的工艺窗口。了足够的工艺窗口。了足够的工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的隔离结构


[0001]本技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体器件的隔离结构。

技术介绍

[0002]深槽隔离(Deep Trench Isolation，DTI)技术是利用深槽中的绝缘介质将深槽结构两侧的器件隔离开来，深槽结构两侧可以形成不同的器件，这样不同器件之间不会相互影响，具体的，可以先对衬底进行刻蚀得到沟槽，而后利用沉积或者炉管氧化工艺形成氧化层，氧化层覆盖沟槽的侧壁和底面，同时形成于衬底表面，之后在沟槽中填充多晶硅，去除衬底表面的氧化层即可得到深槽结构。深槽结构可以用于LDMOS管、双极型器件、中低压MOS管等。
[0003]然而，在使用干法刻蚀或湿法腐蚀去除衬底表面的氧化层时，深槽结构顶部侧壁的氧化层容易受到损伤，会对器件性能造成影响。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请的目的在于提供了一种半导体器件的隔离结构，可以在去除衬底表面的氧化层时，保护深槽结构顶部侧壁的氧化层，避免其受到损伤，避免了对器件性能的影响。
[0005]本申请实施例提供了一种半导体器件的隔离结构，包括：...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的隔离结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底中的深槽；位于所述深槽表面的第一氧化层及位于所述第一氧化层上的多晶硅；所述第一氧化层和所述多晶硅高出所述衬底，且所述多晶硅高出所述第一氧化层；位于高出所述第一氧化层的多晶硅的侧壁的侧墙，所述侧墙至少覆盖所述深槽顶部的第一氧化层。2.根据权利要求1所述的隔离结构，其特征在于，所述侧墙底部的横向尺寸大于或等于所述深槽的宽度。3.根据权利要求2所述的隔离结构，其特征在于，高出所述第一氧化层的多晶硅的横向尺寸大于或等于所述深槽中的多晶硅的横向尺寸。4.根据权利要求3所述的隔离结构，其特征在于，所述侧墙为氮化硅或氧化硅和氮化硅的叠层。5.根据权利要求2所述的隔离结构，其特征在于，高出所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏志平，裴晓平，陈洪雷，孙样慧，田浩洋，
申请(专利权)人：杭州士兰集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：