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本申请提供一种半导体器件的隔离结构，该隔离结构包括：衬底，位于衬底中的深槽，位于深槽表面的第一氧化层及位于第一氧化层上的多晶硅，第一氧化层和多晶硅高出衬底，且多晶硅高出第一氧化层，位于高出第一氧化层的多晶硅的侧壁的侧墙，侧墙至少覆盖深槽顶部...
该专利属于杭州士兰集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰集成电路有限公司授权不得商用。

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