场限环结构的制备方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种场限环结构的制备方法及系统，所述制备方法包括：预设环推进信息表，环推进信息表存储有制备场限环结构的高温炉管的环推进信息与应用场景的映射表，环推进信息包括环推进温度和环推进时长，应用场景包括应用设备和应用环境；获取当前场限环结构的当前应用场景；根据环推进信息表获取与当前应用场景对应的当前环推进信息；在当前场限环结构的环推进阶段基于当前环推进信息进行制备。本发明专利技术通过改变场限环结构的炉管推进的时间及温度，进一步实现有效增加终端柱状结的曲率半径，减少电场集中，使得原本器件击穿电压降低的问题得到解决，最终达到在不增加器件功耗的基础上提高了器件的击穿电压性能。基础上提高了器件的击穿电压性能。基础上提高了器件的击穿电压性能。

【技术实现步骤摘要】
场限环结构的制备方法及系统


[0001]本专利技术属于半导体制造领域，特别涉及一种场限环结构的制备方法及系统。

技术介绍

[0002]在VDMOS(垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管)终端设计中，场限环结构被广泛应用，现有一般是通过高温炉管来改变场限环结的电场的分布，以达到提高及稳定击穿电压的目的，但是，随器件耐压的增加，常规的炉管处理方法对场限环终端在效率、电场分布方面的不足也越专利技术显，尤其是在高温环境下器件出现了明显的击穿电压下降问题，使得器件的可靠性受到了严重影响。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中的上述缺陷，提供一种场限环结构的制备方法及系统。
[0004]本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
[0005]一种场限环结构的制备方法，所述制备方法包括：
[0006]预设环推进信息表，所述环推进信息表存储有制备场限环结构的高温炉管的环推进信息与应用场景的映射表，所述环推进信息包括环推进温度和环推进时长，所述应用场景包括应用设备和应用环境；
[0007]获取当前场限环结构的当前应用场景；
[0008]根据所述环推进信息表获取与所述当前应用场景对应的当前环推进信息；
[0009]在所述当前场限环结构的环推进阶段基于所述当前环推进信息进行制备。
[0010]较佳地，所述预设环推进信息表的步骤具体包括：
[0011]选取任意目标应用场景，所述目标应用场景包括目标应用设备和目标应用环境；r/>[0012]获取在所述目标应用环境下所述目标应用设备的期望击穿电压限值；
[0013]设定多个目标推进温度和多个目标推进时长；
[0014]仿真得到不同目标推进温度和不同目标推进时长的条件下，所述目标应用设备的场限环结构的实际击穿电压限值；
[0015]选取满足预设条件的实际击穿电压限值对应的推进温度和推进时长；
[0016]根据所述对应的推进温度和推进时长构建所述环推进信息表。
[0017]较佳地，所述预设条件包括：
[0018]不小于所述期望击穿电压限值且与所述期望击穿电压限值的差值最小。
[0019]较佳地，所述预设条件包括：
[0020]不小于所述期望击穿电压限值且所述对应的推进温度与所述场限环结构的耐压温度的差值在预设温度范围内。
[0021]较佳地，所述预设条件包括：
[0022]不小于所述期望击穿电压限值且所述实际击穿电压限值的衰减值在预设电压范
围内。
[0023]一种场限环结构的制备系统，所述制备系统包括：
[0024]预设模块，用于预设环推进信息表，所述环推进信息表存储有制备场限环结构的高温炉管的环推进信息与应用场景的映射表，所述环推进信息包括环推进温度和环推进时长，所述应用场景包括应用设备和应用环境；
[0025]当前应用场景获取模块，用于获取当前场限环结构的当前应用场景；
[0026]当前环推进信息获取模块，用于根据所述环推进信息表获取与所述当前应用场景对应的当前环推进信息；
[0027]制备模块，用于在所述当前场限环结构的环推进阶段基于所述当前环推进信息进行制备。
[0028]较佳地，所述预设模块包括：
[0029]应用场景选取单元，用于选取任意目标应用场景，所述目标应用场景包括目标应用设备和目标应用环境；
[0030]期望击穿电压限值获取单元，用于获取在所述目标应用环境下所述目标应用设备的期望击穿电压限值；
[0031]设定单元，用于设定多个目标推进温度和多个目标推进时长；
[0032]仿真单元，用于仿真得到不同目标推进温度和不同目标推进时长的条件下，所述目标应用设备的场限环结构的实际击穿电压限值；
[0033]推进信息选取单元，用于选取满足预设条件的实际击穿电压限值对应的推进温度和推进时长；
[0034]构建单元，用于根据所述对应的推进温度和推进时长构建所述环推进信息表。
[0035]较佳地，所述预设条件包括：
[0036]不小于所述期望击穿电压限值且与所述期望击穿电压限值的差值最小。
[0037]较佳地，所述预设条件包括：
[0038]不小于所述期望击穿电压限值且所述对应的推进温度与所述场限环结构的耐压温度的差值在预设温度范围内。
[0039]较佳地，所述预设条件包括：
[0040]不小于所述期望击穿电压限值且所述实际击穿电压限值的衰减值在预设电压范围内。
[0041]本专利技术的积极进步效果在于：本专利技术通过改变场限环结构的炉管推进的时间及温度，进一步实现有效增加终端柱状结的曲率半径，减少电场集中，使得原本器件击穿电压降低的问题得到解决，最终达到在不增加器件功耗的基础上提高了器件的击穿电压性能。
附图说明
[0042]图1为本专利技术实施例1的场限环结构的制备方法的流程图。
[0043]图2为本专利技术实施例1的场限环结构的制备方法中步骤10的流程图。
[0044]图3为本专利技术实施例1的场限环结构的制备方法中的示例中工艺优化前的电场分布示意图。
[0045]图4为本专利技术实施例1的场限环结构的制备方法中的示例中工艺优化后的电场分
布示意图。
[0046]图5为本专利技术实施例2的场限环结构的制备系统的模块示意图。
具体实施方式
[0047]下面通过实施例的方式进一步说明本专利技术，但并不因此将本专利技术限制在所述的实施例范围之中。
[0048]实施例1
[0049]一种场限环结构的制备方法，如图1所示，所述制备方法包括：
[0050]步骤10、预设环推进信息表；环推进信息表存储有制备场限环结构的高温炉管的环推进信息与应用场景的映射表，环推进信息包括环推进温度和环推进时长，应用场景包括应用设备和应用环境；
[0051]需要说明的是，此处的应用设备为具体的半导体器件(比如下文所列举的1500V、VDMOS产品)，应用环境为应用设备当前所属的环境信息，包括温度、湿度等条件，应用环境的设定是为了区分不同温度、不同湿度等条件下，不同的设备的环推进信息也是有所差异的。
[0052]步骤20、获取当前场限环结构的当前应用场景；
[0053]步骤30、根据环推进信息表获取与当前应用场景对应的当前环推进信息；
[0054]需要说明的是，在实际使用中，需要先获取待制备设备的实际应用场景，包括设备具体型号、温度、湿度等信息，进而基于上述信息匹配环推进信息表，以获得制备当前设备所需要的环推进信息。
[0055]步骤40、在当前场限环结构的环推进阶段基于当前环推进信息进行制备。
[0056]本实施例中，如图2所示，步骤10具体包括：
[0057]步骤101、选取任意目标应用场景；目标应用场景包括目标应用设备和目标应用环境；
[0058]步骤102、获取在目标应用环境下目标应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种场限环结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：预设环推进信息表，所述环推进信息表存储有制备场限环结构的高温炉管的环推进信息与应用场景的映射表，所述环推进信息包括环推进温度和环推进时长，所述应用场景包括应用设备和应用环境；获取当前场限环结构的当前应用场景；根据所述环推进信息表获取与所述当前应用场景对应的当前环推进信息；在所述当前场限环结构的环推进阶段基于所述当前环推进信息进行制备。2.如权利要求1所述的场限环结构的制备方法，其特征在于，所述预设环推进信息表的步骤具体包括：选取任意目标应用场景，所述目标应用场景包括目标应用设备和目标应用环境；获取在所述目标应用环境下所述目标应用设备的期望击穿电压限值；设定多个目标推进温度和多个目标推进时长；仿真得到不同目标推进温度和不同目标推进时长的条件下，所述目标应用设备的场限环结构的实际击穿电压限值；选取满足预设条件的实际击穿电压限值对应的推进温度和推进时长；根据所述对应的推进温度和推进时长构建所述环推进信息表。3.如权利要求2所述的场限环结构的制备方法，其特征在于，所述预设条件包括：不小于所述期望击穿电压限值且与所述期望击穿电压限值的差值最小。4.如权利要求2所述的场限环结构的制备方法，其特征在于，所述预设条件包括：不小于所述期望击穿电压限值且所述对应的推进温度与所述场限环结构的耐压温度的差值在预设温度范围内。5.如权利要求2所述的场限环结构的制备方法，其特征在于，所述预设条件包括：不小于所述期望击穿电压限值且所述实际击穿电压限值的衰减值在预设电压范围内。6.一种场限环结构的制备系统，其特征在于，所述制备系统包括：预设模块，用于预设环推进信息表，所述环推进信...

【专利技术属性】
技术研发人员：车鑫川，张洁，刘东栋，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：