一种锁紧圈及物理气相沉积设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种锁紧圈及物理气相沉积设备，该锁紧圈包括多个同轴设置的环形沟槽及延伸环，其中，多个同轴设置的环形沟槽由内向外依次邻接，且最内侧环形沟槽靠近圆心的沟槽壁外表面设有多个侧壁凸点，延伸环与最内侧环形沟槽的底壁圆周边缘连接并沿环形沟槽的底壁向轴心方向延伸，延伸环的上表面设有多个压点，且侧壁凸点位于相邻的两个压点之间。本实用新型专利技术通过将侧壁凸点与压点错开设置，且侧壁凸点及压点与晶圆的晶圆定位缺口也错开，使晶圆发生形变时，受到的形变力在晶圆边缘与锁紧圈接触点处向一个方向释放，防止两个相互靠近的受力点共同作用晶圆边缘致使晶圆边缘缺角，在不影响设备工艺参数的情况下，降低了所述晶圆发生缺角的几率。述晶圆发生缺角的几率。述晶圆发生缺角的几率。

A locking ring and physical vapor deposition equipment

【技术实现步骤摘要】
一种锁紧圈及物理气相沉积设备


[0001]本技术属于半导体
，涉及一种锁紧圈及物理气相沉积设备。

技术介绍

[0002]一种主流的物理气相淀积(PVD)设备主要用于0.18
‑
0.5微米集成电路制造工艺，通常用于淀积铝铜(AlCu)、铝硅铜(AlSiCu)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、解离金属电浆法沉积钛(IMP Ti)、溅射离子镀钛(SIP Ti)等工艺。
[0003]物理气相沉积设备在工艺过程中，重掺衬底深沟槽晶圆因深沟槽，容易在厚铝铜工艺时，发生弯曲位移较大，从而影响到晶圆边缘与锁紧圈的压点接触处，造成晶圆的边缘缺角，特别是晶圆边缘的定位缺口处，由于其结构特殊，碰到锁紧圈的压点或定位凸起点，容易造成缺角。如图1所示，为锁紧圈的结构示意图，其中锁紧圈包括环形沟槽01、侧壁凸点011、定位开口012、接地端口013、延伸环02、压点021及延伸部022，由于PVD工艺过程中，温度变化，造成晶圆发生弯曲及位移，使晶圆的边缘接触锁紧圈的侧面并受到锁紧圈正面的压点的压力，继而产生缺角，导致后续光刻设备对位报警，最终导致晶圆报废。目前通常采用调整晶圆在工艺腔体的位置的方法来减少缺角现象，这种方法操作繁琐，改善晶圆缺角的效果不明显。
[0004]因此，急需寻找一种在PVD工艺中改善晶圆缺角效果明显，且不影响腔体工艺参数的锁紧圈。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种锁紧圈及物理气相沉积设备，用于解决现有技术中物理气相沉积设备在工艺过程中晶圆缺角率高的问题。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供了一种锁紧圈，包括：
[0007]多个同轴设置的环形沟槽，由内向外依次邻接，且最内侧所述环形沟槽靠近圆心的沟槽壁外表面设有多个侧壁凸点；
[0008]延伸环，与最内侧所述环形沟槽的底壁圆周边缘连接并沿所述环形沟槽的底壁向轴心方向延伸，所述延伸环的正面设有多个压点，且所述侧壁凸点位于相邻的两个所述压点之间。
[0009]可选地，相邻两个所述环形沟槽之间的相邻侧共用一个沟槽侧壁。
[0010]可选地，至少有两个所述环形沟槽的非共用侧壁具有不同的高度。
[0011]可选地，当所述锁紧圈压紧的晶圆边缘设有晶圆定位缺口时，所述晶圆定位缺口的位置分别与所述侧壁凸点及所述压点的位置错开。
[0012]可选地，所述侧壁凸点与所述延伸环的正面表面接触。
[0013]可选地，所述压点位于相邻的两个所述侧壁凸点之间的所述延伸环的正面。
[0014]可选地，所述延伸环的内侧还设有至少一个与所述延伸环连接的延伸部。
[0015]可选地，最内侧所述环形沟槽的靠近轴心的沟槽壁上设有至少一个定位开口。
[0016]可选地，所述环形沟槽的沟槽壁边缘还设有至少一个接地端口。
[0017]一种物理气相沉积设备，所述物理气相沉积设备包括上述所述的锁紧圈。
[0018]如上所述，本技术的锁紧圈及物理气相沉积设备通过重新设计所述锁紧圈的结构，将所述延伸环的正面设置的多个所述压点及最内侧所述环形沟槽靠近轴心的沟槽壁外设置的多个所述侧壁凸点错开设置，且晶圆定位缺口的位置与所述侧壁凸点及所述压点错开，以使所述晶圆边缘与所述压点及所述侧壁凸点的接触点分散开，且所述侧壁凸点及所述压点不能够作用到所述晶圆定位缺口上，继而使在进行沉积薄膜工艺过程中，由于温度变化引起的所述晶圆的变形而产生的形变力分散于所述晶圆的边缘，并使所述形变力向一个方向释放，防止所述晶圆边缘的两个所述受力点之间距离较近而共同作用致使所述晶圆产生缺角，在不影响设备工艺参数的情况下，提升了沉积工艺的良率，减少了设备的保养频率，降低了生产成本，具有高度产业利用价值。
附图说明
[0019]图1显示为一种锁紧圈的结构示意图。
[0020]图2显示为本技术的锁紧圈的平面结构示意图。
[0021]图3显示为本技术的锁紧圈的定位开口的结构示意图。
[0022]图4显示为本技术的锁紧圈压紧晶圆的截面结构示意图。
[0023]图5显示为采用本技术的锁紧圈前后的物理气相沉积设备的生产良率统计图。
[0024]元件标号说明
[0025]01
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环形沟槽
[0026]011
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侧壁凸点
[0027]012
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定位开口
[0028]013
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接地端口
[0029]02
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延伸环
[0030]021
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压点
[0031]022
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延伸部
[0032]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
环形沟槽
[0033]11
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侧壁凸点
[0034]12
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定位开口
[0035]13
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接地端口
[0036]2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
延伸环
[0037]21
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压点
[0038]22
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延伸部
具体实施方式
[0039]以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应
用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0040]请参阅图2至图5。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，遂图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0041]实施例一
[0042]本实施例提供一种锁紧圈，如图2所示，为所述锁紧圈的平面结构示意图，包括多个同轴设置的环形沟槽1及延伸环2，其中，多个同轴所述环形沟槽1由内向外依次邻接，且最内侧所述环形沟槽1靠近圆心的沟槽壁外表面设有多个侧壁凸点11，所述延伸环2与最内侧所述环形沟槽1的底壁圆周边缘连接并沿所述环形沟槽1的底壁向轴心方向延伸，所述延伸环2的上表面设有多个压点21，且所述侧壁凸点11位于相邻的两个所述压点21之间。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种锁紧圈，其特征在于，包括：多个同轴设置的环形沟槽，由内向外依次邻接，且最内侧所述环形沟槽靠近圆心的沟槽壁外表面设有多个侧壁凸点；延伸环，与最内侧所述环形沟槽的底壁圆周边缘连接并沿所述环形沟槽的底壁向轴心方向延伸，所述延伸环的正面设有多个压点，所述侧壁凸点位于相邻的两个所述压点之间。2.根据权利要求1所述的锁紧圈，其特征在于：相邻两个所述环形沟槽的相向侧共用一个沟槽侧壁。3.根据权利要求2所述的锁紧圈，其特征在于：至少有两个所述环形沟槽的非共用侧壁具有不同高度。4.根据权利要求1所述的锁紧圈，其特征在于：当所述锁紧圈压紧的晶圆边缘设有晶圆定位缺口时，所述晶圆定位缺口的位置分别与所述侧壁凸点及所述压...

【专利技术属性】
技术研发人员：荣海洋，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造有限公司，
类型：新型
国别省市：