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本发明公开了一种双层布线双极型器件制造工艺，其中进行基区推进时温度为９５０℃～１０００℃，基区推进的时间为１００分钟；进行发射区推进时温度为９５０℃～１０００℃，发射区推进的时间为３０～６０分钟；采用大剂量注入的砷（Ａｓ）离子作为发射区，注...
该专利属于上海先进半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先进半导体制造有限公司授权不得商用。

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