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本发明公开一种多孔膜的处理方法，在已进行双镶嵌构图和腐蚀后的多孔膜上进行等离子体或物理汽相淀积介质膜处理，淀积膜层厚度为５０＊（埃）到１０００＊的硅化物膜以封闭露出的其直径尺寸为８ｎｍ到２５ｎｍ孔。所淀积的硅化物膜是，例如，二氧化硅膜（Ｓｉ...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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