用于真空处理系统的传送处理室技术方案

一种用于一衬底处理工件的传送处理室，其包含具有侧墙的一主体，其中侧墙适于耦接到至少一处理室与至少一负载阻隔处理室。主体容纳一机械人手臂的至少一部分，该机械人手臂适合用于在处理室与负载阻隔处理室间加以传送衬底。一盖件耦接至传送处理室的主体的一顶部，并密封该顶部。传送处理室也具有一半球形底部，该半球形底部适于耦接至传送处理室的主体的底部，并密封该底部。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大致关于一种用于处理衬底的处理系统，特别是关于使用该系统的传送处理室。
技术介绍
常规的制造平面衬底显示器或半导体装置的技术，必须施予一连续制程于例如一玻璃衬底或一硅晶圆之衬底上。此施予的连续制程包含热处理、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、蚀刻等。此连续制程中的每一制程典型地在一个别处理室中加以实施。因此，衬底必须由一处理室传送至另一处理室，以进行各式制程处理。合并数种不同处理室于一单一处理工件中，为公知技术，其中各处理室围绕一中央传送处理室的周围而加以耦接。图1为常规处理工件11的部分垂直截面图。处理工件11包含一中央定位的传送处理室13。一负载阻隔处理室15与一处理室17分别耦接至传送处理室13的个别侧边。一或多个制程处理室与/或负载阻隔处理室(未显示)，也可耦接至传送处理室的个别侧边。负载阻隔处理室15被设置以容纳衬底自处理工件11的外侧导入处理工件11内。传送处理室13包含具有侧墙21的一主体19(图1仅示出两侧墙)。每一侧墙21被容许一负载阻隔处理室或一处理室耦接至该处。传送处理室13也包含支撑于主体19上的一顶部23。一盖件25被提供以密封传本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种传送处理室，该传送处理室至少包含：具有侧墙的一主体，适于耦接至至少一处理室与至少一负载阻隔处理室，并容纳一机械人手臂的至少一部份，所述机械人手臂适于在所述至少一处理室与所述至少一负载阻隔处理室间，加以传送一衬底；一盖件， 适于耦接至所述传送处理室的所述主体的一顶部部分，并密封所述顶部部分；及一半球形底部，适于耦接至所述传送处理室的所述主体的一底部部分，并密封所述底部部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2002-6-21 60/390,629;US 2002-6-28 60/392,5781.一种传送处理室，该传送处理室至少包含具有侧墙的一主体，适于耦接至至少一处理室与至少一负载阻隔处理室，并容纳一机械人手臂的至少一部份，所述机械人手臂适于在所述至少一处理室与所述至少一负载阻隔处理室间，加以传送一衬底；一盖件，适于耦接至所述传送处理室的所述主体的一顶部部分，并密封所述顶部部分；及一半球形底部，适于耦接至所述传送处理室的所述主体的一底部部分，并密封所述底部部分。2.如权利要求1所述的传送处理室，其中所述主体至少包含一圆柱形内墙与具有多个平面区域的一外墙，每一所述多个平面区域，适于耦接至一负载阻隔处理室与一处理室的至少一者。3.如权利要求2所述的传送处理室，其中所述主体是以一单一片材料加以制成。4.如权利要求3所述的传送处理室，其中所述主体至少包含铝材料。5.如权利要求4所述的传送处理室，其中所述主体的所述侧墙具有约2英寸的最小厚度。6.如权利要求1所述的传送处理室，其中所述盖件实质呈平面。7.如权利要求1所述的传送处理室，其中所述盖件为半球形。8.如权利要求1所述的传送处理室，其中所述半球形底部是以一单一片材料加以制成。9.如权利要求8所述的传送处理室，其中所述半球形底部至少包含不锈钢材料。10.如权利要求9所述的传送处理室，其中所述半球形底部具有约0.625英寸的最小厚度。11.如权利要求1所述的传送处理室，其中所述半球形底部具有一凹形构形，以致所述盖件与所述半球形底部的一中央部分间的垂直距离，大于所述盖件与所述半球形底部的一外缘间的垂直距离。12.一种真空处理系统，该系统至少包含一传送处理室，所述传送处理室至少包含具有侧墙的一主体，适于耦接至至少一处理室与至少一负载阻隔处理室，并容纳一机械人手臂的至少一部份，所述机械人手臂适于在所述至少一处理室与所述至少一负载阻隔处理室间，加以传送一衬底；一盖件，适于耦接至所述传送处理室的所述主体的一顶部部分，并密封所述顶部部分；一半球形底部，适于耦接至所述传送处理室的所述主体的一底部部分，并密封所述底部部分；至少一处理室，耦接至所述传送处理室的所述主体；至少一负载阻隔处理室，耦接至所述传送处理室的所述主体；及一机械人手臂，至少部分地延伸通过所述半球形底部并进入所述传送处理室，所述机械人手臂适于在所述至少一处理室与所述至少一负载阻隔处理室间，经由所述传送处理室，加以传送一衬底。13.如权利要求12所述的系统，其中所述主体至少包含一圆柱形内墙与具有多个平面区域的一外墙，每一所述多个平面区域，适于耦接至一负载阻隔处理室与一处理室的至少一者。14.如权利要求13所述的系统，其中所述传送处理室的所述主体是以一单一片材料加以制成。15.如权利要求14所述的系统，其中所述传送处理室的所述主体至少包含铝材料。16.如权利要求15所述的系统，其中所述传送处理室的所述主体的所述侧墙具有约2英寸的最小厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗田真一，伊曼纽尔比尔，阮亨T，温德尔T布隆尼格，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]