【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种能够自清洁的真空处理腔室，其中，所述真空处理腔室包括一腔体，基片放置于腔体之中进行制程，其特征在于，所述腔体内部区域上设置有二氧化钛涂层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张力，贺小明，李俊良，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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