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本发明提供了一种自清洁真空处理腔室，其中，所述真空处理腔室包括一腔体，基片放置于腔体之中进行制程，所述腔体内部区域上设置有二氧化钛涂层。其中，所述二氧化钛涂层用于对腔体内部产生的聚合物污染层进行去除。本发明提供的真空处理腔室及其自清洁方法能...
该专利属于中微半导体设备（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）有限公司授权不得商用。

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