制造闪存器件的方法技术

一种用于制造闪存器件的方法，以通过在制造过程所允许的最小线宽内形成控制栅而减小单元尺寸，并且即使在单元尺寸减小的情况下仍有效地获得工作特性，其包括的步骤是：通过在半导体衬底的ＯＮＯ层上堆叠用于栅的材料层和盖绝缘层并且首次蚀刻所述堆叠的层而形成具有最小线宽的（Ａ）的栅图案层；在所述半导体衬底的整个衬底上形成用于平面化的绝缘层，并且去除所述盖绝缘层，以限定选择栅形成区；在所述选择栅形成区中形成侧壁形状的掩模图案层，并且通过使用所述掩模图案层来再次蚀刻所述栅图案层，以形成控制栅；以及在所述选择栅形成区中形成与控制栅隔离的选择栅，并且在所述选择栅的两侧的所述半导体衬底的表面中形成源和漏结区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体存储器件，并且更具体地涉及一种方法，用于制造闪存器件，以通过在制造过程所允许的最小线宽内形成控制栅来减小单元尺寸。
技术介绍
近来，一种SONOS(多晶硅-氧化物-氮化物-氧化物-半导体)的非易失性存储器件具有很大的吸引力，原因在于其有可能克服其他非易失性存储器件的不利特性。在SONOS的非易失性存储器件的情况下，顶部氧化物层充当势垒(potential barrier)，以通过栅存取电荷。另外，所述顶部氧化物层产生新的大密度的存储陷阱(memory trap)到具有氮化物层的界面。因此，在维持存储窗尺寸的情况下，有可能获得薄的栅绝缘层，特别地，薄的氮化物层，从而获得高效的非易失性存储器件，其具有用于记录和擦除的低的可编程电压以及低功耗。下文中，将参考附图描述相关技术的SONOS型闪存器件。图1是示出相关技术SONOS型闪存器件的横截面图。图2是示出相关技术的双MONOS闪存器件的TEM照片。通常使用的闪存器件大多被分类为堆叠栅闪单元器件(gate flash cell device)，其具有控制栅以及浮置栅的堆叠结构，以及SONOS闪单元器件，其中单个栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造闪存器件的方法，包括：通过在半导体衬底的ＯＮＯ层上堆叠用于栅的材料层和盖绝缘层并且首次蚀刻所述堆叠的层而形成具有最小线宽（Ａ）的栅图案层；在所述半导体衬底的整个衬底上形成用于平面化的绝缘层，并且去除所述盖绝缘层， 以限定选择栅形成区；在所述选择栅形成区中形成侧壁形状的掩模图案层，并且通过使用所述掩模图案层来再次蚀刻所述栅图案层，以形成控制栅；以及在所述选择栅形成区中形成与控制栅隔离的选择栅，并且在所述选择栅的两侧的所述半导体衬底的表面 中形成源和漏结区。

【技术特征摘要】
KR 2004-4-30 10-2004-00306481.一种用于制造闪存器件的方法，包括通过在半导体衬底的ONO层上堆叠用于栅的材料层和盖绝缘层并且首次蚀刻所述堆叠的层而形成具有最小线宽(A)的栅图案层；在所述半导体衬底的整个衬底上形成用于平面化的绝缘层，并且去除所述盖绝缘层，以限定选择栅形成区；在所述选择栅形成区中形成侧壁形状的掩模图案层，并且通过使用所述掩模图案层来再次蚀刻所述栅图案层，以形成控制栅；以及在所述选择栅形成区中形成与控制栅隔离的选择栅，并且在所述选择栅的两侧的所述半导体衬底的表面中形成源和漏结区。2.如权利要求1所述的方法，其中所述盖绝缘层是通过堆叠氧化物层和氮化物层而形成的，所述氮化物层在限定所述选择栅形成区的过程中被去除，而所述氧化物层剩余。3.如权利要求1所述的方法，其中在形成用于平面化的绝缘层之前，暴露的用于栅的材料层的侧部分被氧化，并且充当蚀刻阻挡层的氮化物层被形成在所述半导体衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：李相范，
申请(专利权)人：东部亚南半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]