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一种用于制造闪存器件的方法，以通过在制造过程所允许的最小线宽内形成控制栅而减小单元尺寸，并且即使在单元尺寸减小的情况下仍有效地获得工作特性，其包括的步骤是：通过在半导体衬底的ＯＮＯ层上堆叠用于栅的材料层和盖绝缘层并且首次蚀刻所述堆叠的层而形...
该专利属于东部亚南半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东部亚南半导体株式会社授权不得商用。

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