集成互连装置制造方法及图纸

本案提出了一具有多个互连（ＬＢ１至ＬＢ３）的集成互连装置（１２），所述多个互连在两交叉部分（２０，２４）中彼此交叉。藉由该集成互连装置的作用便可在三互连中获得一均匀电流，即使是在高频率状态下。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术与一集成互连装置有关。该互连装置连接如一集成互连装置的零件，或其本身系为一集成零件之构成部分。
技术介绍
来自一集成装置的个别零件，物理上彼此之间不能分离而不破坏该零件。该集成电路装置的三种主要型态系-单块电路装置，其中零件亦配置于适用为一媒介之半导体中。-层状或薄膜电路，其中薄膜系用在一绝缘媒介之上。在薄薄膜与厚薄膜电路中系有区别的。-混合电路，其系上述电路型态的结合。层状应用方法与层状结构方法尤其系被使用在集合装置之制程技术之中。层状应用方法的范例如-厚薄膜技术情况之中的屏幕印刷，或-单块电路装置与薄薄膜电路情况之中的喷溅、化学气相沉积法(CVD)，或物理气相沉积法(PVD)。层状结构方法的范例如-平板印刷方法，或-蚀刻方法。一互连装置的互连对直流电路而言，具有小于每公分10-4欧姆之电力阻抗。该互连通常以铝、铝合金、铜或铜合金而制程。这些材料确保该互连可产生最少可能的欧姆损失，涡电流损失与其它功率损失。本专利技术的一目标，系具体指明一简单的结构集成互连装置，其特别在高频率的电压或电流情况中，具有低功率损失。此外，该目的亦指明相关的使用。关于该互连装置的目标，系可藉由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一集成互连装置（１２，１１２），至少具有平行电连接的三互连（ＬＢ１至ＬＢ３），具有配置于该互连（ＬＢ１至ＬＢ３）之间的一电力绝缘材料（５２），并至少具有两交叉部分（２０，２４），其配置在该互连装置（１２）纵轴上之不同位置，该 互连装置（１２）的互连（ＬＢ１至ＬＢ３）在该交叉部分彼此交叉。

【技术特征摘要】
DE 2002-5-8 10220653.81.一集成互连装置(12，112)，至少具有平行电连接的三互连(LB1至LB3)，具有配置于该互连(LB1至LB3)之间的一电力绝缘材料(52)，并至少具有两交叉部分(20，24)，其配置在该互连装置(12)纵轴上之不同位置，该互连装置(12)的互连(LB1至LB3)在该交叉部分彼此交叉。2.如权利要求1之互连装置(12，112)，其中该互连(LB1至LB2)乃位于一对于该交叉部分(20，24)外部的互连装置(12)的纵方向(34)而言为横向的一平面上。3.如权利要求1或2之互连装置(12，112)，其中该互连(LB1至LB3)乃配置于在相邻交叉部分(20，24)之间的一金属化层(50)。4.如权利要求3之互连装置(12，112)，其中，在一交叉部分(20)，一互连(LB1)乃以对于其它互连(LB2，LB3)而言为横向的方式配置，且/或其中该横向配置的互连(LB1)且/或该其它互连(LB2，LB3)乃配置在另一金属化层(54)中。5.如权利要求4之互连装置(12，112)，其中该其它互连(LB2，LB3)乃在该交叉部位(20)上以一个不同于该交叉部分(20)外部的方向而配置。6.如上述权利要求之任一的互连装置(12，112)，其中互连(LBa至LBc)乃配置在该交叉部分(120，124)外部的不同金属化层(202，206，210)之中。7.如权利要求6之互连装置(12，112)，其中，于一交叉部分(120)，一互连(LBa)乃以对于该其它互连(LBb，LBc)而言为横向的方式配置于一接触洞(220)中，而其中该接触洞较佳地是尽可能引导至一另外的金属化层(214)中。8.如权利要求7的互连装置(12，11...

【专利技术属性】
技术研发人员：R斯特拉斯塞，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]