发光二极管的封装方法和封装结构技术

一种发光二极管的封装方法和封装结构，所述封装方法用以增加二极管整体发光效率，及避免二极管经封装结构而漏光。将一发光二极管芯片焊在一基板上，使得发光二极管芯片形成导电回路。覆盖封装材料于发光二极管芯片上，形成一模塑构件。形成一反射机构层于模塑构件上，接着形成一保护层于反射机构层上。切开封装结构的反射机构层及保护层，形成一光源输出面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管的封装方法和封装结构，具体地洗，涉及一种形成反射机构的发光二极管的封装方法和封装结构。
技术介绍
近年来，因为发光二极管制造技术的快速进步，使得发光二极管的发光效率增加。因此，发光二极管开始在照明领域上应用，例如以发光二极管制造的手电筒或发光二极管的汽车头灯。现有的发光二极管封装方式，为了要让发光二极管所产生的光可以较有效率的集中到特定方向，将发光二极管的芯片焊在具有凹陷的基座内。因为基座以不透光材料制成，可以将发光二极管所产生的光导向特定方向。然而，上述的反射基座虽然以不透光材料制成，因为凹陷部侧壁的反射率不足，使得发光二极管所射出的光，容易从侧壁泄漏。为了使发光二极管组件整体的发光效率增加，发光二极管光电组件的制造商莫不极力的寻求解决方式，以克服凹陷部侧壁反射率不足和侧壁泄光的问题。
技术实现思路
因此本专利技术的目的就是，提供一种形成反射机构的发光二极管的封装方法和封装结构，用以增加发光二极管封装后的发光效率及缩减封装后的体积。根据本专利技术的上述目的，提出一种发光二极管的封装方法。此方法应用来增加二极管整体发光效率，避免二极管经封装结构漏光。将一发光二极管芯片焊在一基板上，使得发光二极管芯片形成导电回路。利用压模、灌胶或粘着的方式，覆盖封装材料于发光二极管芯片上，形成一模塑构件。利用电镀、溅镀、涂布或化学沉积的方式，形成一反射机构层于模塑构件上，接着形成一保护层于反射机构层上。切开反射机构层及保护层，形成一光源输出面。利用侵蚀、蚀刻、磨刷、涂布或化学处理的方式为光源输出面作平滑处理，使透光率增加。由上述可知，应用本专利技术的发光二极管的封装方法，反射机构较现有的环氧树脂、玻璃纤维、氧化钛、氧化钙、液晶高分子或陶瓷等材质反光效果较佳。而且，应用本专利技术的封装结构，可以缩减发光二极管封装后的体积。附图说明为让本专利技术的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下图1A-1E为依照本专利技术一较佳实施例的一种发光二极管封装方法的流程示意图；以及图2为依照本专利技术一较佳实施例的一种发光二极管封装剖片示意图。图中标号说明100基板102a、102b导电层104导电层106a、106b发光二极管芯片108a、108b导线110模塑结构112反射机构层111粘着层114保护层116切割线118发射光方向120焊锡122载板具体实施方式为了使二极管发光组件的整体发光效率更好，本专利技术提出一种形成反射机构的封装方法。通过在封装材料外，形成一反射机构层，并切开部分反射机构层，以形成一光源输出面。以下将通过实施例来说明本专利技术的封装方法。请参照图1A-1E，其绘示依照本专利技术一较佳实施例的一种发光二极管封装方法的流程示意图。图1A中显示，两个发光二极管芯片106a、106b固定于一基板100上。基板100上已镀上导电层102a、102b于两端。发光二极管芯片106a、106b分别以电极部分与导电层102a、102b连接，并利用导线108a、108b与导电层104连接。上述基座100材质可以是环氧树脂、玻璃纤维、氧化钛、氧化钙、液晶高分子、陶瓷或以上材质的任意组合。在图1B中，在基板100及固定于其上的发光二极管芯片106a、106b，覆盖封装材料形成一模塑结构110。模塑构件100是以压模、灌胶或粘着的方式覆盖环氧树脂、压克力或硅胶在基板100上所形成。图1C中显示，反射机构层112形成于模塑构件110外。使用的方式包含电镀、溅镀、涂布及化学沉积。反射机构层112的材质可以是金属、塑料或矿物。为了增加反射机构层112与模塑构件110的接合强度，可以在形成反射机构层112前，先形成粘着层111。然而，此粘着层111可应需求选择是否加上，是一非必需的结构。在图1D中，在反射机构层112上可再加上保护层114，以防止反射机构层112磨耗。此保护层114的材质可以是金属、塑料或矿物。在图1E中，藉由切割、蚀刻或磨刷方式，从切割线116依续切开保护层114、反射机构层112、粘着层111及模塑构件110，形成一光源输出面。此光源输出面可以利用侵蚀、蚀刻、磨刷、涂布或化学处理方式为光源输出面作平滑处理，使透光率增加。参照图2，其为依照本专利技术一较佳实施例的一种发光二极管封装剖片示意图。封装完成的发光二极管，藉由焊锡120固定在载板122上。发光二极管芯片106b经由光源输出面延方向118发射光源。上述较佳实施例，虽然以切开两个二极管芯片方式，实施本专利技术。然而，本专利技术并不限定3或4二极管芯片一起封装，再切割的方式，或以一个二极管芯片封装，再切切开模塑构件表面所覆盖的保护层及反射机构层的实施方式。由上述本专利技术较佳实施例可知，应用本专利技术的发光二极管封装方法，反射机构较现有的环氧树脂、玻璃纤维、氧化钛、氧化钙、液晶高分子或陶瓷等材质反光效果较佳。而且，应用本专利技术的封装结构，可以缩减发光二极管封装后的体积。虽然本专利技术已以一较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本专利技术，任何熟习此技艺者，在不脱离本专利技术的精神和范围内，可作各种更动与润饰，因此本专利技术的保护范围当视权利要求所限定的保护范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的封装方法，包含以下步骤：将一发光二极管芯片焊在一基板上，使得该发光二极管芯片形成导电回路；覆盖封装材料于该发光二极管芯片上；形成一反射机构层于该封装材料上；形成一保护层于该反射机构层上；以及　 　切开该反射机构层及该保护层，形成一光源输出面。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的封装方法，包含以下步骤将一发光二极管芯片焊在一基板上，使得该发光二极管芯片形成导电回路；覆盖封装材料于该发光二极管芯片上；形成一反射机构层于该封装材料上；形成一保护层于该反射机构层上；以及切开该反射机构层及该保护层，形成一光源输出面。2.如权利要求1所述的发光二极管的封装方法，其特征在于，还包含利用侵蚀、蚀刻、磨刷、涂布或化学处理的方式为该光源输出面作平滑处理。3.如权利要求1所述的发光二极管的封装方法，其特征在于，以压模、灌胶或粘着的方式覆盖该封装材料于该发光二极管芯片上。4.如权利要求1所述的发光二极管的封装方法，其特征在于，以电镀、溅镀、涂布或化学沉积的方式形成该反射机构层于该封装材料上。5.如权利要求1所述的发光二极管的封装方法，其特征在于，该反射机构层为一金属层。6.如如权利要求1所述的发光二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙国城，
申请(专利权)人：亿光电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]