一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构制造技术

本发明专利技术涉及一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构，其包括一绝缘体，其具有上表面、下表面与侧边；至少一导体，其具有上表面、下表面与侧边，所述导体被所述绝缘体包覆，并将所述导体侧边至少一部分埋在所述绝缘体内，且所述导体有一部分裸露在所述绝缘体外部供电性连接用。本发明专利技术将半导体构装结构中电路板或导脚支架（Ｌｅａｄ　　ｆｒａｍｅ）的电源接点取出，移至一载板或晶片上，除保留了半导体构装结构的功能，还可减少设计上的限制，并可缩短晶片与电性接点间的距离，减少导电线的用量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构，特别是指一种可缩短导电线材料的构造。
技术介绍
如图22A、22B所示，为习式半导体封装结构的俯视图(图22A)及剖视图(图22B)，其包括一电路板30，其第一表面31具有一容置区域80，二正极电源接点91、二负极电源接点92环设于容置区域80周缘供电性连接用，多个电性接点70环设于电源接点91、92外缘，其中，二正极电源接点91的电压值不同。一晶片20设置于电路板30容置区域80内，多条导电线60，将晶片20分别与正、负电源接点91、92及电性接点70电性连接，其中，环状的电源接点同时连接多条导电线60至晶片20。一封装体40，包覆晶片20、导电线60、电源接点91、92及电性接点70。电路板30还具有一第二表面32，且第二表面32上设有多个供电性连接用的导电球50。在上述习用半导体封装结构中，因电性接点70环设于正、负极电源接点91、92的外缘，使导电线60的长度A必须跨越正、负极电源接点的宽度D、E，而无法有效缩短其长度，致导电线60的用量增加。由于导电线60通常是用昂贵的黄金制成，便使得制造成本增加。另外，由于电路板30第一表面31上设有正、负极电源接点91、92，使电路板30第一表面31上可供设置电性接点70的数量减少，使得习用半导体封装结构的功能也受到限制。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构，其可降低半导体构装结构的设计限制，并了减少导电线的用量。为实现上述目的，本专利技术所提供的一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构，其包括一绝缘体，其具有上表面、下表面与侧边；至少一导体，其具有上表面、下表面与侧边，所述导体被所述绝缘体包覆，并将所述导体侧边至少一部份埋在所述绝缘体内，且所述导体有一部份裸露在所述绝缘体外部供电性连接用。本专利技术还提供了另一种结构，其包括一绝缘体；至少一导体，其具有一第一部份、第二部份、第三部份且所述导体呈阶梯状，所述导体与所述绝缘体接合，并裸露在所述绝缘体外部供电性连接用。本专利技术提供的第三种结构，其包括一绝缘体，其具有上表面、下表面与侧边；至少二导体，所述二导体分别具有上表面、下表面与侧边，所述二导体的下表面分别与绝缘体接合，所述二导体裸露在所述绝缘体外部供电性连接用，且其中一所述导体上表面比另一所述导体上表面凸出一高度。本专利技术还提供了一种半导体构装结构，其包括一基础件，其具有多个电性接点及一晶片容置区域，所述各电性接点位于所述晶片容置区域外缘；一晶片，其设置于所述晶片容置区域，其作用面具有多个电性接点及至少一电源接点供电性连接用，其中所述晶片电源接点至少一部份设置在所述晶片电性接点与所述晶片作用面外缘二者之间，且所述晶片电源接点必须与多条导电线电性连接；多条导电线，分别将所述晶片的电性接点、所述晶片的电源接点、所述基础件的电性接点电性连接；一封装体，其包覆所述晶片、基础件及导电线。由于采用了以上技术方案，本专利技术将半导体构装结构中电路板或导脚支架(Lead frame)的电源接点取出，移至一载板或晶片上，除保留了半导体构装结构的功能，还减少了设计上的限制，提高载板的实用性。并可缩短晶片与电性接点间的距离，减少导电线的用量。拉大了导电线间的间隙，防止导电线间电性短路的现象。使各导体与封装体接合得更牢固，不易产生封装体与载板剥离的问题，提高半导体构装结构的品质。并进一步提高了载板的散热效率。附图说明图1A～1F是本专利技术第一、二类载板的剖视图；图1Ga是本专利技术第一、二类载板的俯视图；图1Gb是沿图1GA中A—A剖线的剖视图；图1H是本专利技术第一、二类载板的剖视图；图1Ia是本专利技术第一、二类载板的俯视图；图1Ib是图1IA的剖视图；图1Ja是本专利技术第三类载板的俯视图；图1Jb是图1Ja的剖视图；图1Ka是本专利技术第三类载板的俯视图；图1Kb是图1Ka的剖视图；图1L是本专利技术第三类载板的剖视图；图1Ma是本专利技术第四类载板的俯视图；图1Mb是图1Ma的剖视图； 图1N～1T是本专利技术第四类载板的剖视图；图2A是应用本专利技术第一、二类载板制成的半导体构装结构第一实施例的俯视图；图2B是图2A的剖视图；图3是应用本专利技术第一、二类载板的半导体构装结构第二实施例的剖视图；图4是应用本专利技术第一、二类载板的半导体构装结构第三实施例的剖视图；图5是应用本专利技术第一、二类载板的半导体构装结构第四实施例的剖视图；图6是应用本专利技术第一、二类载板的半导体构装结构第五实施例的剖视图；图7是应用本专利技术第一、二类载板的半导体构装结构第六实施例的剖视图；图8是应用本专利技术第一、二类载板的半导体构装结构第七实施例的剖视图；图9是应用本专利技术第一、二类载板的半导体构装结构第八实施例的剖视图；图10是应用本专利技术第一、二类载板的半导体构装结构第九实施例的剖视图；图11是应用本专利技术第一、二类载板的半导体构装结构第十实施例的剖视图；图12是应用本专利技术第一、二类载板的半导体构装结构第十一实施例的剖视图；图13是应用本专利技术第一、二类载板的半导体构装结构第十二实施例的剖视图；图14是应用本专利技术第一、二类载板的半导体构装结构第十三实施例的剖视图；图15是应用本专利技术第三、四类载板的半导体构装结构第十四实施例的剖视图；图16是应用本专利技术第三、四类载板的半导体构装结构第十五实施例的剖视图；图17是应用本专利技术第三、四类载板的半导体构装结构第十六实施例的剖视图；图18是应用本专利技术第一、二类载板的半导体构装结构第十七实施例的剖视图；图19A是应用本专利技术第五类载板的半导体构装结构第十八实施例的俯视图；图19B是图19A的剖视图；图20是应用本专利技术第五类载板的半导体构装结构第十九实施例的剖视图；图21是应用本专利技术第五类载板的半导体构装结构第二十实施例的剖视图；图22A是习用半导体构装结构的俯视图；图22B是图22A的剖视图。具体实施例方式本专利技术所提供的第一类载板10由绝缘体及导体组成，现根据附图详述其结构及功能，说明如下如图1A所示，载板10包括一绝缘体16，绝缘体16具有一上表面161、下表面162与侧边13。一导体17，其具有一上表面11、下表面12与侧边90，导体17被绝缘体16包覆(含其侧边90与下表面12)，使得导体17被埋在绝缘体16内，并使其上表面11裸露在绝缘体16(上表面161)外部供电性连接用，其中导体17可按照需求实施为供传递正极电源用的正极电源接点(参阅图1E的图号“91”)、供传递负极电源用的负极电源接点(参阅图1E的图号“92”)，电性接点则供传递讯号(signal)用或实施为散热路径。如图1B所示，载板10包括一绝缘体16，一导体17，导体17被绝缘体16包覆，埋在绝缘体16内，且导体17具有凹部171，使导体17至少具有一上表面11及一下表面12，凹部171使导体17被绝缘体16包覆得更牢固，其上表面11及下表面12均分别裸露于绝缘体16上、下表面161、162，供电性连接用。如图1C所示，载板10包括一绝缘体16，二导体17、17a，其中导体17a具有凹部171a，导体17、17a均被绝缘体16包覆，埋在绝缘体16内，且导体17、17a上表面11、11a凸出于绝缘体16上表面16本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构，其特征在于包括：一绝缘体，其具有上表面、下表面与侧边；至少一导体，其具有上表面、下表面与侧边，所述导体被所述绝缘体包覆，并将所述导体侧边至少一部份埋在所述绝缘体内，且所 述导体有一部份裸露在所述绝缘体外部供电性连接用。

【技术特征摘要】
CN 2004-9-28 20041008024561.一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构，其特征在于包括一绝缘体，其具有上表面、下表面与侧边；至少一导体，其具有上表面、下表面与侧边，所述导体被所述绝缘体包覆，并将所述导体侧边至少一部份埋在所述绝缘体内，且所述导体有一部份裸露在所述绝缘体外部供电性连接用。2.一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构，其特征在于包括一绝缘体；至少一导体，其具有一第一部份、第二部份、第三部份且所述导体呈阶梯状，所述导体与所述绝缘体接合，并裸露在所述绝缘体外部供电性连接用。3.一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构，其特征在于包括一绝缘体，其具有上表面、下表面与侧边；至少二导体，所述二导体分别具有上表面、下表面与侧边，所述二导体的下表面分别与绝缘体接合，所述二导体裸露在所述绝缘体外部供电性连接用，且其中一所述导体上表面比另一所述导体上表面凸出一高度。4.一种半导体构装结构，其特征在于包括一基础件，其具有多个电性接点及一晶片容置区域，所述各电性接点位于所述晶片容置区域外缘；一晶片，其设置于所述晶片容置区域，其作用面具有多个电性接点及至少一电源接点供电性连接用，其中所述晶片电源接点至少一部份设置在所述晶片电性接点与所述晶片作用面外缘二者之间，且所述晶片电源接点必须与多条导电线电性连接；多条导电线，分别将所述晶片的电性接点、所述晶片的电源接点、所述基础件的电性接点电性连接；一封装体，其包覆所述晶片、基础件及导电线。5.如权利要求1、2或3所述的一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构，其特征在于所述载板绝缘体内具有组件。6.如权利要求5所述的一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构，其特征在于所述载板绝缘体内的组件为电子组件或散热件。7.如权利要求1、2或3所述的一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构，其特征在于所述载板具有贯穿容置区域。8.如权利要求1、2或3所述的一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构，其特征在于所述载板具有凹部，使所述载板呈凸出状或凹陷状。9.如权利要求1、2或3所述的一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构，其特征在于所述载板的导体为正极电源接点或负极电源接点。10.如权利要求1所述的一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构，其特征在于所述载板导体的一部份凸出于所述绝缘体表面一高度。11.如权利要求1所述的一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构，其特征在于所述载板导体具有第一、二、三部份，且所述导体呈至少一阶梯状。12.如权利要求1所述的一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构，其特征在于所述载板导体具有第一、二、三部份，且所述导体呈阶梯状，所述导体第二部份上表面被绝缘体包覆，所述导体在绝缘体表面形成不连接的外观。13.如权利要求1所述的一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构，其特征在于所述载板导体的一上表面裸露在所述绝缘体外部，且所述导体上表面水平面低于所述绝缘体上表面水平面。14.如权利要求1所述的一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构，其特征在于所述载板的导体下表面裸露在所述绝缘体外部。15.如权利要求1所述的一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构，其特征在于所述载板导体具有延伸部。16.如权利要求1、2或3所述的一种与半导体构装结构的晶片结合以供电性连接用的载板结构，所述载板设置于半导体构装结构，其特征在于所述半导体构装结构包括有一基础件，其具有多个电性接点、一晶片容置区域，所述各电性接点位...

【专利技术属性】
技术研发人员：王忠诚，
申请(专利权)人：王忠诚，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]