沟槽型MOSFET及其制造方法技术

本发明专利技术揭示一种沟槽型ＭＯＳＦＥＴ，在依次将Ｐ型的高掺杂漏极部即基板、Ｐ型的低掺杂漏极部即外延层、Ｎ型的本体部、以及Ｐ型的源极扩散部相邻形成的半导体基板上，形成沟槽部。再在与沟槽部绝缘的状态下，形成源极扩散部以覆盖沟槽部，从而能降低沟槽型ＭＯＳＦＥＴ的导通（ＯＮ）电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的结构及其制造方法，特别涉及对于应用在DC-DC转换器、或高侧面装载驱动(high-side load drive)那样电源装置有用的沟槽(trench)型MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)及其制造方法。
技术介绍
现有的垂直形的沟槽型MOSFET(以后简称为沟槽部MOS)，因其具有结构上的高效，以及导通(ON)电阻特性低之优点，而作为电源控制用电子器件被广泛应用。图8(a)～(f)为表示现有典型的N沟道·沟槽型MOSFET的制造工序的剖视图(例如，Krishna Shenai著，‘Optimitzed Trench MOSFET Technologies forPower Devices’，IEEE Transactions on Electron Devices，vol，39，no，6，p1435-1443，June 1992年)。这里，可以列举(a)击穿电压(以后简称为‘BVdss’)、以及(b)导通(ON)电阻(以后简称为‘Ron’)作为沟槽型MOSFET的两个关键参数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟槽型ＭＯＳＦＥＴ，其特征在于，在将第１导电型的高掺杂漏极部、第１导电型的低掺杂漏极部、第２导电型的沟道本体部、以及第１导电型的源极部依次相邻形成的半导体基板上，设置了沟槽部，所述沟槽部被所述源极部覆盖，而且沟槽部和源极部绝缘。

【技术特征摘要】
JP 2004-10-29 2004-3168981.一种沟槽型MOSFET，其特征在于，在将第1导电型的高掺杂漏极部、第1导电型的低掺杂漏极部、第2导电型的沟道本体部、以及第1导电型的源极部依次相邻形成的半导体基板上，设置了沟槽部，所述沟槽部被所述源极部覆盖，而且沟槽部和源极部绝缘。2.如权利要求1所述的沟槽型MOSFET，其特征在于，所述沟槽部贯穿所述沟道本体部、以及所述低掺杂漏极部，直至所述高掺杂漏极部，在围住所述沟道本体部的部分上设置控制沟道导电用的栅极电极，在围住所述低掺杂漏极部的部分上设置绝缘体部。3.如权利要求2所述的沟槽型MOSFET，其特征在于，从所述栅极电极底部至所述半导体基板表面间的距离，与从所述高掺杂漏极部和所述低掺杂漏极部间边界面至所述半导体基板表面间的距离实质上相等。4.如权利要求1所述的沟槽型MOSFET，其特征在于，所述沟槽部贯穿所述高掺杂漏极部、以及所述低掺杂漏极部，直至所述沟道本体部，在围住所述高掺杂漏极部的部分上设置控制沟道导电用的上部栅极电极，在围住所述低掺杂漏极部的部分上设置和所述上部栅极电极电气分开的下部电极。5.如权利要求4所述的沟槽型MOSFET，其特征在于，电气驱动所述下部电极的放大器输出，与向上部栅极电极提供的电压相关。6.如权利要求1所述的沟槽型MOSFET，其特征在于，在所述沟槽部的垂直壁上形成栅极感应沟道。7.如权利要求1所述的沟槽型MOSFET，其特征在于，利用所述沟道本体部深度和所述源极部的结合深度之差，决定沟道长度。8.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：AO阿丹，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]