具有电路保护装置的发光元件制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种具有电路保护装置的发光元件，包含一电路保护装置，该电路保护装置包含一低电阻层，一势垒层，该低电阻层与该势垒层界面之间存在一障壁潜能，该电路保护装置分别与该发光元件电连接，当产生静电或过大顺向过电流等伤害发光元件的情形发生时，该电路保护装置便产生一整流的功能，以避免因静电或过大顺向过电流对发光元件造成的任何伤害。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种发光元件，尤其关于一种电路保护装置的发光元件。
技术介绍
发光元件的应用颇为广泛，例如，可应用于光学显示装置、激光二极管、交通标志、数据储存装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置。在此技艺中，目前技术人员重要课题之一为如何避免静电对发光元件造成的破坏，使得发光元件的良率提高。如图1所示，传统的发光元件为了避免因静电对发光元件造成的破坏，在发光元件封装时，反向并联一个电路保护元件如齐纳二极管(Zener Diode)，使得环境造成的静电放电能藉由该齐纳二极管导出，避免对发光元件造成破坏，但是此种防静电破坏的构造是于发光元件管芯封装工艺中附加上去，而由于在发光元件前段的管芯工艺中并无防静电破坏的装置，因此无法有效避免管芯遭静电破坏，另外也使得发光元件封装工艺复杂化，使得成本相对提高。于美国专利公开第2002/0179914号中，揭露一种具有防止静电放电破坏的发光二极管，如图2所示，其利用一具有硅掺杂的分流二极管，与一发光二极管结合，当环境产生静电放电时，电流将由该具有硅掺杂的分流二极管导出，避免电流通过发光二极管造成破坏。然而该专利技术是将切割后的管芯与分流二极管键本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有电路保护装置的发光元件，包含：　　　　一发光叠层，包括一第一表面及一第二表面；以及　　　　一电路保护装置，包括一第一低电阻层，一第一势垒层，该第一低电阻层与该第一势垒层间的界面存在一障壁潜能，该电路保护装置分别与该第一表面及该第二表面电连接，产生整流的功能。

【技术特征摘要】
1.一种具有电路保护装置的发光元件，包含一发光叠层，包括一第一表面及一第二表面；以及一电路保护装置，包括一第一低电阻层，一第一势垒层，该第一低电阻层与该第一势垒层间的界面存在一障壁潜能，该电路保护装置分别与该第一表面及该第二表面电连接，产生整流的功能。2.如权利要求1所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该第一表面及该第二表面位于该发光叠层的同一侧。3.如权利要求2所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该第一表面及第二表面位于发光叠层的不同侧。4.如权利要求1所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该发光叠层包含一第一叠层，包含该第二表面；一发光层，形成于该第一叠层上；及一第二叠层，形成于该发光层上，包含该第一表面。5.如权利要求4所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该第一叠层包含至少一种材料选自AlInP、GaN、AlGaN、及InGaN所构成的材料群组或其他替代性材料。6.如权利要求4所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该发光层包含至少一种材料选自AlGaInP、GaN、InGaN、及AlInGaN所构成的材料群组或其他替代性材料。7.如权利要求4所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该第二叠层包含至少一种材料选自AlInP、GaN、AlGaN、及InGaN所构成的材料群组或其他替代性材料。8.如权利要求4所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该第一低电阻层包含至少一种材料选自Ni/Au、NiO/Au、TiWN、透光金属层、氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌、及氧化锌锡所构成的材料群组或其他替代性材料。9.如权利要求1所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该第一势垒层包含至少一种材料选自TiO2、SrTiO3、FeTiO3、MnTiO3、BaTiO3、ZrO2、Nb2O5、KTaO3、WO3、ZnO、SnO2、GaP、Si、SiC、CdSe、及CdS所构成的材料群组或其他替代性材料。10.如权利要求1所述的具有电路保护装置的发光元件，该第一低电阻层及该第一势垒层间的界面为肖特基界面或p-n界面。11.如权利要求1所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该第一势垒层的电性为p型或n型。12.如权利要求11所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该第一势垒层中掺杂一种材料选自Mg、Zn、Be、及Cr所构成的材料群组。13.如权利要求11所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该第一势垒层中掺杂一种材料选自Si、Ge、Sn、Te、O、S、及C所构成的材料群组。14.如权利要求1所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该第一表面上包含一第一接触区，该电路保护装置的第一低电阻层形成于该接触区上。15.如权利要求14所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该第一低电阻层包含一第二接触区及一第三接触区，该第一势垒层形成于该第二接触区上。16.如权利要求15所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该第二表面包含一第四接触区，于该第四接触区之上还包含一第二低电阻层，该第二低电阻层包含一第五接触区及一第六接触区，形成于该第五接触区上的一第二势垒层。17.如权利要求16所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该第一低电阻层与该第一势垒层间的界面为一肖特基界面或p-n界面，该第二低电阻层与该第二势垒层间的界面为一肖特基界面或p-n界面。18.如权利要求17所述的具有电路保护装置的发光元件，其中于该第一低电阻层的第三接触区上还包含一第一电极。19.如权利要求18所述的具有电路保护装置的发光元件，其中于该第二低电阻层的第六接触区上还包含一第二电极。20.如权利要求19所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该第一势垒层与该第二势垒层之间藉由一电连接层电连接。21.如权利要求1所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该第一表面包含一第一接触区及一第二接触区，该第二表面包含一第三接触区及一第四接触区，于该第一接触区上、第三接触区上、及发光叠层侧面与电路保护装置之间形成一绝缘层。22.如权利要求21所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该电路保护装置的第一低电阻层形成于该绝缘层上，该第一低电阻层包含一第五接触区及一第六接触区，该第一势垒层形成于该第五接触区上，还包含一第二势垒层形成于该第六接触区上。23.如权利要求22所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该第一低电阻层与该第二势垒层间的界面为一肖特基界面或p-n界面。24.如权利要求23所述的具有电路保护装置的发光元件，其中于该第一表面的一第三接触区上还包含一第一欧姆接触层。25.如权利要求24所述的具有电路保护装置的发光元件，其中于该第一欧姆接触层上还包含一第一电极。26.如权利要求25所述的具有电路保护装置的发光元件，其中于该第二表面的一第四接触区上还包含一第二欧姆接触层。27.如权利要求26所述的具有电路保护装置的发光元件，其中于该第二欧姆接触层上还包含一第二电极。28.如权利要求27所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该第一势垒层与该第一电极之间藉由一第一电连接层电性相接。29.如权利要求28所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该第二势垒层与该第二电极之间藉由一第二电连接层电性相接。30.如权利要求16所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该第二低电阻层包含至少一种材料选自Ni/Au、NiO/Au、TiWN、透光金属层、氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌、及氧化锌锡所构成的材料群组或其他替代性材料。31.如权利要求16所述的具有电路保护装置的发光元件，其中该第二势垒层包含至少一种材料选自TiO2、SrTiO3、FeTiO3、MnTiO3、BaTiO3、ZrO2、Nb2O5、KTaO3、WO...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪盟渊，王仁水，曾子峰，陶青山，刘文煌，谢明勋，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]