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本发明揭示一种沟槽型ＭＯＳＦＥＴ，在依次将Ｐ型的高掺杂漏极部即基板、Ｐ型的低掺杂漏极部即外延层、Ｎ型的本体部、以及Ｐ型的源极扩散部相邻形成的半导体基板上，形成沟槽部。再在与沟槽部绝缘的状态下，形成源极扩散部以覆盖沟槽部，从而能降低沟槽型ＭＯ...
该专利属于夏普株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过夏普株式会社授权不得商用。

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