粉末有机半导体以及气相沉积在基体上的方法技术

本发明专利技术涉及一种将一种或几种化合物气相沉积到基体上的方法，该方法包括：ｉ）以固态或气态将该化合物供入载体气流中，ｉｉ）所述化合物以气态存在于载体气流中，ｉｉｉ）凝结该气态化合物，ｉｖ）将步骤（ｉｉｉ）中凝结的化合物返回气态，和ｖ）随后该气态化合物凝结在基体上，通过供入气流将含有该气态化合物的载体气流冷却到所述化合物升华温度以下的温度。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粉末有机半导体以及气相沉积在基体上的方法本专利技术涉及一种将在25℃和1巴下优选为固体的一种或多种化合物气相沉积到基体上的方法，其中(i)以固态或气态、优选固态将所述化合物供入载体气流中，(ii)该化合物以气态存在于所述载体气流中和/或优选地使得该化合物在所述载体气流中成为气态，(iii)沉淀所述气态化合物，(iv)使得步骤(iii)中沉淀的化合物再次成为气态，优选使其升华，和(v)随后将该气态化合物沉淀、优选气相沉积在基体上，优选地以优选为均匀层状形式进行，所述基体优选具有低于该化合物的升华温度的温度。本专利技术还提供了可以此方式获得的基体，特别是含有本专利技术基体的有机发光二极管或光伏电池。此外，本专利技术还涉及粉末有机半导体化合物。基于半导体层结构的有机发光二极管或有机太阳能电池是广泛已知的。以质量和用量可控的方式在基体上制备很薄的、通常无定形的有机材料层对于这些器件的功能而言是特别重要的。在M.Baldo等，Advanced Materials，1998，10，No.18，1505～1514页和M.Stein等，Journal of Applied Physics，89，2，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于将一种或多种化合物气相沉积到基体上的方法，其中（ｉ）以固态或气态将所述化合物供入载体气流中，（ｉｉ）该化合物以气态存在于所述载体气流中，（ｉｉｉ）沉淀所述气态化合物，（ｉｖ）使得步骤（ｉｉｉ）中沉淀的化合物再次成为气态，和（ｖ）随后将该气态化合物沉淀在基体上，其中通过供入气流将含有所述气态化合物的载体气流冷却到该化合物的升华温度以下的温度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2003-4-30 103 19 742.71.一种用于将一种或多种化合物气相沉积到基体上的方法，其中(i)以固态或气态将所述化合物供入载体气流中，(ii)该化合物以气态存在于所述载体气流中，(iii)沉淀所述气态化合物，(iv)使得步骤(iii)中沉淀的化合物再次成为气态，和(v)随后将该气态化合物沉淀在基体上，其中通过供入气流将含有所述气态化合物的载体气流冷却到该化合物的升华温度以下的温度。2.如权利要求1所述的方法，其中在步骤(iii)中供入所述载体气流中的气流具有低于载体气流温度至少10℃的温度。3.如权利要求1或2所述的方法，其中载体气流与被供入气流的体积比为10∶1～1∶100。4.如权利要求1～3中任一项所述的方法，其中在步骤(i)中通过刷式计量在低于升华温度的温度下以固态将该化合物供入所述载体气流中。5.如权利要求1～4中任一项所述的方法，其中在步骤(i)中所述化合物以固态供入其中的载气具有10℃～100℃的温度。6.如权利要求1～5中任一项所述的方法，其中在载体气流中于100℃～1000℃下使得所述化合物成为气态。7.如权利要求1～6中任一项所述的方法，其中步骤(iii)中沉淀的化合物为平均粒径小于10μm的粉末形式。8.如权利要求1～7中任一项所述的方法，其中根据步骤(iii)中以粉末形式沉淀的化合物的粒径的几何标准偏差测得的分布宽度小于2。9.如权利要求1～8中任一项所述的方法，其中步骤(iii)中以粉末形式沉淀的化合物具有大于0.1m2/g的比表面积。10.如权利要求1～9中任一项所述的方法，其中使得步骤(iii)中沉淀的固体化合物带有电荷。-->11.如权利要求1～10中任一项所述的方法，其中步骤(iii)中沉淀...

【专利技术属性】
技术研发人员：B萨克微，J勒施，M博尔德，T格斯纳，
申请(专利权)人：巴斯福股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]