【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】外延基片的制备方法
本专利技术涉及一种外延基片的制备方法，特别是GaN、SiGe、AlN或InN外延基片的制备方法，以及在该外延基片上或在该外延基片内制造的电子器件。
技术介绍
外延是材料的晶体层沉积在同样为晶体的基片上的过程。外延生长的特征在于，可以在所生长的材料的外延层中复制基片的晶体结构。因此，基片的缺陷通常也被复制到外延层中。外延层一般应用在电子或光电子用途中。其中特别受关注的是例如氮化镓外延层，由于其具有较大的能带间隙，因而应用于蓝光、紫光或紫外激光二极管中。外延技术基本上可以分为两类。第一类是均相外延，其中待生长的材料具有与基片相同的性质，这意味着它们的结晶学结构和化学性质是基本相同的。工业上所使用的实例是硅在硅基片上的均相外延或砷化镓在砷化镓基片上的外延生长。更令人们更感兴趣的是所谓的异质外延，其中待生长的膜是在具有不同性质的基片上生长。在无法以晶体基片的形式获得所需的材料时，这尤其重要。异质外延本身固有两个主要问题：两种材料结晶结构的差异和两种材料热膨胀系数的差异。这些差异导致膜的内部存在应力，从而产生诸如位错等缺陷。除了上述导致外延层品质欠佳的...
【技术保护点】
一种外延基片的制备方法，特别是ＧａＮ、ＳｉＧｅ、ＡｌＮ或ＩｎＮ外延基片的制备方法，所述方法包含以下步骤：－提供晶体底层基片（１）；－向底层基片（１）中注入原子物质，特别是氢离子和／或稀有气体，在底层基片（１）内部产生基本平行 于底层基片（１）的表面（２）的层状区（４），由此在底层基片残余部分（１１）和子层（６）之间限定弱界面；－在第一预定温度范围内，在底层基片（１）的子层（６）的表面上生长异质外延加强层（７）；－由于在第二预定温度范围中的热处理， 将所述加强层（７）和所述底层基片（１）的子层（６）一起从底层基片的残...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2003-6-6 03291371.71.一种外延基片的制备方法，特别是GaN、SiGe、AlN或InN外延基片的制备方法，所述方法包含以下步骤：-提供晶体底层基片(1)；-向底层基片(1)中注入原子物质，特别是氢离子和/或稀有气体，在底层基片(1)内部产生基本平行于底层基片(1)的表面(2)的层状区(4)，由此在底层基片残余部分(11)和子层(6)之间限定弱界面；-在第一预定温度范围内，在底层基片(1)的子层(6)的表面上生长异质外延加强层(7)；-由于在第二预定温度范围中的热处理，将所述加强层(7)和所述底层基片(1)的子层(6)一起从底层基片的残余部分(11)上拆分下来，以产生伪基片(10)，所述第二预定温度范围的温度比所述第一温度范围的温度高；和-在所述伪基片(10)上生长均相外延层或异质外延层(14)。2.如权利要求1所述的外延基片的制备方法，其中所述均相外延层或异质外延层(14)的生长发生在第三预定温度范围内，所述第三预定温度范围的温度比第一预定温度范围的温度高。3.如权利要求1或2所述的外延基片的制备方法，其特征在于在提供所述加强层(7)之前进行注入。4.如权利要求1至3任一项所述的外延基片的制备方法，其特征在于所述子层(6)的厚度最多约为5μm，具体地最多约为2μm，更具体地其厚度最多约为1μm。5.如权利要求1至4任一项所述的外延基片的制备方法，其特征在于所述第一温度范围是从室温左右至900℃，更具体地为至800℃，所述第二温度范围是从超过900℃至约1100℃，和/或所述第三温度范围从超过900℃的温度开始。6.如权利要求1至5任一项所述的外延基片的制备方法，其特征在于在注入之前将牺牲层(15)，特别是薄二氧化硅(SiO2)层施加到底层-->基片(1)的表面(2)上，穿过所述牺牲层(15)进行注入。7.如权利要求6所述的外延基片的制备方法，其特征在于在提供所述加强层(7)之前除掉所述牺牲层(15)。8.如权利要求1至7任一项所述的外延基片的制备方法，其特征在于通过沉积施加所述加强层(7)，特别是通过外延沉积施加，更特别是通过分子束外延(MBE)、通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)、通过氢化物气相外延(HVPE)或通过溅射施加。9.如权利要求1至8任一项所述的外延基片的制备方法，其特征在于所述加强层(7)生长到足够厚，以使得伪基片(10)具有自支持性能，具体的厚度范围是约5μm至50μm，更具体的范围是约10μm至40μm。10.如权利要求1至9任一项所述的外延基片的制备方法，其特征在于在提供所述加强层(7)之前，对底层基片(1)的表面(2)进行预处理，特别是用HF蚀刻、等离子蚀刻或共同使用的标准清洁1(SC1)和标准清洁2(SC2)...
【专利技术属性】
技术研发人员：布鲁斯富尔，
申请(专利权)人：硅绝缘体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]
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