用三重态管理器的有机半导体激光器制造技术

本公开涉及用三重态管理器的有机半导体激光器。本发明专利技术提供第一装置。所述装置包括有机半导体激光器。所述有机半导体激光器进一步包括光学共振腔及布置在所述光学共振腔内的有机层。所述有机层包括：有机主体化合物；能够荧光发射的有机发光化合物；以及有机掺杂剂化合物。所述有机掺杂剂化合物在此也可以称为“三重态管理器”。所述有机掺杂剂化合物的三重态能量低于或等于所述有机主体化合物的三重态能量。所述有机掺杂剂化合物的所述三重态能量低于或等于所述有机发光化合物的三重态能量。所述有机发光化合物的单重态能量低于或等于所述有机主体化合物的单重态能量。

【技术实现步骤摘要】
用三重态管理器的有机半导体激光器相关申请的交叉引用本申请请求于2011年10月27日提交的美国序列号13/283,284的优先权，本申请为其部分继续申请，并且将其全文以引用的方式并入本文。关于在联邦资助的研究或开发下进行的专利技术的权利声明本专利技术是由AFOSR（空军科学研究办公室）授权的在政府支持下以编号FA9550-10-1-0339进行。本专利技术是由美国能源部、南加利福利亚大学能源前沿研究中心授权的在政府支持下以编号DE-SC0001013进行。在本专利技术中，政府拥有某些权利。所要求保护的专利技术是由联合大学联盟研究协议的以下各方中的一方或多方进行、代表所述各方的利益、和/或与所述各方有关：密歇根大学董事会、普林斯顿大学董事会、南加利福利亚大学董事会以及通用显示器公司董事会。所述协议在所要求保护的专利技术进行之日当天及之前生效，并且所要求保护的专利技术是由于在所述协议范围内开展的活动而进行。本申请涉及于2011年5月27日提交的美国申请序列号12/117,926，所述美国申请要求于2010年6月3日提交的US61/396,862以及2010年6月29提交的US61/398,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种第一装置，其进一步包括：有机半导体激光器，其进一步包括：光学共振腔；布置在所述光学共振腔内的有机层，所述有机层包括：有机主体化合物；能够荧光发射的有机发光化合物；以及有机掺杂剂化合物；其中：所述有机掺杂剂化合物的三重态能量低于或等于所述有机主体化合物的三重态能量；所述有机掺杂剂化合物的所述三重态能量低于或等于所述有机发光化合物的三重态能量；所述有机发光化合物的单重态能量低于或等于所述有机主体化合物的单重态能量。

【技术特征摘要】
2011.10.27 US 13/283,284;2012.04.13 US 13/446,9281.一种光电装置，其进一步包括：有机半导体激光器，所述有机半导体激光器进一步包括：光学共振腔；布置在所述光学共振腔内的有机层，所述有机层包括：有机主体化合物；能够荧光发射的有机发光化合物；以及有机掺杂剂化合物；其中：所述有机掺杂剂化合物的三重态能量低于或等于所述有机主体化合物的三重态能量；所述有机掺杂剂化合物的所述三重态能量低于或等于所述有机发光化合物的三重态能量；所述有机发光化合物的单重态能量低于或等于所述有机主体化合物的单重态能量。2.如权利要求1所述的装置，其中所述有机发光化合物的所述单重态能量低于所述有机主体化合物的所述单重态能量。3.如权利要求1所述的装置，其中所述有机发光化合物的所述单重态能量低于所述有机掺杂剂化合物的单重态能量。4.如权利要求1所述的装置，其中所述有机掺杂剂化合物不会强烈地吸收所述有机发光化合物的所述荧光发射。5.如权利要求1所述的装置，其进一步包括光学耦合至所述有机层的光泵。6.如权利要求1所述的装置，其中所述有机半导体激光器进一步包括：阳极；阴极；其中所述有机层布置在所述阳极与所述阴极之间；布置在所述有机层与所述阳极之间的空穴传输层；以及布置在所述有机层与所述阴极之间的电子传输层；其中所述有机掺杂剂化合物只存在于发光层中。7.如权利要求1所述的装置，其中所述掺杂剂化合物的三重态衰减时间比所述发光化合物的三重态衰减时间短。8.如权利要求1所述的装置，其中：所述掺杂剂化合物的浓度为10wt％-90wt％；所述发光化合物的浓度为0.5wt％-5wt％。9.如权利要求1所述的装置，其中所述有机发光化合物能够在室温下荧光发射。10.如权利要求1所述的装置，其中所述掺杂剂化合物选自由以下各项组成的组：蒽、并四苯、红荧烯和苝以及它们的衍生物。11.如权利要求1所述的装置，其中所述掺杂剂化合物选自蒽以及其衍生物。12.如权利要求11所述的装置，其中所述掺杂剂化合物是ADN。13.如权利要求1所述的装置，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·R·弗里斯特，张一帆，
申请(专利权)人：密执安州立大学董事会，
类型：发明
国别省市：