MIS半导体器件和互补MIS半导体器件制造技术

用半导体衬底以及提供在半导体衬底上的ｐ型ＭＩＳ晶体管和ｎ型ＭＩＳ晶体管，制作了一种ＭＩＳ型半导体器件，此ｐ型ＭＩＳ晶体管包括由锗以及选自钽、钒、铌的一种元素所构成的栅电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到包含金属绝缘体半导体(MIS)晶体管的半导体器件。确切地说，本专利技术涉及到其中MIS晶体管具有由金属构成的栅电极的半导体器件。
技术介绍
为了提高半导体集成电路的性能，必须改善MOS器件亦即提供在电路中的元件的性能。基本上根据按比例缩小，MOS器件的性能已经得到了改善。但近年来由于对微电子技术的各种物理限制，借助于将MOS器件做小来改善其性能，已经变得很困难。难以改善MOS器件性能的一个原因是多晶硅栅电极中的耗尽。此耗尽抑制了栅绝缘膜厚度的按比例缩小。迄今，借助于减小栅绝缘膜的厚度亦即按比例缩小，已经改善了MOS器件的性能。但由于多晶硅栅电极中的耗尽和存在于MOS器件中的反型层，要减小栅绝缘膜的厚度就变得越来越困难了。在栅氧化物膜厚度小于1nm的这一代技术中，多晶硅栅电极的耗尽电容高达氧化物膜电容的30％。借助于用金属栅电极取代多晶硅栅电极，能够减小耗尽电容。此金属栅电极必须由其功函数根据MOS器件的导电类型而改变的金属材料构成。已经报道了适用于二种导电类型的MOS器件的栅电极的各种金属材料。它们的功函数相似于多晶硅的功函数(见S.B.Samavedam et 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＭＩＳ型半导体器件，它包含：半导体衬底；以及ｐ型ＭＩＳ晶体管，此ｐ型ＭＩＳ晶体管被提供在半导体衬底上并具有包含锗以及选自钽、钒、铌的一种元素的栅电极。

【技术特征摘要】
JP 2005-3-15 2005-0737331.一种MIS型半导体器件，它包含半导体衬底；以及p型MIS晶体管，此p型MIS晶体管被提供在半导体衬底上并具有包含锗以及选自钽、钒、铌的一种元素的栅电极。2.根据权利要求1的MIS型半导体器件，其中，栅电极包含50％或以下的氮。3.根据权利要求1的MIS型半导体器件，其中，栅电极包含10％或以下的选自B、As、P、In、Sb、S、Al的一种元素。4.根据权利要求1的MIS型半导体器件，其中，半导体衬底包括SOI衬底。5.根据权利要求1的MIS型半导体器件，其中，MIS晶体管具有包含锗的沟道区。6.根据权利要求1的MIS型半导体器件，其中，栅电极由包含上层和下层的双层结构构成，此上层和下层包含锗，下层包含的锗相对于硅的组分比为80％或以上，高于上层包含的锗相对于硅的组分比。7.根据权利要求1的MIS型半导体器件，其中，半导体衬底由硅或锗构成。8.一种MIS型半导体器件，它包含半导体衬底；p型MIS晶体管，此p型MIS晶体管被提供在半导体衬底上并具有包含锗以及选自钽、钒、铌的一种元素的栅电极；以及提供在半导体衬底上的n型MIS晶体管。9.根据权利要求8的MIS型半导体器件，其中，p型MIS晶体管和n型MIS晶体管具有栅电极，此栅电极包含50％或以下的氮。10.根据权利要求8的MIS型半导体器件，其中，p型MIS晶体管和n型MIS晶体管的栅电极包含10％或以下的选自B、As、P、In、Sb、S、Al的一种元素。11.根据权利要求8的MIS型半导体器件，其中，半导体衬底是SOI衬底。12...

【专利技术属性】
技术研发人员：土屋义规，小山正人，西野弘刚，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]