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用半导体衬底以及提供在半导体衬底上的ｐ型ＭＩＳ晶体管和ｎ型ＭＩＳ晶体管，制作了一种ＭＩＳ型半导体器件，此ｐ型ＭＩＳ晶体管包括由锗以及选自钽、钒、铌的一种元素所构成的栅电极。...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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