半导体元件的制造方法及调整元件沟道区晶格距离的方法技术

一种半导体元件的制造方法，其是先于衬底上形成数个栅极结构。然后，于各个栅极结构侧边的衬底中形成对应的源极区与漏极区。之后，于衬底上形成自对准金属硅化物阻挡层，覆盖栅极结构与裸露的衬底表面。接着，进行退火工艺，且在进行退火工艺时，自对准金属硅化物阻挡层会产生张应力，而使得位于栅极结构下方的衬底受到张应力。继之，移除部分的自对准金属硅化物阻挡层，而裸露出一部分的栅极结构与部分的衬底表面。随后，进行自对准金属硅化物工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体工艺，尤其涉及一种半导体元件的制造方法及用于调整元件沟道区的晶格距离的方法。
技术介绍
早期的金属氧化物半导体(Metal-Oxide Semiconductor，MOS)元件是由金属栅极层、氧化硅栅介电层与半导体硅衬底所组成的。但是，因为大多数的金属对于氧化硅的附着力不佳，所以现在的栅极层大多以多晶硅来制作。不过，使用多晶硅却衍生出其他的问题，例如元件效能因多晶硅的阻值太高而变差。所以，目前所采用的方式是在元件形成之后进行硅化(Silicide)工艺，以于栅极层与源极/漏极区上形成一层金属硅化物，从而降低元件的阻值。另一方面，在一晶片上通常可区分为主元件区与周边电路区，其中位于主元件区中的元件例如包括有存储器元件、静电放电(Electro-StaticDischarge，ESD)保护电路等，而位于周边电路区中的元件例如是逻辑元件等。由于位于主元件区中的元件，相较于周边电路区中的元件需要较高的阻值。因此，在进行上述的硅化工艺时，需藉由一阻挡层将不需形成金属硅化物的部分覆盖起来。特别是，由于阻挡层所覆盖的区域，因不需再额外覆盖其他的膜层，即可以避免硅化反应的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件的制造方法，包括：于一衬底上形成多个栅极结构；于各该栅极结构侧边的该衬底中形成对应的一源极区与一漏极区；于该衬底上形成一自对准金属硅化物阻挡层，覆盖该些栅极结构与裸露的该衬底表面；进行一退火工艺 ，且在进行该退火工艺时，该自对准金属硅化物阻挡层会产生张应力，而使得位于该些栅极结构下方的该衬底受到张应力；移除部分该自对准金属硅化物阻挡层，而裸露出一部分的该些栅极结构与部分的该衬底表面；以及进行一自对准金属硅化物工艺。

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制造方法，包括于一衬底上形成多个栅极结构；于各该栅极结构侧边的该衬底中形成对应的一源极区与一漏极区；于该衬底上形成一自对准金属硅化物阻挡层，覆盖该些栅极结构与裸露的该衬底表面；进行一退火工艺，且在进行该退火工艺时，该自对准金属硅化物阻挡层会产生张应力，而使得位于该些栅极结构下方的该衬底受到张应力；移除部分该自对准金属硅化物阻挡层，而裸露出一部分的该些栅极结构与部分的该衬底表面；以及进行一自对准金属硅化物工艺。2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该自对准金属硅化物阻挡层的材质包括受热后会产生张应力的一材料。3.如权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其中该材料包括氧化硅或氮化硅。4.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该自对准金属硅化物阻挡层的厚度介于500～5000埃。5.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中于各该栅极结构侧边的该衬底形成对应的该源极区与该漏极区的方法包括进行一离子注入步骤。6.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该退火工艺包括快速热退火工...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘毅成，黄正同，萧维沧，廖宽仰，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]