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一种半导体元件的制造方法，其是先于衬底上形成数个栅极结构。然后，于各个栅极结构侧边的衬底中形成对应的源极区与漏极区。之后，于衬底上形成自对准金属硅化物阻挡层，覆盖栅极结构与裸露的衬底表面。接着，进行退火工艺，且在进行退火工艺时，自对准金属硅...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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