电光装置制造方法及图纸

本发明专利技术披露了一种用于进行时分灰度显示并能够任意地设置ＥＬ元件发光的时间间隔的电光装置。从ｎ个维持周期Ｔｓ１，Ｔｓ２，…，Ｔｓｎ当中，在至少一个维持周期期间由ＥＬ元件发出的光的亮度被设置为总是低于在其它维持周期期间发出的光的亮度，并且所述维持周期通过使亮度被降低的数量被扩展。按照上述结构，所述维持周期可以通过降低由ＥＬ元件发出的光的亮度的设置来进行扩展。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种通过在底板上制备EL元件而制成的EL(场致发光)显示装置(一种电光装置)。更具体地说，本专利技术涉及利用半导体元件(一种使用半导体薄膜的元件)的EL显示装置。此外，本专利技术涉及一种在其显示部分中利用EL显示装置的电子装置。
技术介绍
近年来，用于在底板上形成TFT的技术有了大的改进，并且其在有源阵列型显示装置中的应用不断发展。特别是，利用多硅膜的TFT具有比在利用常规的无定形硅膜的TFT中可获得的场效应迁移率较高的场效应迁移率，借以使TFT可以在较高的操作速度下运行。因此，在底板外部的驱动电路上进行的象素控制可以在作为象素被在同一底板上形成的驱动电路上进行。通过在同一底板上制备各种电路和元件，这种有源阵列型显示装置可以获得许多优点，例如降低制造成本，减少显示装置的尺寸，提高产量，减少数据处理量等。此外，对于具有EL显示装置作为自发光元件的有源阵列型EL显示装置的研究正在蓬勃发展。EL显示装置被称为有机EL显示装置(OELD)或者有机发光二极管(OLED)。EL显示装置是自发光型的，其和液晶显示装置不同。EL元件被以这样的方式构成，其中EL层被夹在一对电极之间。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包括：在一个绝缘表面上的至少一个薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上的一个第一绝缘膜；一个第一电极，通过形成在所述第一绝缘膜中的一个接触孔与所述薄膜晶体管电相连；一个第二绝缘膜，包括在所述第一绝缘膜上的有机树脂并覆盖所述第一电极的一个边缘部分；一个发光元件，包括在所述第一电极上的一种有机材料；以及所述发光元件上的一个第二电极，其中所述第二绝缘膜的一个边缘部分具有锥形。

【技术特征摘要】
JP 1999-10-26 304679/1999;JP 1999-11-29 337003/1991.一种发光装置，包括在一个绝缘表面上的至少一个薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上的一个第一绝缘膜；一个第一电极，通过形成在所述第一绝缘膜中的一个接触孔与所述薄膜晶体管电相连；一个第二绝缘膜，包括在所述第一绝缘膜上的有机树脂并覆盖所述第一电极的一个边缘部分；一个发光元件，包括在所述第一电极上的一种有机材料；以及所述发光元件上的一个第二电极，其中所述第二绝缘膜的一个边缘部分具有锥形。2.一种发光装置，包括在一个绝缘表面上的一个第一薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括一个第一栅极和一个第一有源层，二者之间有一个栅极绝缘膜；和一个第二栅极和一个第二有源层，二者之间有所述栅极绝缘膜；在所述绝缘表面上的一个第二薄膜晶体管；在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上的一个第一绝缘膜；一个第一电极，通过形成在所述第一绝缘膜中的一个接触孔与所述第二薄膜晶体管电相连；一个第二绝缘膜，包括在所述第一绝缘膜上的有机树脂并覆盖所述第一电极的一个边缘部分；一个发光元件，包括在所述第一电极上的一种有机材料；以及所述发光元件上的一个第二电极，其中所述第二绝缘膜的一个边缘部分具有锥形。3.一种发光装置，包括在一个绝缘表面上的一个第一薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括一个第一有源层和一个第二有源层；在所述第一有源层上的一个第一栅极，二者之间有一个栅极绝缘膜；和在所述第二有源层上的一个第二栅极，二者之间有所述栅极绝缘膜；在所述绝缘表面上的一个第二薄膜晶体管；在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上的一个第一绝缘膜；一个第一电极，通过形成在所述第一绝缘膜中的一个接触孔与所述第二薄膜晶体管电相连；一个第二绝缘膜，包括在所述第一绝缘膜上的有机树脂并覆盖所述第一电极的一个边缘部分；一个发光元件，包括在所述第一电极上的一种有机材料；以及所述发光元件上的一个第二电极，其中所述第二绝缘膜的一个边缘部分具有锥形。4.一种发光装置，包括包括一个第一薄膜晶体管的一个第一像素；包括一个第二薄膜晶体管的一个第二像素；一个电源线，与所述第一薄膜晶体管的一个源区和一个漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：小山润，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]