【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种。
技术介绍
目前，专供户外使用的习知发光二极管封装体已有防ESD的装置。然而，该等习知发光二极管封装体的体积会较大以致于不符合电子产品越益轻薄短小的趋势。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的为提供一种尺寸能够被有效缩减的具有逆向电压保护装置的。本专利技术的另一目的为提供一种具有多芯片结构的。根据本专利技术的一种发光二极管封装体的封装方法，包含如下的步骤提供一个能够被激励来发出光线的主发光二极管芯片，该发光二极管芯片具有一个光线射出表面、一个与该光线射出表面相对的非光线射出表面、一个安装于该二表面中之一表面上的具有一第一极性的第一电极、及一个安装于该二表面中之一表面上的具有与该第一极性相反的第二极性的第二电极；于该发光二极管芯片的非光线射出表面上设置一个逆向电压保护装置的逆向电压保护元件，该逆向电压保护元件具有一个具有该第一极性的第一电极、及一个具有该第二极性的第二电极；形成一个用于建立至少一个在该主发光二极管芯片的其中一个电极与该逆向电压保护元件的一个具有与该主发光二极管芯片的该其中一个电极的极性相反的极性的电极之间的电气连接的电极连接导体单元；及形成至少两个用于把该彼此电气连接的电极电气连接至外部电路之外部连接导电体单元。根据本专利技术的另一种发光二极管封装体的封装方法，包含如下的步骤提供一个能够被激励来发出光线的发光二极管芯片，该发光二极管芯片具有一个光线射出表面、一个与该光线射出表面相对的非光线射出表面、一个安装于该二表面中的一表面上的具有第一极性的第一电极、及一个安装于与该第一电极相同的表面上的具有与该第一极性相反的第二...
【技术保护点】
一种发光二极管封装体的封装方法，其特征在于：包含如下的步骤：提供一个能够被激励来发出光线的主发光二极管芯片，该发光二极管芯片具有一个光线射出表面、一个与该光线射出表面相对的非光线射出表面、一个安装于该二表面中之一表面上的具有一第一极 性的第一电极、及一个安装于该二表面中之一表面上的具有与该第一极性相反的第二极性的第二电极；于该发光二极管芯片的非光线射出表面上设置一个逆向电压保护装置的逆向电压保护元件，该逆向电压保护元件具有一个具有该第一极性的第一电极、及一个具有 该第二极性的第二电极；形成一个用于建立至少一个在该主发光二极管芯片的其中一个电极与该逆向电压保护元件的一个具有与该主发光二极管芯片的该其中一个电极的极性相反的极性的电极之间的电气连接的电极连接导体单元；及形成至少两个用于把该 彼此电气连接的电极电气连接至外部电路之外部连接导电体单元。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装体的封装方法，其特征在于包含如下的步骤提供一个能够被激励来发出光线的主发光二极管芯片，该发光二极管芯片具有一个光线射出表面、一个与该光线射出表面相对的非光线射出表面、一个安装于该二表面中之一表面上的具有一第一极性的第一电极、及一个安装于该二表面中之一表面上的具有与该第一极性相反的第二极性的第二电极；于该发光二极管芯片的非光线射出表面上设置一个逆向电压保护装置的逆向电压保护元件，该逆向电压保护元件具有一个具有该第一极性的第一电极、及一个具有该第二极性的第二电极；形成一个用于建立至少一个在该主发光二极管芯片的其中一个电极与该逆向电压保护元件的一个具有与该主发光二极管芯片的该其中一个电极的极性相反的极性的电极之间的电气连接的电极连接导体单元；及形成至少两个用于把该彼此电气连接的电极电气连接至外部电路之外部连接导电体单元。2.如权利要求1所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在提供主发光二极管芯片的步骤中，更包含于该主发光二极管芯片的每个电极上形成一辅助导电层的步骤。3.如权利要求1所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在提供主发光二极管芯片的步骤中，该主发光二极管芯片的第一和第二电极是设置于该非光线射出表面上，该提供主发光二极管芯片的步骤更包含于该非光线射出表面形成一不透明绝缘层及于该绝缘层上形成一不透明保护层的步骤，该绝缘层形成有两个用于暴露该主发光二极管芯片的对应的电极的暴露孔，该保护层形成有两个与对应的暴露孔连通且在尺寸上较大的贯孔，在设置逆向电压保护元件的步骤中，该逆向电压保护元件包含一副发光二极管芯片，该副发光二极管芯片具有一个第一表面和一个于其上安装有该第一和第二电极且与该第一表面相对的第二表面，该设置逆向电压保护元件的步骤更包含于该第二表面形成一不透明绝缘层及于该绝缘层上形成一不透明保护层的步骤，该绝缘层形成有两个用于暴露该副发光二极管芯片的对应的电极的暴露孔，该保护层形成有两个与对应的暴露孔连通且在尺寸上较大的贯孔，该副发光二极管芯片是在其的第二表面面向该主发光二极管芯片的非光线射出表面下设置于该主发光二极管芯片的保护层上，该主发光二极管芯片的保护层的贯孔在尺寸上比该副发光二极管芯片的保护层的贯孔大，在形成电极连接导体单元的步骤中，该电极连接导体单元包含数个各形成于一对应的贯孔及与该对应的贯孔连通的暴露孔内与一对应的电极电气连接的导体以使该主发光二极管芯片的第一电极是经由对应的导体来电气连接至该副发光二极管芯片的第二电极，而该主发光二极管芯片的第二电极是经由对应的导体来电气连接至该副发光二极管芯片的第一电极，在形成外部连接导电体单元之前，更包含于该主发光二极管芯片的保护层上形成一不透明覆盖层的步骤，该覆盖层覆盖该副发光二极管芯片而且形成有两个各用于暴露形成在该主发光二极管芯片的保护层的一对应的贯孔内的导体的一部分的开孔，及在形成外部连接导电体单元的步骤中，每个外部连接导电体单元包含一个在该覆盖层的一对应的开孔内与由该对应的开孔所暴露的导体的该部分电气连接的第一导体部分及一个与该第一导体部分电气连接且突伸在该对应的开孔之外的第二导体部分。4.如权利要求1所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在提供主发光二极管芯片的步骤中，该主发光二极管芯片的第一和第二电极是设置于该非光线射出表面上，该提供主发光二极管芯片的步骤更包含于该非光线射出表面形成一绝缘层及于该绝缘层上形成一保护层的步骤，该绝缘层形成有两个用于暴露该主发光二极管芯片的对应的电极的暴露孔，该保护层形成有两个与对应的暴露孔连通且在尺寸上较大的贯孔，在设置逆向电压保护元件的步骤中，该逆向电压保护元件包含一齐纳二极管芯片，该齐纳二极管芯片具有一个第一表面和一个与该第一表面相对且于其上安装有该第一和第二电极的第二表面，该设置逆向电压保护元件的步骤更包含于该第二表面形成一绝缘层及于该绝缘层上形成一保护层的步骤，该绝缘层形成有两个用于暴露该齐纳二极管芯片的对应的电极的暴露孔，该保护层形成有两个与对应的暴露孔连通且在尺寸上较大的贯孔，该齐纳二极管芯片是在其第二表面面向该主发光二极管芯片的非光线射出表面下设置于该主发光二极管芯片的保护层上，该主发光二极管芯片的保护层的贯孔在尺寸上比该齐纳二极管芯片的保护层的贯孔大，在形成电极连接导体单元的步骤中，该电极连接导体单元包含数个各形成于一对应的贯孔及与该对应的贯孔连通的暴露孔内可与一对应的电极电气连接的导体以使该主发光二极管芯片的第一电极是经由对应的导体来电气连接至该齐纳二极管芯片的第二电极，而该主发光二极管芯片的第二电极是经由对应的导体来电气连接至该齐纳二极管芯片的第一电极，在形成外部连接导电体单元之前，更包含于该主发光二极管芯片的保护层上形成一覆盖层的步骤，该覆盖层覆盖该齐纳二极管芯片而且形成有两个各用于暴露形成在该主发光二极管芯片的保护层的一对应的贯孔内的导体的一部分的开孔，及在形成外部连接导电体单元的步骤中，每个外部连接导电体单元包含一个在该覆盖层的一对应的开孔内可与由该对应的开孔所暴露的导体的该部分电气连接的第一导体部分及一个与该第一导体部分电气连接且突伸在该对应的开孔之外的第二导体部分。5.如权利要求3或4所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于于形成电极连接导体单元的步骤中，该导体是由导电胶借着印刷处理来被形成。6.如权利要求3或4所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于于形成电极连接导体单元的步骤中，该导体是由金属材料借着溅镀处理来被形成。7.如权利要求3或4所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于于形成电极连接导体单元的步骤之后，更包含于该导体的表面上形成一辅助导电层的步骤。8.如权利要求3或4所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在形成外部连接导电体的步骤中，该外部连接导电体的第一和第二导体部分是由相同的导电材料形成。9.如权利要求3或4所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在形成外部连接导电体的步骤中，该外部连接导电体的第一和第二导体部分是由不同的导电材料形成。10.如权利要求1所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在提供主发光二极管芯片的步骤中，该主发光二极管芯片的第一和第二电极是设置在该非光线射出表面上，在设置逆向电压保护元件的步骤中，该逆向电压保护元件包含一副发光二极管芯片，其具有一个第一表面和一个于其上安装有该第一和第二电极且与该第一表面相对的第二表面，该副发光二极管芯片是在其的第一表面面向该主发光二极管芯片的非光线射出表面下设置于该主发光二极管芯片的非光线射出表面上，在设置该逆向电压保护元件的步骤之后，更包含于该主发光二极管芯片的非光线射出表面上形成一不透明绝缘层及于该绝缘层上形成一不透明保护层的步骤，该绝缘层形成有数个用于暴露该主发光二极管芯片与该副发光二极管的对应的电极的暴露孔，该保护层形成有两个各连通该绝缘层的两个分别暴露该主发光二极管芯片的一对应的电极和该副发光二极管芯片的一个具有与该主发光二极管芯片的该对应的电极的极性相反的极性的电极的贯孔，在形成电极连接导体单元的步骤中，该电极连接导体单元包含两个导体，每个导体包括一个在该绝缘层的一暴露该主发光二极管芯片的一对应的电极的暴露孔内与该主发光二极管芯片的该一对应的电极电气连接的第一部分、一个在该保护层的一连通该绝缘层的于其内形成有该第一部分的暴露孔的贯孔内且与该第一部分电气连接的第二部分、及一个在该绝缘层的一连通该于其内形成有该第二部分的贯孔的暴露孔内与该副发光二极管芯片的该一电极及与该第二部分电气连接的第三部分，在形成外部连接导电体单元之前，更包含于该保护层上形成一不透明覆盖层的步骤，该覆盖层形成有两个各用于暴露一对应的导体的第二部分的开孔，及在形成外部连接导电体单元的步骤中，每个外部连接导电体单元包含一个在该覆盖层的一对应的开孔内可与由该对应的开孔所暴露的导体的第二部分电气连接的第一导体部分及一个与该第一导体部分电气连接且突伸在该对应的开孔之外的第二导体部分。11.如权利要求1所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在提供主发光二极管芯片的步骤中，该主发光二极管芯片的第一和第二电极是设置在该非光线射出表面上，在设置逆向电压保护元件的步骤中，该逆向电压保护元件包含一齐纳二极管芯片，其具有一个第一表面和一个于其上安装有该第一和第二电极且与该第一表面相对的第二表面，该齐纳二极管芯片是在其第一表面面向该主发光二极管芯片的非光线射出表面下设置于该主发光二极管芯片的非光线射出表面上，在设置该逆向电压保护元件的步骤之后，更包含于该主发光二极管芯片的非光线射出表面上形成一绝缘层及于该绝缘层上形成一保护层的步骤，该绝缘层形成有数个用于暴露该主发光二极管芯片与该齐纳二极管的对应的电极的暴露孔，该保护层形成有两个各连通该绝缘层的两个分别暴露该主发光二极管芯片的一对应的电极和该齐纳二极管芯片的一个具有与该主发光二极管芯片的该对应的电极的极性相反的极性的电极的贯孔，在形成电极连接导体单元的步骤中，该电极连接导体单元包含两个导体，每个导体包括一个在该绝缘层的一暴露该主发光二极管芯片的一对应的电极的暴露孔内可与该主发光二极管芯片的该一对应的电极电气连接的第一部分、一个在该保护层的一连通该绝缘层的于其内形成有该第一部分的暴露孔的贯孔内且与该第一部分电气连接的第二部分、及一个在该绝缘层的一连通该于其内形成有该第二部分的贯孔的暴露孔内可与该齐纳二极管芯片的该一电极及与该第二部分电气连接的第三部分，在形成外部连接导电体单元之前，更包含于该保护层上形成一覆盖层的步骤，该覆盖层形成有两个各用于暴露一对应的导体的第二部分的开孔，及在形成外部连接导电体单元的步骤中，每个外部连接导电体单元包含一个在该覆盖层的一对应的开孔内可与由该对应的开孔所暴露的导体的第二部分电气连接的第一导体部分及一个与该第一导体部分电气连接且突伸在该对应的开孔之外的第二导体部分。12.如权利要求10或11所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于于形成电极连接导体单元的步骤中，该等导体是由导电胶借着印刷处理来被形成。13.如权利要求10或11所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于于形成电极连接导体单元的步骤中，该导体是由金属材料借着溅镀处理来被形成。14.如权利要求10或11所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于于形成电极连接导体单元的步骤之后，更包含于该导体的表面上形成一辅助导电层的步骤。15.如权利要求10或11所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在形成外部连接导电体的步骤中，该外部连接导电体的第一和第二导体部分是由相同的导电材料形成。16.如权利要求10或11所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在形成外部连接导电体的步骤中，该外部连接导电体的第一和第二导体部分是由不同的导电材料形成。17.如权利要求1所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在提供主发光二极管芯片的步骤中，该主发光二极管芯片的第一和第二电极是设置在该非光线射出表面上，在提供主发光二极管芯片的步骤之后，更包含于该主发光二极管芯片的非光线射出表面上形成一不透明绝缘层的步骤，该绝缘层形成有两个用于暴露该主发光二极管芯片的对应的电极的暴露孔，每个暴露孔在尺寸上是比该主发光二极管芯片的电极大，在形成电极连接导体单元的步骤中，该电极连接导体单元包含两个形成于该绝缘层的对应的暴露孔内的导体以使该导体是与该主发光二极管芯片的对应的电极电气连接，在设置逆向电压保护元件的步骤中，该逆向电压保护元件包含一副发光二极管芯片，其具有一个第一表面和一个于其上安装有该第一和第二电极且与该第一表面相对的第二表面，该副发光二极管芯片是在其第二表面面向该主发光二极管芯片的非光线射出表面下设置于该主发光二极管芯片的非光线射出表面上以使该副发光二极管芯片的第一电极是经由该电极连接导体单元的一个导体来与该主发光二极管芯片的第二电极电气连接，而该副发光二极管芯片的第二电极是经由该电极连接导体单元的另一个导体来与该主发光二极管芯片的第一电极电气连接，在设置该逆向电压保护元件的步骤之后，更包含于该绝缘层上形成一不透明覆盖层的步骤，该覆盖层形成有两个各用于暴露一对应的导体的一部分的开孔，及在形成外部连接导电体单元的步骤中，每个外部连接导电体单元包含一个在该覆盖层的一对应的开孔内与由该对应的开孔所暴露的导体的该部分电气连接的第一导体部分及一个与该第一导体部分电气连接且突伸在该对应的开孔之外的第二导体部分。18.如权利要求1所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在提供主发光二极管芯片的步骤中，该主发光二极管芯片的第一和第二电极是设置在该非光线射出表面上，在提供该主发光二极管芯片的步骤之后，更包含于该主发光二极管芯片的非光线射出表面上形成一绝缘层的步骤，该绝缘层形成有两个用于暴露该主发光二极管芯片的对应的电极的暴露孔，每个暴露孔在尺寸上是比该主发光二极管芯片的电极大，在形成电极连接导体单元的步骤中，该电极连接导体单元包含两个形成于该绝缘层的对应的暴露孔内的导体以使该导体是与该主发光二极管芯片的对应的电极电气连接，在设置逆向电压保护元件的步骤中，该逆向电压保护元件包含一齐纳二极管芯片，其具有一个第一表面和一个于其上安装有该第一和第二电极且与该第一表面相对的第二表面，该齐纳二极管芯片是在其第二表面面向该主发光二极管芯片的非光线射出表面下设置于该主发光二极管芯片的非光线射出表面上以致于该齐纳二极管芯片的第一电极是经由该电极连接导体单元的一个导体来与该主发光二极管芯片的第二电极电气连接，而该齐纳二极管芯片的第二电极是经由该电极连接导体单元的另一个导体来与该主发光二极管芯片的第一电极电气连接，在设置该逆向电压保护元件的步骤之后，更包含形成一覆盖层于该绝缘层上的步骤，该覆盖层形成有两个各用于暴露一对应的导体的一部分的开孔，及在形成外部连接导电体单元的步骤中，每个外部连接导电体单元包含一个在该覆盖层的一对应的开孔内与由该对应的开孔所暴露的导体的该部分电气连接的第一导体部分及一个与该第一导体部分电气连接且突伸在该对应的开孔之外的第二导体部分。19.如权利要求17或18所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于于形成电极连接导体单元的步骤中，该导体是由导电胶借着印刷处理来被形成。20.如权利要求17或18所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于于形成电极连接导体单元的步骤中，该导体是由金属材料借着溅镀处理来被形成。21.如权利要求17或18所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于于形成电极连接导体单元的步骤之后，更包含于该导体的表面上形成一辅助导电层的步骤。22.如权利要求17或18所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在形成外部连接导电体的步骤中，该外部连接导电体的第一和第二导体部分是由相同的导电材料形成。23.如权利要求17或18所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在形成外部连接导电体的步骤中，该外部连接导电体的第一和第二导体部分是由不同的导电材料形成，于形成电极连接导体单元的步骤中，该导体是由导电胶借着印刷处理来被形成。24.如权利要求1所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在提供主发光二极管芯片的步骤中，该主发光二极管芯片的第一和第二电极是设置于该非光线射出表面上，在提供主发光二极管芯片的步骤之后，更包含于该主发光二极管芯片的非光线射出表面上形成一不透明绝缘层的步骤，该绝缘层形成有一个用于暴露该主发光二极管芯片的第一电极的第一暴露孔和一个用于暴露该主发光二极管芯片的第二电极的第二暴露孔，该第一暴露孔在尺寸上是比该主发光二极管芯片的电极大，在形成电极连接导体单元的步骤中，该电极连接导体单元包含一个形成于该绝缘层的第一暴露孔内的导体以致于该导体是与该主发光二极管芯片的的第一电极电气连接，在设置逆向电压保护元件的步骤中，该逆向电压保护元件包含一副发光二极管芯片，其具有一个于其上安装有该第一电极的第一表面和一个于其上安装有该第二电极且与该第一表面相对的第二表面，该副发光二极管芯片是在其的第二表面面向该主发光二极管芯片的非光线射出表面下设置于该主发光二极管芯片的非光线射出表面上以致于该副发光二极管芯片的第二电极是经由该电极连接导体单元的导体来与该主发光二极管芯片的第一电极电气连接，在设置该逆向电压保护元件的步骤之后，更包含于该绝缘层上形成一不透明第一保护层及于该第一保护层上形成一不透明第二保护层的步骤，该第一保护层形成有三个分别用于暴露该副发光二极管芯片的第一电极、该主发光二极管芯片的第二电极、和该导体的一部分的贯孔，该第二保护层形成有一个与该第一保护层的暴露该电极连接导体单元的导体的该一部分的贯孔连通以暴露该电极连接导体单元的导体的该一部分的第一贯孔和一个使该第一保护层的其他贯孔连通的第二通孔，在形成电极连接导体单元的步骤中，该电极连接导体单元更包含一个在该第一保护层的贯孔和该第二保护层的第一贯孔内与该导体的该一部分电气连接的导体，及一个在该第一保护层的该其他贯孔和该第二保护层的第二贯孔内使该主发光二极管芯片的第二电极与该副发光二极管芯片的第一电极电气连接的导体，在形成外部连接导电体单元的步骤之前，更包含一个于该第二保护层上形成一不透明覆盖层的步骤，该覆盖层形成有两个用于暴露在该第一和第二贯孔内的对应的导体的一部分的开孔，及在形成外部连接导电体单元的步骤中，每个外部连接导电体单元包含一个在该覆盖层的一对应的开孔内可与由该对应的开孔所暴露的导体的该一部分电气连接的第一导电体部分及一个与该第一导电体部分电气连接且突伸在该对应的开孔之外的第二导电体部分。25.如权利要求1所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在提供主发光二极管芯片的步骤中，该主发光二极管芯片的第一和第二电极是设置于该非光线射出表面上，在提供主发光二极管芯片的步骤之后，更包含形成一不透明绝缘层于该主发光二极管芯片的非光线射出表面上的步骤，该绝缘层形成有一个用于暴露该主发光二极管芯片的第一电极的第一暴露孔和一个用于暴露该主发光二极管芯片的第二电极的第二暴露孔，该第一暴露孔在尺寸上是比该主发光二极管芯片的电极大，在形成电极连接导体单元的步骤中，该电极连接导体单元包含一个形成于该绝缘层的第一暴露孔内的导体以致于该导体是与该主发光二极管芯片的的第一电极电气连接，在设置逆向电压保护元件的步骤中，该逆向电压保护元件包含一齐纳二极管芯片，该齐纳二极管芯片具有一个安装有该第一电极的第一表面和一个安装有该第二电极且与该第一表面相对的第二表面，该齐纳二极管芯片是以其第二表面面向该主发光二极管芯片的非光线射出表面而设置于该主发光二极管芯片的非光线射出表面上，以使该齐纳二极管芯片的第二电极是经由该电极连接导体单元的导体来与该主发光二极管芯片的第一电极电气连接，在设置该逆向电压保护元件的步骤之后，更包含于该绝缘层上形成一不透明第一保护层及于该第一保护层上形成一不透明第二保护层的步骤，该第一保护层形成有三个分别用于暴露该齐纳二极管芯片的第一电极、该主发光二极管芯片的第二电极、和该导体的一部分的贯孔，该第二保护层形成有一个与该第一保护层的暴露该电极连接导体单元的导体的该一部分的贯孔连通而暴露该电极连接导体单元的导体的该一部分的第一贯孔和一个使该第一保护层的其他贯孔连通的第二通孔，在形成电极连接导体单元的步骤中，该电极连接导体单元更包含一个在该第一保护层的贯孔和该第二保护层的第一贯孔内与该导体的该一部分电气连接的导体，及一个在该第一保护层的该其他贯孔和该第二保护层的第二贯孔内使该主发光二极管芯片的第二电极与该齐纳二极管芯片的第一电极电气连接的导体，在形成外部连接导电体单元的步骤之前，更包含一个于该第二保护层上形成一不透明覆盖层的步骤，该覆盖层形成有两个用于暴露在该第一和第二贯孔内的对应的导体的一部分的开孔，及在形成外部连接导电体单元的步骤中，每个外部连接导电体单元包含一个在该覆盖层的一对应的开孔内与由该对应的开孔所暴露的导体的该一部分电气连接的第一导电体部分及一个与该第一导电体部分电气连接且突伸在该对应的开孔之外的第二导电体部分。26.如权利要求24或25所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于于形成第一和第二电极连接导体单元的步骤中，该导体是由导电胶借着印刷处理来被形成。27.如权利要求24或25所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于于形成第一和第二电极连接导体单元的步骤中，该导体是由金属材料借着溅镀处理来被形成。28.如权利要求24或25所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于于形成第一和第二电极连接导体单元的步骤之后，更包含于该导体的表面上形成一辅助导电层的步骤。29.如权利要求24或25所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在形成外部连接导电体的步骤中，该外部连接导电体的第一和第二导体部分是由相同的导电材料形成。30.如权利要求24或25所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在形成外部连接导电体的步骤中，该等外部连接导电体的第一和第二导体部分是由不同的导电材料形成。31.一种发光二极管封装体的封装方法，其特征在于包含如下的步骤提供一个能够被激励来发出光线的主发光二极管芯片，该发光二极管芯片具有一个光线射出表面、一个与该光线射出表面相对的非光线射出表面、一个安装于该二表面中之一表面上的具有一第一极性的第一电极、及一个安装于该二表面中之一表面上的具有与该第一极性相反的第二极性的第二电极；于该发光二极管芯片的非光线射出表面上设置一个逆向电压保护装置的逆向电压保护元件，该逆向电压保护元件具有与该主发光二极管芯片的电极对准的第一和第二电极区域，该第一电极区域具有该第一极性而该第二电极区域具有该第二极性，该第一、第二电极区域各形成有一个暴露该主发光二极管芯片的一具有与其极性相反的极性的电极的贯孔；及形成至少两个用于把该第一、第二电极电气连接至外部电路的外部连接导电体单元。32.如权利要求31所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在提供主发光二极管芯片，该主发光二极管芯片的第一和第二电极是设置于该非光线射出表面上，在设置该逆向电压保护元件的步骤中，该逆向电压保护元件为一副发光二极管芯片，及在形成外部连接导电体单元的步骤中，每个外部连接导电体单元包括一个在一对应的贯孔内与该主发光二极管芯片的对应的电极和该副发光二极管的对应的电极区域电气连接的第一导电体部分及一个与该第一导电体部分电气连接且突伸在该对应的贯孔之外的第二导电体部分。33.如权利要求31所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在提供主发光二极管芯片，该主发光二极管芯片的第一和第二电极是设置于该非光线射出表面上，在设置该逆向电压保护元件的步骤中，该逆向电压保护元件为一齐纳二极管芯片，及在形成外部连接导电体单元的步骤中，每个外部连接导电体单元包括一个在一对应的贯孔内可与该主发光二极管芯片的对应的电极和该齐纳二极管的对应的电极区域电气连接的第一导电体部分及一个与该第一导电体部分电气连接且突伸在该对应的贯孔之外的第二导电体部分。34.如权利要求32或33所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在提供二极管芯片的步骤中，更包含于该二极管芯片的每个电极上形成一辅助导电层的步骤。35.如权利要求32或33所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在形成外部连接导电体单元的步骤中，该外部连接导电体的第一和第二导电体部分是由相同的导电材料形成。36.如权利要求32或33所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在形成外部连接导电体单元的步骤中，该外部连接导电体的第一和第二导电体部分是由不同的导电材料形成。37.一种发光二极管封装体的封装方法，其特征在于包含如下的步骤提供一个能够被激励来发出光线的发光二极管芯片，该发光二极管芯片具有一个光线射出表面、一个与该光线射出表面相对的非光线射出表面、一个安装于该二表面中的一表面上的具有第一极性的第一电极、及一个安装于与该第一电极相同的表面上的具有与该第一极性相反的第二极性的第二电极；于该发光二极管芯片的非光线射出表面上设置一逆向电压保护装置的逆向电压保护元件，该逆向电压保护元件为一电容器，该电容器具有两个各延伸至该发光二极管芯片的两个电极中的一个电极附近的具有彼此相反的极性的电极；于该发光二极管芯片的电极安装表面上形成一绝缘层，该绝缘层是借助暴光与显影处理来被设定以图案而形成两个用于暴露该发光二极管芯片的对应的电极及该逆向电压保护元件的延伸在发光二极管芯片的该对应的电极附近的电极的贯孔；形成一电极连接导体单元，该电极连接导体单元包含两个各在该绝缘层的一贯孔内使由该绝缘层的该一贯孔所暴露的该发光二极管芯片的电极与该逆向电压保护元件的电极电气连接的导体；于该绝缘层的表面上形成一覆盖层，该覆盖层形成有两个用于暴露该电极连接导体单元的对应的导体的一部分的暴露孔；及形成至少两个外部连接导电体单元，每个外部连接导电体单元包括一个在一对应的暴露孔内与对应的导体的该部分电气连接的第一导电体部分及一个与该第一导电体部分电气连接且突伸在该暴露孔之外的第二导电体部分。38.如权利要求37所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在提供发光二极管芯片和在形成电极连接导体单元的步骤中，更包含于该发光二极管芯片的每个电极和在该电极连接导体单元的每个导体上形成一辅助导电层的步骤。39.如权利要求37所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在形成外部连接导电体单元的步骤中，该外部连接导电体的第一和第二导电体部分是由相同的导电材料形成。40.如权利要求37所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在形成外部连接导电体单元的步骤中，该外部连接导电体的第一和第二导电体部分是由不同的导电材料形成。41.一种发光二极管封装体的封装方法，其特征在于包含如下的步骤提供一主发光二极管芯片，该主发光二极管芯片具有一允许外部光线穿透的非光线射出表面、一与该非光线射出表面相对的光线射出表面、一设置于该非光线射出表面的具有一第一极性的第一电极、及一设置于该非光线射出表面的具有一与该第一极性相反的第二极性的第二电极；形成一电极连接导体单元，该电极连接导体单元包含一个形成于该主发光二极管芯片的非光线射出表面的在该第一电极及其附近的表面区域上的透明导电金属层；于该导电金属层上设置一副发光二极管芯片，该副发光二极管芯片具有一个安装有该第一电极的第一表面和一个安装有该第二电极且与该第一表面相对的第二表面，该副发光二极管芯片是以其第二表面面向该主发光二极管芯片的非光线射出表面而设置于该主发光二极管芯片的导电金属层上，以使该副发光二极管芯片的第二电极是经由该导电金属层来与该主发光二极管芯片的第一电极电气连接；于该主发光二极管芯片的非光线射出表面上形成一不透明覆盖层以将该副发光二极管芯片覆盖，该覆盖层形成有两个用于暴露该主发光二极管芯片的第二电极和该副发光二极管芯片的第一电极的开孔，及于该覆盖层的每个开孔内形成一外部连接导电体单元，每个外部连接导电体单元包含一个在该覆盖层的一对应的开孔内与由该对应的开孔所暴露的电极电气连接的第一导电体部分及一个与该第一导电体部分电气连接且突伸在该对应的开孔之外的第二导电体部分。42.一种发光二极管封装体的封装方法，其特征在于包含如下的步骤提供一个能够被激励来发出光线的主发光二极管芯片，该发光二极管芯片具有一个光线射出表面、一个与该光线射出表面相对且允许外部光线穿透的非光线射出表面、一个安装于该非光线射出表面上的具有一第一极性的第一电极、及一个安装于该非光线射出表面上的具有与该第一极性相反的第二极性的第二电极；于该发光二极管芯片的非光线射出表面上设置一副发光二极管芯片，该副发光二极管芯片具有一个有该第一极性的第一电极、及一个具有该第二极性的第二电极；形成一个用于建立至少一个在该主发光二极管芯片的其中一个电极与该逆向电压保护元件的一个具有与该主发光二极管芯片的该其中一个电极的极性相同的极性的电极之间的电气连接的电极连接导体单元；及形成至少两个用于把该第一、第二电极电气连接至外部电路的外部连接导电体单元。43.如权利要求42所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于该提供主发光二极管芯片的步骤更包含于该非光线射出表面形成一绝缘层及于该绝缘层上形成一保护层的步骤，该绝缘层形成有两个用于暴露该主发光二极管芯片的对应的电极的暴露孔，该保护层形成有两个与对应的暴露孔连通且在尺寸上较大的贯孔，在设置该副发光二极管芯片的步骤中，该副发光二极管芯片具有一个第一表面和一个安装有该第一和第二电极且与该第一表面相对的第二表面，该设置逆向电压保护元件的步骤更包含于该第二表面形成一绝缘层及于该绝缘层上形成一保护层的步骤，该绝缘层形成有两个用于暴露该副发光二极管芯片的对应的电极的暴露孔，该保护层形成有两个与对应的暴露孔连通且在尺寸上较大的贯孔，该副发光二极管芯片是以其第二表面面向该主发光二极管芯片的非光线射出表面而设置于该主发光二极管芯片的保护层上，该主发光二极管芯片的保护层的贯孔在尺寸上比该副发光二极管芯片的保护层的贯孔大，在形成电极连接导体单元的步骤中，该电极连接导体单元包含数个各形成于一对应的贯孔及与该对应的贯孔连通的暴露孔内与一对应的电极电气连接的导体，以使该主发光二极管芯片的第一电极是经由对应的导体来电气连接至该副发光二极管芯片的第一电极，而该主发光二极管芯片的第二电极是经由对应的导体来电气连接至该副发光二极管芯片的第二电极，在形成外部连接导电体单元之前，更包含于该主发光二极管芯片的保护层上形成一不透明覆盖层的步骤，该覆盖层覆盖该副发光二极管芯片而且形成有两个各用于暴露形成在该主发光二极管芯片的保护层的一对应的贯孔内的导体的一部分的开孔，及在形成外部连接导电体单元的步骤中，每个外部连接导电体单元包含一个在该覆盖层的一对应的开孔内与由该对应的开孔所暴露的导体的该部分电气连接的第一导电体部分及一个与该第一导电体部分电气连接且突伸在该对应的开孔之外的第二导电体部分。44.如权利要求42所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在提供副发光二极管芯片的步骤中，该副发光二极管芯片具有一个第一表面和一个于其上安装有该第一和第二电极且与该第一表面相对的第二表面，该副发光二极管芯片是在其的第一表面面向该主发光二极管芯片的非光线射出表面下设置于该主发光二极管芯片的非光线射出表面上，在设置该副发光二极管芯片的步骤之后，更包含形成一绝缘层于该主发光二极管芯片的非光线射出表面上及形成一保护层于该绝缘层上的步骤，该绝缘层形成有数个用于暴露该主发光二极管芯片与该副发光二极管的对应的电极的暴露孔，该保护层形成有两个各连通该绝缘层的两个分别暴露该主发光二极管芯片的一对应的电极和该副发光二极管芯片的一个具有与该主发光二极管芯片的该对应的电极的极性相同的极性的电极的贯孔，在形成电极连接导体单元的步骤中，该电极连接导体单元包含两个导体，每个导体包括一个在该绝缘层的一暴露该主发光二极管芯片的一对应的电极的暴露孔内可与该主发光二极管芯片的该一对应的电极电气连接的第一部分、一个在该保护层的一连通该绝缘层的于其内形成有该第一部分的暴露孔的贯孔内且与该第一部分电气连接的第二部分、及一个在该绝缘层的一连通该于其内形成有该第二部分的贯孔的暴露孔内可与该副发光二极管芯片的该二电极及与该第二部分电气连接的第三部分，在形成外部连接导电体单元之前，更包含于该保护层上形成一不透明覆盖层的步骤，该覆盖层形成有两个各用于暴露一对应的导体的第二部分的开孔，及在形成外部连接导电体单元的步骤中，每个外部连接导电体单元包含一个在该覆盖层的一对应的开孔内可与由该对应的开孔所暴露的导体的第二部分电气连接的第一导电体部分及一个与该第一导电体部分电气连接且突伸在该对应的开孔之外的第二导电体部分。45.如权利要求42所述的发光二极管封装体的封装方法，其特征在于在提供主发光二极管芯片的步骤之后，更包含于该主发光二极管芯片的非光线射出表面上形成一绝缘层的步骤，该绝缘层形成有两个用于暴露该主发光二极管芯片的对应的电极的暴露孔，每个暴露孔在尺寸上是比该主发光二极管芯片的电极大，在形成电极连接导体单元的步骤中，该电极连接导体单元包含两个形成于该绝缘层的对应的暴露孔内的导体以使该导体是与该主发光二极管芯片的对应的电极电气连接，在设置副发光二极管芯片的步骤中，该副发光二极管芯片具有一个第一表面和一个安装有该第一和第二电极且与该第一表面相对的第二表面，该副发光二极管芯片是以其第二表面面向该主发光二极管芯片的非光线射出表面而设置于该主发光二极管芯片的非光线射出表面上，以使该副发光二极管芯片的第一电极是经由该电极连接导体单元的一个导体来与...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。