发光二极管封装体及其封装方法技术

一种发光二极管封装体包括：一个发光二极管芯片，其具有一个电极侧表面和至少两个安装于所述电极侧表面上的电极；一个电极侧绝缘层，其形成于所述发光二极管芯片的电极侧表面上且形成有多个对应于所述多个电极的通孔；形成于所述电极侧绝缘层的每个通孔内的高传热散热层；以及形成于每个高效散热层上的高传热金属层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，更特别地，涉及一种散热性能良好且生产成本降低的。
技术介绍
图19所示为一种现有发光二极管封装体的示意侧视图。图20所示为显示相同波长与相同亮度的发光二极管芯片在封装后的规格分布的示意图。参阅图19所示，所述现有发光二极管封装体包括一个放置于导线架90上的发光二极管芯片91，及一个形成于所述导线架90上并可覆盖所述发光二极管芯片91的透镜 92。所述发光二极管芯片91的电极(图中未示出)是经由导线93来与所述导线架90 的对应的电极接脚900电连接。应注意的是，在所述发光二极管芯片91的电极侧表面上形成有荧光粉层94。所述荧光粉层94的形成包括如下步骤将液态荧光粉层材料涂布于所述发光二极管芯片91 的电极侧表面上；及以烘烤工艺使所述液态荧光粉层材料硬化以形成所述荧光粉层94。然而，目前所述荧光粉层94的形成具有如下缺点1、厚度不均勻-液态荧光粉层材料在烘烤硬化之前将向四面八方流动，因此，形成在每个发光二极管芯片91上的荧光粉层94在厚度上有所不同。2、面积不相同-与第1点同理，形成在每个发光二极管芯片91上的荧光粉层94 在面积上也会因此而有所不同。3、形状不相同-与第1点同理，形成在每个发光二极管芯片91上的荧光粉层94 在形状上也会因此而有所不同。4、相对位置偏移-与第1点同理，形成在每个发光二极管芯片91上的荧光粉层94 与对应的发光二极管芯片91的相对位置会因此而有所不同。由于以上缺点，将会导致原本相同波长且相同亮度的发光二极管芯片在封装之后变成多种色温不同、亮度不同和波长不同的发光二极管封装体，即，所谓的不良品(Side bins)。参阅图20所示，因上述问题而产生的规格分布如图所示。应注意的是，原本属于同一规格(bin)的发光二极管芯片在封装之后会分成128个规格，然而，一般将被使用的范围仅在中间的大约60%，因此，在封装之后相当于40%的发光二极管封装体会变成不良品， 因此导致生产成本增加。另一方面，由于导线93的截面积太小，因此由所述发光二极管芯片91产生的热难以经由导线架90的电极接脚900传导出来，进而影响发光二极管封装体的效能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种。根据本专利技术的一特征，提供了一种发光二极管封装体，其包括一个发光二极管芯片，其具有一个电极侧表面和至少两个安装于所述电极侧表面上的电极；一个电极侧绝缘层，其形成于所述发光二极管芯片的电极侧表面上且形成有多个对应于所述电极的通孔； 形成于所述电极侧绝缘层的每个通孔内的高传热散热层；以及形成于每个高效散热层上的高传热金属层。根据本专利技术的另一特征，提供了一种发光二极管封装体的封装方法，其包括如下步骤准备一片发光二极管晶片，所述发光二极管晶片具有多个发光二极管芯片，每个发光二极管芯片具有一个主要发光表面，所述多个发光二极管芯片的主要发光表面相当于所述发光二极管晶片的主要发光表面；在所述发光二极管晶片的主要发光表面上形成一个发光表面绝缘层；在所述发光表面绝缘层上形成各到达对应的发光二极管芯片的主要发光表面的多个通孔；以及在所述多个通孔内形成荧光粉层；由此，所有发光二极管芯片的荧光粉层均具有相同厚度、相同面积、以及相同形状，而且形成在每个发光二极管芯片的主要发光表面上的荧光粉层与对应的发光二极管芯片之间的相对位置固定不变。根据本专利技术的又一特征，提供了一种发光二极管封装体，其包括一对电极接脚； 以及一个发光二极管芯片，所述发光二极管芯片具有第一电极侧表面和第二电极侧表面， 在所述第一电极侧表面上设有第一电极，在所述第二电极侧表面上设有第二电极，所述第一电极和所述第二电极具有不同的导电性类型，所述发光二极管芯片在其第一和第二电极侧表面的电极与对应的电极接脚的接点电气接触的情况下由该对电极接脚支撑，所述发光二极管芯片的电极侧表面涂布有钻石薄膜，因此，热能够经由所述钻石薄膜有效地从电极接脚传导离开所述透镜内部。根据本专利技术的再一特征，提供了一种发光模块，其包括一个发光组件，所述发光组件包括长形的印刷电路板，在所述印刷电路板上以覆晶方式安装有多个发光二极管封装体；以及一个导光组件，所述导光组件包括一个安装在所述印刷电路板上的扩散板，在所述扩散板的面向所述印刷电路板的表面上形成有多个适于容置安装在所述印刷电路板上的对应的发光二极管封装体的容置凹陷部。附图说明图1所示为本专利技术第一优选实施例的发光二极管封装体的示意剖视图；图2至图3所示为用于制造在图1中所示的发光二极管封装体的方法的示意剖视图；图4所示为本专利技术第二优选实施例的发光二极管封装体的示意剖视图；图5至7所示为用于制造在图4中所示的发光二极管封装体的方法的示意剖视图；图8和9所示为每个介层孔暴露两个或者更多个LED芯片的主要发光表面的状态的示意图；图10所示为本专利技术的第二优选实施例的发光二极管封装体的变化的示意剖视5图11所示为本专利技术第二优选实施例的发光二极管封装体的变化的示意剖视图；图12(A)和12(B)所示为本专利技术第三优选实施例的发光二极管封装体的示意图；图13 (A)和13 (B)所示为本专利技术第三优选实施例的发光二极管封装体的变化的示意图；图14至16所示为使用本专利技术的发光二极管封装体的背光模块的示意图；图17所示为本专利技术第二优选实施例的发光二极管封装体的变化的示意剖视图；图18所示为在图17中所示的发光二极管封装体的背光模块的示意图；图19所示为现有发光二极管封装体的示意图；图20所示为相同波长与相同亮度的发光二极管芯片在封装后的规格分布的示意图；图21所示为本专利技术第四优选实施例的发光二极管封装体的示意图；以及图22所示为本专利技术的第二优选实施例的变化的示意剖视图。具体实施例方式在以下本专利技术优选实施例的详细说明中，相同或类似的组件由相同的标号标示， 而且它们的详细描述将被省略。此外，为了清楚揭示本专利技术的特征，附图中的组件并非按实际比例描绘。图1所示为本专利技术第一优选实施例的发光二极管封装体的示意剖视图，而图2至 3所示为以流程图方式示出制造在图1中所示的发光二极管封装体的方法的示意剖视图。如在图1至3中所示，在一个具有多个发光二极管芯片1的发光二极管晶片W的电极侧表面WlO上形成有一个电极侧绝缘层2。所述电极侧绝缘层2形成有暴露所述发光二极管晶片W的对应的发光二极管芯片1的电极11的通孔20。在每个通孔20内依次形成有一个形成于所述电极侧表面10上的高传热散热层30和一个形成于所述高传热散热层 30上的高传热金属层31。在本实施例中，所述高传热散热层30由诸如热解石墨与烈解石墨的具有400W/ (m · K)至700W/(m · K)的热传导系数的材料形成，或者由诸如钻石墨的具有900W/(m · K) 至1200W/(m· 的热传导系数的材料形成。另一方面，所述高传热金属层31可以由镍层和金层或者铝层和铜层形成，如在图11中所示。或者，所述金属层31可以由铜层形成。或者，所述金属层31可以由任何适合的金属层或合金层形成，诸如Al、Α1Ν3、Cu、BN3等。接着，多个各沿着对应的切割线CL延伸的凹槽13形成在发光二极管晶片W的与所述电极侧表面WlO相对的主要发光表面W12上。然后，如在图3中所示，荧光粉层41和保护层42依次形成在所述发光二极管晶片 W的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光二极管封装体的封装方法，其特征在于包括以下步骤：准备一片发光二极管晶片，所述发光二极管晶片具有多个发光二极管芯片，每个发光二极管芯片具有一个主要发光表面，所述多个发光二极管芯片的主要发光表面相当于所述发光二极管晶片的主要发光表面；在所述发光二极管晶片的主要发光表面上形成一个发光表面绝缘层；在所述发光表面绝缘层上形成多个各到达对应的发光二极管芯片的主要发光表面的通孔；以及在所述多个通孔内形成荧光粉层；由此，所有发光二极管芯片的荧光粉层均具有相同厚度、相同面积、以及相同形状，而且形成于每个发光二极管芯片的主要发光表面上的荧光粉层与对应的发光二极管芯片之间的相对位置固定不变。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈育浓，
申请(专利权)人：沈育浓，
类型：发明
国别省市：71