半导体晶片封装体及其封装方法技术

一种半导体晶片封装体包含：一个半导体基体，其具有一个安装有焊垫的焊垫安装表面、一个与该安装表面相对的后表面、及数个形成在该基体的两侧表面上的半圆形孔；一个形成于该基体的焊垫安装表面上的绝缘层，该绝缘层是形成有数个用于曝露该基体的对应的焊垫的通孔及与该基体的两侧表面上的半圆形孔对准的半圆形孔；数个各从一对应的焊垫经由对应的半圆形孔延伸到该基体的后表面的预定位置的导体；一个形成在该基体的焊垫安装表面上的上覆盖层，该上覆盖层是形成有数个用于曝露对应的导体的一部分的曝露孔；一个形成在该基体的后表面上的下覆盖层，该下覆盖层是形成有数个用于曝露对应的导体的一部分的曝露孔；及数个各形成在该上覆盖层的一对应的曝露孔内的外部电路连接点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种，更特别地，关于一 种适于被堆叠起来的。
技术介绍
微型化是电子装置持续进行的趋势，而针对在电子装置中所使用的半 导体记忆体而言，堆叠式结构是其中一种促进微型化的方式。然而，整体 堆叠后的厚度以及层与层之间的电气连接因会分别影响整体高度和电气特 性而因此是堆叠式结构优与劣的关键。
技术实现思路
本专利技术的目的是为提供一种。 根据本专利技术的一特征， 一种半导体晶片封装体是被提供，其包含一 个半导体基体，其具有一个焊垫安装表面、 一个与该上表面相对的后表面、 数个形成于该上表面上的焊垫、及数个形成在该半导体基体的两侧表面上 的大致半圆形孔； 一个形成于该半导体基体的焊垫安装表面上的绝缘层，该绝缘层是形成有数个用于曝露该半导体基体的对应的焊垫的通孔及与该半导体基体的两侧表面上的大致半圆形孔对准的大致半圆形孔；数个各从一对应的焊垫经由对应的半圆形孔延伸到该半导体基体的后表面的预定位置的导体； 一个形成在该半导体基体的焊垫安装表面上的上覆盖层，该上 覆盖层是形成有数个用于曝露对应的导体的一部分的曝露孔； 一个形成在 该半导体基体的后表面上的下覆盖层，该下覆盖层是形成有数个用于曝露 对应的导体的一部分的曝露孔；及数个各形成在该上覆盖层的一对应的曝 露孔内的外部电路连接点。根据本专利技术的另一特征， 一种半导体晶片封装体是被提供，其包含 一个半导体基体，其具有一个焊垫安装表面及数个形成于该上表面上的焊9垫； 一个形成于该半导体基体的焊垫安装表面上的绝缘层，该绝缘层是形 成有数个用于曝露该半导体基体的对应的焊垫的通孔，而且具有斜的边缘 表面以致于其具有一个梯形横截面； 一个形成于该绝缘层上的导线形成层， 该导线形成层是形成有数个各与该绝缘层的一对应的通孔连通且曝露该绝 缘层的一部分的穿孔，该导线形成层亦具有斜的边缘表面俾可与该绝缘层 的对应的边缘表面形成连续的边缘表面；充填在连通的该绝缘层的通孔与 该导线形成层的穿孔内的导电金属胶； 一个覆盖该导线形成层的绝缘保护 层，该绝缘保护层是形成有用于曝露对应的导电金属胶的一部分的曝露孔; 及数个各形成在该保护层的一对应的曝露孔内的外部电路连接点。根据本专利技术的又另一特征， 一种半导体晶片封装体是被提供，其包含: 一个半导体基体，其具有一个焊垫安装表面、 一个与该上表面相对的后表 面、及数个形成于该上表面上的焊垫； 一个形成于该半导体基体的焊垫安 装表面、侧表面、以及后表面上的绝缘包覆层，该绝缘包覆层是形成有数 个用于曝露该半导体基体的对应的焊垫的通孔；数个各从一对应的焊垫延 伸到该半导体基体的后表面的预定位置的导体； 一个形成在该绝缘包覆层 的在半导体基体的焊垫安装表面上的包覆层部分俾可覆盖在该半导体基体 的焊垫安装表面之上的导体部分的上覆盖层，该上覆盖层是形成有数个用 于曝露对应的导体的一部分的曝露孔； 一个形成在该绝缘包覆层的在半导 体基体的后表面上的包覆层部分俾可覆盖在该半导体基体的后表面之上的 导体部分的的下覆盖层，该下覆盖层是形成有数个用于曝露对应的导体的 一部分的曝露孔；及数个各形成在该上绝缘层的一对应的曝露孔内的外部 电路连接点。根据本专利技术的再另一特征， 一种半导体晶片封装体的封装方法是被提 供，其包含如下的步骤提供一个半导体晶圆，该半导体晶圆具有数个半 导体晶片区域，每个半导体晶片区域包含一个半导体基体，每个半导体基 体具有一个焊垫安装表面、 一个与该焊垫安装表面相对的后表面、及数个 安装于该焊垫安装表面上的焊垫，这些半导体基体的焊垫安装表面共同形 成该半导体晶圆的焊垫安装表面，而这些半导体基体的后表面共同形成该 半导休晶圆的后表面；于该半导体晶圆的焊垫安装表面上形成一个绝缘层 俾可覆盖这些焊垫，该绝缘层是藉由曝光与显影来形成有数个用于曝露对应的焊垫的通孔和数个沿着晶圆切割线排列且中央部分是与切割线对准的 贯孔；于该绝缘层上形成一个导线形成层俾可覆盖这些焊垫，该导线形成 层是藉由曝光与显影来形成有数个各与对应的通孔和与对应的贯孔连通的 穿孔；于该晶圆的基体上形成数个各与绝缘层的一对应的贯孔连通的贯孔 以致于晶圆的基体和绝缘层的对准的贯孔是共同形成贯穿孔；以导电金属 胶充填这些通孔、这些穿孔、以及由对准的贯孔所形成的贯穿孔；于该半 导体晶圆的后表面上形成一个背面绝缘层，该背面绝缘层是藉由曝光和显 影来形成有数个各与一对应的贯孔连通的通孔；以导电金属胶充填该背面 绝缘层的通孔；于该背面绝缘层和该导线形成层上分别形成一个下绝缘保 护层和一个上绝缘保护层，这些保护层是藉由曝光和显影来形成有用于曝 露对应的导电金属胶的一部分的曝露孔；及在上绝缘保护层的每个曝露孔 内形成一个外部电路连接点，并沿着切割线切割该半导体晶圆。根据本专利技术的再又另一特征， 一种半导体晶片封装体的封装方法是被 提供，其包含如下的步骤提供一个半导体晶圆，该半导体晶圆具有数个 半导体晶片区域，每个半导体晶片区域包含一个半导体基体，每个半导体 基体具有一个焊垫安装表面、 一个与该焊垫安装表面相对的后表而、及数 个安装于该焊垫安装表面上的焊垫，这些半导体基体的焊垫安装表面共同 形成该半导体晶圆的焊垫安装表面，而这些半导体基体的后表面共同形成 该半导体晶圆的后表面；沿着该半导体晶圆的每一条切割线形成一个凹槽；于该半导体晶圆的焊垫安装表面上形成一个绝缘层俾可覆盖这些焊垫，该 绝缘层是藉由曝光和显影来形成有数个用于曝露对应的焊垫的通孔和数个 沿着晶圆切割线排列且中央部分是与切割线对准的贯孔；于该绝缘层上形 成一个导线形成层俾可覆盖这些焊垫，该导线形成层是藉由曝光和显影来 形成有数个各与对应的通孔和与对应的贯孔连通的穿孔；以导电金属胶充 填这些通孔、穿孔、以及贯孔；于该半导体晶圆的后表面上沿着每一条切 割线形成一个凹槽；于该半导体晶圆的后表面上形成一个背面绝缘层，该 背面绝缘层是藉着曝光和显影来形成有数个各与一对应的贯孔连通的通 孔；于该背面绝缘层上形成一个背面导线形成层，该背面导线形成层是藉 由曝光和显影来形成有数个各与对应的通孔连通的穿孔；以导电金属胶充 填这些穿孔和通孔；于该背面导线形成层和该导线形成层上分别形成有一个下绝缘保护层和一个上绝缘保护层，这些绝缘保护层是借着曝光和显影 来在预定的位置形成有用于曝露对应的导电金属胶的一部分的曝露孔；及 在该上绝缘保护层的每个曝露孔内形成有一个外部电路连接点，并沿着切 割线切割该半导体晶圆。根据本专利技术的另 一特征， 一种半导体晶片封装体的封装方法是被提供， 其包含如下的步骤提供一个半导体晶圆，该半导体晶圆具有数个半导体 晶片区域，每个半导体晶片区域包含一个半导体基体，每个半导体基体具 有一个焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫，这些半导体基体的焊垫安装表面共同形成该半导体晶圆的焊垫安装表面；于该半导体晶圆的焊垫安装表面上形成一个绝缘层，该绝缘层是藉由曝光和显影来形 成有数个用于曝露对应的焊垫的通孔和数个各沿着一条晶圆切割线延仲且曝露该晶圆的表面的曝露孔；于该绝缘层上形成一个导线形成层俾可覆盖 这些焊垫，该绝缘层是藉由曝光和显影来形成有数个各与对应的通孔连通的穿孔和数个各与一对应的曝露孔连通的曝露孔；以导电金属胶充填这些 通孔；于该导线形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片封装体，其特征在于，包含：　一个半导体基体，其具有一个焊垫安装表面、一个与该焊垫安装表面相对的后表面、数个形成于该焊垫安装表面上的焊垫、及数个形成在该半导体基体的两侧表面上的大致半圆形孔；　一个形成于该半导体基体的 焊垫安装表面上的绝缘层，该绝缘层是形成有数个用于曝露该半导体基体的对应的焊垫的通孔及与该半导体基体的两侧表面上的大致半圆形孔对准的大致半圆形孔；　至少一个从其中一个焊垫经由至少一个半圆形孔延伸到该半导体基体的后表面的预定位置的导体；　 　一个形成在该半导体基体的焊垫安装表面上的上覆盖层，该上覆盖层是形成有数个用于曝露在该焊垫安装表面之上的对应的导体的一部分的曝露孔；　一个形成在该半导体基体的后表面上的下覆盖层，该下覆盖层是形成有数个用于曝露在该后表面上的对应的导 体的一部分的曝露孔；及　数个各形成在该上覆盖层的一对应的曝露孔内的外部电路连接点。

【技术特征摘要】
1、一种半导体晶片封装体，其特征在于，包含一个半导体基体，其具有一个焊垫安装表面、一个与该焊垫安装表面相对的后表面、数个形成于该焊垫安装表面上的焊垫、及数个形成在该半导体基体的两侧表面上的大致半圆形孔；一个形成于该半导体基体的焊垫安装表面上的绝缘层，该绝缘层是形成有数个用于曝露该半导体基体的对应的焊垫的通孔及与该半导体基体的两侧表面上的大致半圆形孔对准的大致半圆形孔；至少一个从其中一个焊垫经由至少一个半圆形孔延伸到该半导体基体的后表面的预定位置的导体；一个形成在该半导体基体的焊垫安装表面上的上覆盖层，该上覆盖层是形成有数个用于曝露在该焊垫安装表面之上的对应的导体的一部分的曝露孔；一个形成在该半导体基体的后表面上的下覆盖层，该下覆盖层是形成有数个用于曝露在该后表面上的对应的导体的一部分的曝露孔；及数个各形成在该上覆盖层的一对应的曝露孔内的外部电路连接点。2、 如权利要求l所述的半导体晶片封装体，其特征更在于，包含形成 于每个焊垫上的导电金属层。3、 如权利要求l所述的半导体晶片封装体，其特征更在于，包含数个 形成于对应的导体的在半导体基体的焊垫安装表面之上和后表面之上的导 体部分上的导电金属层。4、 如权利要求3所述的半导体晶片封装体，其特征在于，这些导电金 属层中的每一个可以包含叠置的一个镍层与一个金层。5、 一种半导体晶片封装体，其特征在于，包含一个半导体基体，其具有一个焊垫安装表面及数个形成于该上表面上的焊垫；一个形成于该半导体基体的焊垫安装表面上的绝缘层，该绝缘层是形 成有数个用于曝露该半导体基体的对应的焊垫的通孔，而且具有斜的边缘表面以致于其具有一个梯形横截面；一个形成于该绝缘层上的导线形成层，该导线形成层是形成有至少一 个与该绝缘层的其中一个通孔连通且曝露该绝缘层的一部分的穿孔，该导 线形成层亦具有斜的边缘表面俾可与该绝缘层的对应的边缘表面形成连续 的边缘表面；充填在连通的该绝缘层的通孔与该导线形成层的穿孔内的导电金属一个覆盖该导线形成层的绝缘保护层，该绝缘保护层是形成有用于曝 露对应的导电金属胶的-一部分的曝露孔；及数个各形成在该保护层的一对应的曝露孔内的外部电路连接点。6、如权利要求5所述的半导体晶片封装体，其特征在于，更包含形成于 该半导体基体的每个焊垫上的导电金属层。7、 如权利要求5所述的半导体晶片封装体，其特征在于，更包含形成 于在导线形成层的每个穿孔内的导电金属胶的表面上的导电金属层。8、 如权利要求7所述的半导体晶片封装体，其特征在于，这些导电金 属层中的每一个可以包含叠置的一个镍层与一个金层。9、 一种半导体晶片封装体，其特征在于，包含一个半导体基体，其具有一个焊垫安装表面、 一个与该上表面相对的后表面、及数个形成于该上表面上的焊垫；一个形成于该半导体基体的焊垫安装表面、侧表面、以及后表面上的绝缘包覆层，该绝缘包覆层是形成有至少一个用于曝露该半导体基体的其 中一个焊垫的通孔；至少一个从该其中一个焊垫延伸到该半导体基体的后表面的预定位置的导体；一个形成在该绝缘包覆层的在半导体基体的焊垫安装表面上的包覆层 部分俾可覆盖在该半导体基体的焊垫安装表面之上的导体部分的上覆盖层，该上覆盖层是形成有数个用于曝露对应的导体部分的一部分的曝露孔； 一个形成在该绝缘包覆层的在半导体基体的后表面上的包覆层部分俾 可覆盖在该半导体基体的后表面之上的导体部分的的下覆盖层，该下覆盖 层是形成有数个用于曝露对应的导体部分的一部分的曝露孔；及数个各形成在该上绝缘层的一对应的曝露孔内的外部电路连接点。10、 如权利要求9所述的半导体晶片封装体，其特征在于，更包含形 成于该半导体基体的每个焊垫上的导电金属层。11、 如权利要求9所述的半导体晶片封装体，其特征在于，更包含形 成于在导线形成层的每个穿孔内的导电金属胶的表面上的导电金属层。12、 如权利要求ll所述的半导体晶片封装体，其特征在于， 这些导电金属层中的每一个可以包含叠置的一个镍层与一个金层。13、 一种半导体晶片封装体的封装方法，其特征在于，包含如下的步骤提供一个半导体晶圆，该半导体晶圆具有数个半导体晶片区域，每个 半导体晶片区域包含一个半导体基体，每个半导体基体具有一个焊垫安装 表面、 一个与该焊垫安装表面相对的后表面、及数个安装于该焊垫安装表 面上的焊垫，这些半导体基体的焊垫安装表面共同形成该半导体晶圆的焊 垫安装表面，而这些半导体基体的后表面共同形成该半导体晶圆的后表面;于该半导体晶圆的焊垫安装表面上形成一个绝缘层俾可覆盖这些焊 垫，该绝缘层是藉由曝光与显影来形成有至少一个用于曝露其中一个焊垫 的通孔和至少一个沿着晶圆切割线排列且中央部分是与切割线对准的贯 孔；于该绝缘层上形成一个导线形成层俾可覆盖这些焊垫，该导线形成层是藉由曝光与显影来形成有数个各与对应的通孔和与对应的贯孔连通的穿 孔；于该晶圆的基体上形成数个各与绝缘层的一对应的贯孔连通的贯孔以致于晶圆的基体和绝缘层的连通的贯孔是共同形成贯穿孔；以导电金属胶充填这些通孔、这些穿孔、以及由连通的贯孔所形成的 贯穿孔；于该半导体晶圆的后表面上...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈育浓，
申请(专利权)人：沈育浓，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]