树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极制造技术

树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的Ｐ、Ｎ电极，涉及一种发光二极管芯片，尤其是涉及一种树叶脉络形大功率ＧａＮ基ＬＥＤ芯片的Ｐ、Ｎ电极。提供一种不仅能使芯片的电流较均匀地扩展，而且对散热和减小光线的全反射也有一定帮助的树叶脉络形大功率ＧａＮ基ＬＥＤ芯片的Ｐ、Ｎ电极。设有Ｐ电极和Ｎ电极，在ＧａＮ外延片的正面刻蚀出沟槽，将芯片分成至少２个小区域的集合，在Ｐ型ＧａＮ的表面生长一层透明导电层，在透明导电层上淀积Ｐ型电极，在沟槽内淀积Ｎ型电极，Ｎ型电极沿芯片对角线分布成树叶脉络的形状，Ｐ型电极环绕在芯片的边缘，并有触角伸出。可使大功率ＧａＮ基ＬＥＤ的电流在Ｐ、Ｎ电极之间更均匀地扩散，提高发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管(LED)芯片，尤其是涉及一种树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。
技术介绍
目前常用的正面出光大功率GaN基LED芯片采用梳状电极设计，这种设计无法保证P、N电极之间电流的均匀扩散，占用芯片表面积较大，使得有效发光面积减小，且无法解决芯片散热与光全反射严重的问题，造成芯片抽光效率低下。方大集团股份有限公司在公开号为CN1595668的专利技术专利申请中提供一种蓝宝石衬底发光二极管芯片的电极制作方法，可采用三步法，具体的方法步骤依次分别为PT超薄透明电极光刻与蒸镀、P电极光刻与蒸镀、合金、PN电极光刻与蒸镀；或者采用两步法，具体的方法步骤依次分别为PT超薄透明电极光刻与蒸镀、合金、PN电极光刻与蒸镀，来达到提高生产效率，降低生产成本，改善产品质量的目的。厦门大学在公开号为CN1039681的专利技术专利申请中提供一种磷化镓发光二极管电极制备工艺，主要包括外延片的预处理，采用真空镀膜方法分别在P面和N面蒸发上含有受主掺杂剂、施主掺杂剂的金基电极，光刻电极圆点，并通过气流进行合金热处理，蒸发电极采用具有三层电极的结构，P面镀膜的第一层用Au-S本文档来自技高网...

【技术保护点】
树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的Ｐ、Ｎ电极，其特征在于设有Ｐ电极和Ｎ电极，在ＧａＮ外延片的正面刻蚀出沟槽，将芯片分成至少２个小区域的集合，在Ｐ型ＧａＮ的表面生长一层透明导电层，在透明导电层上淀积Ｐ型电极，在沟槽内淀积Ｎ型电极，Ｎ型电极沿芯片对角线分布成树叶脉络的形状，Ｐ型电极环绕在芯片的边缘，并有触角伸出。

【技术特征摘要】
1.树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极，其特征在于设有P电极和N电极，在GaN外延片的正面刻蚀出沟槽，将芯片分成至少2个小区域的集合，在P型GaN的表面生长一层透明导电层，在透明导电层上淀积P型电极，在沟槽内淀积N型电极，N型电极沿芯片对角线分布成树叶脉络的形状...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘学林，康俊勇，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：92[中国|厦门]