【技术实现步骤摘要】
本说明涉及。
技术介绍
近来，GaN基的发光二极管作为蓝光和绿光发光二极管已经引起了关注。用作有源层的InxGa1-xN公知为具有宽的能带带隙的材料，并由此能根据In的成分发出整个可见光范围内的光。这种发光二极管具有广泛的应用，包括标志牌、显示设备、用于背光的设备、灯泡等，并且其应用范围渐渐扩大。由此，开发高品质的发光二极管非常重要。图1是概略地示出常规发光二极管(LED)结构的截面图。N-GaN层(101)、有源层(102)和P-GaN层(103)被顺序地叠置在蓝宝石衬底(100)上。从P-GaN层(103)至N-GaN层(101)进行台面蚀刻(mesa-etch)。透明电极(104)和P-金属层(105)被顺序地形成在P-GaN层(103)上。N-金属层(106)形成于台面蚀刻后的N-GaN层(101)上。使用粘接剂(108)将由此构成的二极管接合到制模杯。N-金属层(106)被引线接合到与外部引出线相连的第一引线框架(109a)。P-金属层(105)被引线接合到与另一外部引出线相连的第二引线框架(1 09b)。现在，描述LED的操作。当通过N和P电极施加...
【技术保护点】
一种制造发光二极管的方法，包括：形成激光剥离（ＬＬＯ）层，该激光剥离（ＬＬＯ）层将通过在衬底上照射的激光束来移除的；在ＬＬＯ层上形成具有第一极性的第一层、有源层和具有与第一极性相反的极性的第二层；和通过将激光经由衬底 照射到ＬＬＯ层上来移除ＬＬＯ层，以分离衬底。
【技术特征摘要】
KR 2005-5-27 10-2005-00448561.一种制造发光二极管的方法，包括形成激光剥离(LLO)层，该激光剥离(LLO)层将通过在衬底上照射的激光束来移除的；在LLO层上形成具有第一极性的第一层、有源层和具有与第一极性相反的极性的第二层；和通过将激光经由衬底照射到LLO层上来移除LLO层，以分离衬底。2.根据权利要求1的方法，还包括在第二层上形成金属结构或含有金属的结构。3.根据权利要求1或2的方法，其中，在第一层和LLO层之间，在LLO层的顶部和底部之外的至少一个或多个表面上还形成未掺杂的半导体层。4.一种制造发光二极管的方法，包括在氮化物半导体衬底上形成第一半导体层和由GaN、InGaN、AlGaN和InAlGaN中的至少一种制成的激光剥离(LLO)层；在第一半导体层上形成有源层、第二半导体层和第一电极；进行激光剥离工艺，其中将激光束经由氮化物半导体衬底照射到LLO层上，以分离氮化物半导体衬底；和在第一半导体层底部下方形成第二电极。5.根据权利要求4的方法，还包括在第一电极形成步骤和激光剥离步骤之间，在第一电极上形成支撑。6.根据权利要求4的方法，还包括在进行激光剥离步骤之前，在第一电极上形成凸点下金属(UBM)层。7.根据权利要求6的方法，其中UBM层由从Ti/Pt/Au、Ti/Au、Ni/Au和Pt/Au中选出的任一种制成。8.一种制造发光二极管的方法，包括在氮化物半导体衬底上形成第一半导体层和由GaN、InGaN、AlGaN和InAlGaN中的至少一种制成的激光剥离(LLO)层；在第一半导体层上形成有源层和第二半导体层；在第二半导体层上形成载体；进行激光剥离工艺，其中将激光束经由氮化物半导体衬底照射到LLO层上，以分离氮化物半导体衬底；移除在第二半导体层上形成的载体；和在第二半导体层上形成电极。9.根据权利要求8的方法，还包括在激光剥离步骤和载体移除步骤之间，在第一半导体层上形成金属支撑。10.根据权利要求4至8中任一项的方法，其中，在氮化物半导体层上形成激光剥离(LLO)层和第一半导体层的步骤之间，在LLO层的顶部和底部之外的至少一个或多个表面上形成未掺杂的半导体层。11.根据权利要求1、4和9中任一项的方法，其中LLO层具有范围为1～3μm的厚度。12.根据权利要求4或8的方法，其中，LLO层的能带带隙小于氮化物半导体衬底...
【专利技术属性】
技术研发人员：林时钟，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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