【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及半可熔连接系统和方法，更具体地涉及用于多层集成电路的这种改进的半可熔连接系统和方法。
技术介绍
可熔连接通常被用在集成电路(IC)中以调整一个或一个以上的IC参数。典型的可熔连接具有完整状态和熔化状态。在完整状态下，可熔连接提供非常低的电阻，而在熔化状态下，可熔连接提供开路。可熔连接的应用例子是调整具有与电阻器串联的可熔连接的IC的偏移电压，配置电阻器使得可通过熔化适当连接来调整放大器的偏移输入和地之间的电阻。典型的现有可熔连接系统包括大的MOS晶体管选择器电路，其提供大电流以熔化可熔连接元件。可熔连接的大晶体管浪费IC上的有用芯片空间。克服与大选择器电路有关的问题的另一类可熔连接公知为半可熔连接。半可熔连接在完整状态下具有第一电阻而在熔化状态下具有第二较高电阻(不是开路)。典型的现有技术半可熔连接使用薄膜电阻器，其减小熔化可熔连接所需的电流量并因此减小IC上所用的空间量。半可熔连接的例子在美国专利No.6,246,243中被揭示，该专利并入此处以供参考。美国专利’243一般包括半可熔连接元件、选择晶体管、连接到半可熔连接元件的有源电路、和互...
【技术保护点】
一种用于多层集成电路的半可熔连接系统，多层集成电路包括具有金属一层的第一层上的有源电路，其包括：第二层上的半可熔连接元件，所述第二层具有适于与所述金属一层互连的金属二层，和置于所述第一层上的选择器电路。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-7-2 60/484,369;US 2004-2-12 10/777,3371.一种用于多层集成电路的半可熔连接系统，多层集成电路包括具有金属一层的第一层上的有源电路，其包括第二层上的半可熔连接元件，所述第二层具有适于与所述金属一层互连的金属二层，和置于所述第一层上的选择器电路。2.如权利要求1所述的半可熔连接系统，其进一步包括至少一个互连，其耦合所述金属一层和所述金属二层，用于提供所述可熔连接元件和所述有源电路之间的电气耦合。3.如权利要求1所述的半可熔连接系统，进一步包括置于所述第二层上的半可熔连接元件阵列。4.如权利要求1所述的半可熔连接系统，其中所述选择器电路选择所述半可熔连接元件阵列中的一个半可熔连接元件。5.如权利要求3所述的半可熔连接系统，其中所述选择器电路包括晶体管。6.如权利要求5所述的半可熔连接系统，其中所述选择器电路包括NMOS晶体管。7.如权利要求1所述的半可熔连接系统，其中所述选择器电路包括NMOS晶体管。8.如权利要求1所述的半可熔连接系统，其中所述半可熔连接元件包括硅铬。9.如权利要求1所述的半可熔连接系统，其中所述第二层位于所述第一层上方。10.如权利要求1所述的半可熔连接系统，其中所述半可熔连接置于所述有源电路上方。11.如权利要求1所述的半可熔连接系统，其中所述半可熔连接置于所述有源电路和所述选择器电路上方。12.如权利要求1所述的半可熔连接系统，其中所述有源电路熔化所述半可熔连接元件以引起所述集成电路的参数改变。13.如权利要求1所述的半可熔连接系统，其中所述选择器电路熔化所述半可熔连接元件以引起所述集成电路选择器电路的参数改变。14.如权利要求1所述的半可熔连接系统，其中所述半可熔连接元件包括薄膜电阻器。15.一种用于多层集成电路的半可熔连接系统，该多层集成电路包括具有金属一层的第一层上的有源电路，该半可熔连接系统包括第二层上的半可熔连接元件，所述第二层具有适于与所述金属一层互连的金属二层，所述第二层在所述第一层上方；至少一个互连，其耦合所述金属一层和所述金属二层，以便提供所述半可熔连接元件和所述有源电路之间的电气耦合；和置于所述第一层上的选择器电路。16.如权利要求15所述的半可熔连接系统，其中所述选择器电路包括晶体管。17.如权利要求16所述的半可熔连接系统，其中所述选择器电路包括NMOS晶体管。18.如权利要求15所述的半可熔连接系统，其中所述半可熔连接元件包括硅铬。19.如权利要求15所述的半可熔连接系统，其中所述半可熔连接元件包括薄膜电阻器。20.如权利要求15所...
【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼斯J多伊尔，
申请(专利权)人：阿纳洛格装置公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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