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用于多层集成电路的半可熔连接系统和方法，多层集成电路包括具有金属一层的第一层上的有源电路，该半可熔连接系统包括具有金属二层的第二层上的半可熔连接元件，金属二层适于与金属一层互连，以及置于第一层上的选择器电路。...
该专利属于阿纳洛格装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿纳洛格装置公司授权不得商用。

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