【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光二极管装置，在该装置中LED小片(dice)(发光二极管芯片(chip))被布置在散热板上。
技术介绍
为了实现具有更高亮度的LED的应用，在近代使用运行功率大于1瓦特(电学的)的功率日益增高的LED。当前，这些LED小片的芯片面积在1mm2的范围之内。人们期望的是在将来，每一LED的运行功率能够进一步地增长，这样一方面可借助于更大的半导体来实现，另一方面可借助于更高的电流密度来实现。特别地，电流密度的增长造成在不久的将来，功率密度可以从当前的1至2瓦特电/mm2提高到4瓦特电/mm2以上。随着功率密度的增长，有必要同时提出要散发相应地也发生增长的热损耗，以便确保热损耗能够充分地从半导体放出。LED在运行期间的过高发热会造成，换句话说尤其会造成零部件的毁坏。由于这个原因，必须确保在LED的运行期间，LED的p-n结的边界层的温度不能超过，例如125℃。这种危险，更确切地说，在于只有LED占用电功率的一部分转换成光，而其他部分转换成热量(目前LED的光效率仍然低于10％)。因此要根据安装(组装)类型、装配和环境条件，来选择LED的操作参数，以便...
【技术保护点】
一种发光二极管装置，具有：至少一个发光二极管芯片（１），多层板（１７），该多层板具有由特别是金属的良好导热材料构成的基底（５），和位于发光二极管芯片（１）的发光表面和该板之间的电绝缘且导热的连接层（２）。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2003-11-7 103 51 934.31.一种发光二极管装置，具有至少一个发光二极管芯片(1)，多层板(17)，该多层板具有由特别是金属的良好导热材料构成的基底(5)，和位于发光二极管芯片(1)的发光表面和该板之间的电绝缘且导热的连接层(2)。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电绝缘的连接层(2)至少是发光二极管芯片(1)的朝向板(17)的边界面(15)。3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述电绝缘的连接层至少是粘合层(2)。4.根据前面任一项权利要求所述的装置，其特征在于，所述发光二极管芯片(1)容纳于板(17)的凹陷(16)中。5.根据前面任一项权利要求所述的装置，其特征在于，所述发光二极管芯片(1)布置于板(17)的基底材料(5)的凹陷(12)的区域中。6.根据权利要求4或5所述的装置，其特征在于，所述发光二极管芯片(1)不突出到板(17)的轮廓以外。7.根据权利要求4至6中任一项所述的装置，其特征在于，所述发光二极管芯片(1)以板(17)的上表面作为端面。8.根据权利要求4至6中任一项所述的装置，其特征在于，所述凹陷(12，16)具有反射器的功能。9.根据权利要求4至8中任一项所述的装置，其特征在于，所述凹陷(12，16)的壁至少部分地倾斜。10.根据前面任一项权利要求所述的装置，其特征在于，所述发光二极管芯片(1)被布置为，使发光二极管的基片朝向板(17)。11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述发光二极管的基片由电绝缘材料构成。12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，所述发光二极管的基片由蓝宝石构成。13.根据权利要求1至19中任一项所述的装置，其特征在于，所述发光二极管芯片(1)被布置为，使发光二极管的基片远离板(5)。14.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，在发光二极管芯片(1)和板(17)之间布置与...
【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂芬塔施，汉斯霍斯西普夫，
申请(专利权)人：特里多尼克光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：AT[奥地利]
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