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一种制造发光二极管的方法，其中激光剥离（ＬＬＯ）层和外延层形成于氮化物半导体衬底上，然后通过激光剥离工艺分离氮化物半导体衬底，由此提高了外延层的特性，并能够制造高品质且高效率的发光二极管。而且，由此分离的ＬＬＯ层使用激光束来移除，以便重新使...
该专利属于LG电子株式会社;LG伊诺特有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过LG电子株式会社;LG伊诺特有限公司授权不得商用。

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