桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种可解决Ｐ电极和Ｎ电极边缘间发光损失的桥式Ｎ电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法，通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基ＬＥＤ的多层材料结构，经过光刻、淀积、刻蚀、蒸发、剥离等步骤制备，其结构包括：淀积在氮化镓基基片上的至少一片状Ｐ电极和至少两个Ｎ电极；Ｎ电极为呈点状分布于片状Ｐ电极之间的多个点状Ｎ电极；淀积在点状Ｎ电极之间的条状绝缘介质层；以及蒸镀在条状绝缘介质层上，并与相应Ｎ电极相连接的金属反射薄膜层。可以增加Ｐ型区面积，减小结电流密度，提高内、外量子效率，并且芯片有更高的饱和电流，大幅提高了倒装焊ＬＥＤ芯片的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管(桥式N电极型GaN基大管芯LED)及制备方法。
技术介绍
在半导体照明领域，在非光出射端面上的光损失一直是倒装焊LED芯片发光效率难以更大幅度提高的问题之一，氮化镓基化合物半导体材料具有宽禁带直接带隙，可以用来制作绿光、蓝光和紫外光LED，在普通LED的基础上，通过增加管芯尺寸，即所谓大管芯LED，能够提高发光功率，同时为了进一步提高发光功率和有利于器件散热，通常采用倒装焊技术，使氮化镓基大管芯LED倒装焊在硅基片上，产生的光从双抛面蓝宝石端出光，但是有很大一部分光在面向硅基片的非出光端面损失掉了，从而限制了GaN基大管芯LED发光功率的提高。本专利技术采用N电极多点桥式连接，有效减少了N、P电极间形成的PN结边缘长度，增大了P型发光区面积，减小了PN结电流密度；同时利用了电极边缘区域的光反射，这使得LED出光效率大大提高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中的发光二极管的上述缺陷，而提供一种桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法，可以提高GaN基倒装焊LED芯片的内、外量子效率，使其发光效率得以提高。本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种桥式Ｎ电极型氮化镓基大管芯发光二极管，包括：一氮化镓基基片；淀积在所述氮化镓基基片上的至少一片状Ｐ电极和至少两个Ｎ电极；其特征在于，所述Ｎ电极为呈点状分布于片状Ｐ电极之间的多个点状Ｎ电极；淀积在所述点状Ｎ电极之间 的条状绝缘介质层；以及蒸镀在所述条状绝缘介质层上，并与相应Ｎ电极相连接的金属反射薄膜层。

【技术特征摘要】
1.一种桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管，包括一氮化镓基基片；淀积在所述氮化镓基基片上的至少一片状P电极和至少两个N电极；其特征在于，所述N电极为呈点状分布于片状P电极之间的多个点状N电极；淀积在所述点状N电极之间的条状绝缘介质层；以及蒸镀在所述条状绝缘介质层上，并与相应N电极相连接的金属反射薄膜层。2.按权利要求1所述的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管，其特征在于，所述绝缘介质层为无机介质层或有机介质层，其厚度为20-3000nm。3.按权利要求2所述的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管，其特征在于，所述无机介质层为氧化硅、氮化硅或氧化铝介质层。4.按权利要求2所述的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管，其特征在于，所述有机介质层为聚酰压胺或光刻胶介质层。5.按权利要求1所述的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管，其特征在于，所述金属反射薄膜层为单层或多层金属反射薄膜层；其厚度为10-3000nm。6.按权利要求5所述的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管，其特征在于，所述金属反射薄膜层的材质为TiAu、NiAu、TiAl、TiAg或NiAg。7.一种权利要求1所述桥式N电极型氮化镓基大管芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾海强，李卫，李永康，彭铭曾，朱学亮，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]