半导体发光装置制造方法及图纸

一种半导体发光装置，包括：半导体发光元件，发射紫外范围和可见范围内的光束；以及荧光元件，吸收来自所述半导体发光元件的所述光束，并在光出射方向上输出可见光束，所述光出射方向不同于发光方向。在所述半导体发光装置内吸收由所述发光元件发射的所述光束。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光装置，更具体地说，涉及包括半导体发光元件和荧光元件的半导体发光装置。
技术介绍
日本专利申请公开No.2004-221,163(称为“对比文献1”)描述了可以在观察方向发射均匀光束的发光装置。该发光装置不仅包括发光元件，而且包括设置在发光元件上并散射光束的光散射颗粒。发光元件和光散射颗粒都被包围在半透明密封中。此外，日本专利申请公开No.Hei 07-282,609(称为“对比文献2”)描述了一种照明光源，其消耗较少的功率，耐用，并能够可靠地发射最佳的照明光束如白炽光。该照明光源包括发射激光束的半导体激光元件，散射来自半导体激光元件的激光束的透镜，以及将激光束转变成可见光束并发射可见光束的荧光元件。对比文献1(发光装置)和对比文献2(照明光源)没有考虑以下问题。在对比文献1中，在相同方向上发射并散射光束。此外，在对比文献2中，在相同方向上发射并散射光束。因此，一些光束会从发光元件或半导体激光元件泄漏，从而不可能使用输出高能量光束如紫外光和激光束的发光元件。紫外光和激光束不应该被直接观察。此外，对比文献1和2的装置不适用于需要发射足够亮光束的照明系统、图像显示等。
技术实现思路
本专利技术预期克服上述相关技术的问题，并旨在提供可以可靠地发射高强度光束并确保高亮度的半导体发光装置。根据本专利技术的实施例的第一方面，提供了一种半导体发光装置，包括半导体发光元件，发射紫外范围和可见范围内的光束；以及荧光元件，吸收由所述半导体发光元件发射的所述光束，并在光出射方向上输出可见光束，所述光出射方向不同于所述半导体发光元件的发光方向。在所述半导体发光装置内吸收由所述发光元件发射的所述光束。根据本专利技术的实施例的第二方面，提供了一种半导体发光装置，包括基板；发光元件，设置在所述基板上，并沿所述基板的表面发射紫外范围和可见范围内的光束；荧光元件，吸收由所述半导体发光元件发射的所述光束，并输出可见光束；以及反射体，包括第一反射表面和第二反射表面，所述第一反射表面将来自所述荧光元件的所述可见光束反射在与所述基板表面交叉的方向上，以及所述第二反射表面将由所述半导体发光元件发射并经过所述荧光元件的光束反射到所述荧光元件，所述第二反射表面相对于所述基板表面的角度与所述第一反射表面的不同。根据本专利技术的实施例的第三方面，提供了一种半导体发光装置，包括基板；发光元件，设置在所述基板上，并沿所述基板的表面发射紫外范围和可见范围内的光束；以及荧光元件，不仅具有光吸收区域，而且具有光散射区域，来自所述半导体发光元件的直射光束照射到所述光吸收区域，在所述光散射区域将可见光束输出在与所述基板表面交叉的光出射方向，所述光散射区域大于所述光吸收区域。附图说明图1是根据本专利技术的第一实施例的半导体发光装置的截面图；图2是图1的半导体发光装置的顶视图； 图3是图1的半导体发光装置中的发光元件的主要部分的截面图；图4是图1的半导体发光装置中的另一发光元件的主要部分的截面图；图5是图1的半导体发光装置中的第一荧光元件的截面图；图6是图1的半导体发光装置中的第二荧光元件的截面图；图7是第一实施例的实例中的另一半导体发光装置的截面图；图8是第一实施例的第一修改实例中的半导体发光装置的主要部分的截面图；图9是第一修改实例中的另一半导体发光装置的主要部分的截面图；图10是第二修改实例中的半导体发光装置的主要部分的截面图；图11是第二修改实例中的另一半导体发光装置的主要部分的截面图；图12是第三修改实例中的半导体发光装置的主要部分的截面图；图13是第三修改实例中的另一半导体发光装置的主要部分的截面图；图14是第三修改实例中的又一半导体发光装置的主要部分的截面图；图15是第四修改实例中的半导体发光装置的主要部分的截面图；图16是第四修改实例中的另一半导体发光装置的主要部分的截面图；图17是第四修改实例中的又一半导体发光装置的主要部分的截面图；图18是第四修改实例中的又一半导体发光装置的主要部分的截面图；图19是本专利技术的第二实施例的半导体发光装置的截面图；图20是本专利技术的第三实施例的半导体发光装置的截面图；图21是图20的半导体发光装置的顶视图；图22是第三实施例的第一修改实例中的半导体发光装置的主要部分的截面图；图23是第三实施例的第二修改实例中的半导体发光装置的主要部分的截面图；图24是第三实施例的第三修改实例中的半导体发光装置的主要部分的截面图；图25是第三实施例的第四修改实例中的半导体发光装置的主要部分的截面图； 图26是本专利技术的第四实施例的半导体发光装置的顶视图；图27是第四实施例的修改实例的半导体发光装置的顶视图；图28是本专利技术的第五实施例的半导体发光装置的顶视图；图29是第五实施例的修改实例的半导体发光装置的顶视图；图30是本专利技术的第六实施例的半导体发光装置的顶视图；图31是本专利技术的第七实施例的半导体发光装置的顶视图；图32是本专利技术的第八实施例的半导体发光装置的顶视图；图33是本专利技术的第九实施例的半导体发光装置的截面图；图34是图33的半导体发光装置的顶视图；图35是本专利技术的第十实施例的半导体发光装置的顶视图；图36是本专利技术的第十一实施例的半导体发光装置的顶视图；以及图37是图36的半导体发光装置的半导体发光元件的截面图。具体实施例方式下面是如附图所示的本专利技术的更详细的说明，其中类似的标号表示类似的部分。(第一实施例)[半导体发光装置的整体结构]参考图1和图2，半导体发光装置1包括半导体发光元件2(称为“发光元件2”)以及荧光元件3。发光元件2在第一方向D1上发射紫外和可见范围内的光束，而荧光元件3吸收来自发光元件2的所有光束，并在不同于第一方向D1的第二方向D2上传输可见光束。换句话说，来自半导体发光元件2的光束被设计为不直接在光出射方向上发射。发光元件2和荧光元件3相互分离。此外，半导体发光装置1包括具有给发光元件2提供电力的布线42和43的基板4，以及将来自荧光光束的光束反射在第二方向D2上的发射体6。在第一实施例中，基板4是圆盘形状，并在其中心安放发光元件2。发光元件2在两个相互偏移180度的第一方向D1上发射光束，从而在基板4上的相对位置提供两个荧光元件3。术语“第一方向D1”表示发光元件2发射光束的方向，并与发光元件2发射的光束的光轴一致。每个第一方向D1与光强度的峰值一致。此外，来自发光元件2的光束平行于基板4的表面，即每个第一方向D1基本上平行于基板4的表面。简言之，发光元件2沿基板4的表面直接发射光束(直射光束)。光束被如下吸收来自发光元件2的所有直射光束被荧光元件3吸收；以及来自发光元件2的大部分光束被荧光元件3吸收，而该光束的一部分被反射；以及光束的一部分经过荧光元件3，被反射体6反射并被荧光元件3再次吸收。此外，发光元件2的光束被分为直射光束；没有发送到荧光元件3而从发光元件2泄漏的光束；经过荧光元件3并没有被荧光元件3散射在光出射方向上的光束；直接照射在反射体6并被反射的光束；以及经过荧光元件3但没有被反射体6反射并没有在光出射方向上输出的光束。无需指出，在光出射方向上输出的光束是“非直射光束”。如图1和图2所示，基板4由基板基底41、在其正面和背面中心设置的布线42以及在其正面和背面边缘表面设置的布线43本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光装置，包括：半导体发光元件，发射紫外范围和可见范围内的光束；以及荧光元件，吸收由所述半导体发光元件发射的所述光束，并在光出射方向上输出可见光束，所述光出射方向不同于所述半导体发光元件的发光方向，其中在所 述半导体发光装置内吸收由所述发光元件发射的所述光束。

【技术特征摘要】
JP 2005-6-22 182403/20051.一种半导体发光装置，包括半导体发光元件，发射紫外范围和可见范围内的光束；以及荧光元件，吸收由所述半导体发光元件发射的所述光束，并在光出射方向上输出可见光束，所述光出射方向不同于所述半导体发光元件的发光方向，其中在所述半导体发光装置内吸收由所述发光元件发射的所述光束。2.根据权利要求1的半导体发光装置，还包括反射体，其将来自所述荧光元件的所述可见光束反射在所述光出射方向上。3.根据权利要求2的半导体发光装置，其中所述荧光元件吸收基本上所有经过其的所述光束。4.根据权利要求1的半导体发光装置，还包括反射体，其将光束反射到所述荧光元件，所述光束由所述半导体发光元件发射并经过所述荧光元件。5.根据权利要求1的半导体发光装置，还包括反射体，其包括第一反射表面和第二反射表面，所述第一反射表面将来自所述荧光元件的所述可见光束反射在所述光出射方向上，以及所述第二反射表面将由所述半导体发光元件发射并经过所述荧光元件的光束反射到所述荧光元件。6.根据权利要求1的半导体发光装置，还包括基板，在所述基板上在分离位置设置所述半导体发光元件和所述荧光元件，以及所述基板包括向所述半导体发光元件提供电力的布线。7.根据权利要求1的半导体发光装置，其中所述荧光元件不仅具有光吸收区域，而且具有光散射区域，来自所述半导体发光元件的直射光束照射到所述光吸收区域，以及在所述光散射区域将所述可见光束输出在所述光出射方向；以及所述光散射区域大于所述光吸收区域。8.根据权利要求1的半导体发光装置，其中所述半导体发光元件发射平行于所述基板表面的光束，以及所述荧光元件将所述可见光束输出在与所述基板表面交叉的所述光出射方向。9.一种半导体发光装置，包括基板；发光元件，设置在所述基板上，并沿所述基板的表面发射紫外范围和可见范围内的光束；荧光元件，吸收由所述半导体发光元件发射的所述光束，并输出可见光束；以及反射体，包括第一反射表面和第二反射表面，所述第一反射表面将来自所述荧光元件的所述可见光束反射在与所述基板表面交叉的方向上，以及所述第二反射表面将由所述半导体发光元件发射并经过所述荧光元件的光束反射到所述荧光元件，所述第二反射表面相对于所述基板表面的角度与所述第一反射表面的不同。10.根据权利要求9的半导体发光装置，其中所述反射体围绕所述基板上的所述荧光元件延伸；以及所述反射体的所述第一反射表面位于所述第二反射表面上方。11.一种半导体发光装置，包括基板；发光元件，设置在所述基板上，并沿所述基板的表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：服部靖，斋藤真司，布上真也，山本雅裕，信田直美，金子桂，波多腰玄一，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]