半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够提高生产率的半导体装置的制造方法。在半导体晶片的背面粘贴第一带(背面带)，利用第二带覆盖半导体晶片的背面电极。在半导体晶片的外周部粘贴第二带(外周带)，利用第二带覆盖半导体晶片的端部。第一带和第二带是UV带。在40℃以上的温度对处于粘贴有第一带和第二带的状态的半导体晶片进行加热，半导体晶片与第一带和第二带之间的粘接力变大。在粘贴有第一带和第二带的状态下对半导体晶片进行镀覆处理，在半导体晶片的正面电极上形成镀层。依次剥离第二带、第一带。因为通过UV照射使粘接剂层硬化后剥离第一带和第二带，所以粘接剂层不会残留在半导体晶片表面。所以粘接剂层不会残留在半导体晶片表面。所以粘接剂层不会残留在半导体晶片表面。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法


[0001]该专利技术涉及半导体装置的制造方法。
技术背景
[0002]以往，已知在两个主表面具有表面电极(电极焊盘)的纵向型半导体装置中，在正面电极和背面电极焊接各不同的外部连接用端子(例如端子销和/或铜箔板)的布线构造。由于焊接正面电极与外部连接用端子，所以与通过引线键合来连接正面电极和外部连接用端子的情况相比，能够实现模块封装的高密度安装化、电流密度的提高、用于开关速度的高速化的布线容量降低、半导体元件的冷却效率的提高等。
[0003]正面电极通常利用含有高导电性的铝(Al)的金属形成。因为铝的焊料润湿性差，所以在正面电极的表面形成焊料润湿性好的金属层(例如镍(Ni)层)，提高正面电极的表面的焊料润湿性，从而正面电极与焊料层的界面的接合可靠性提高。作为在正面电极的表面形成焊料润湿性好的金属层的方法，公知通过电镀法和/或无电镀法来进行镀覆处理。
[0004]作为在半导体晶片的预定部位进行镀覆处理的方法，提出了在不形成半导体晶片的镀层的部位粘贴带的状态下进行镀覆处理的方法(例如，参照下述专利文献1至4)。在下述专利文献1至4中，由于利用带覆盖不形成半导体晶片的镀层的部位(背面电极和/或晶片外周部)来进行保护，所以防止向不形成镀层的部位析出镀层(以下，称为异常析出)、因异常析出而剥离的镀层所导致的镀覆液污染和/或镀覆液组成的经时变化等。
[0005]另外，在下述专利文献1和专利文献2中，在使用中央部的厚度薄而外周部以预定宽度保留有厚度的肋拱(rib arch)形状的半导体晶片的情况下，以使第一带与因半导体晶片的中央部与外周部之间的厚度差而在半导体晶片的背面产生的台阶的倾斜面、以及半导体晶片的背面的比台阶更靠外侧的平坦部紧贴的方式，将第一带粘贴在半导体晶片的整个背面。公开了以使第二带在半导体晶片的外周部的背面侧的平坦部重叠在第一带上的方式将第二带粘贴在半导体晶片的外周部。
[0006]另外，在下述专利文献1、2、4中公开了使用具有通过紫外线(UV：Ultraviolet)照射而硬化从而粘接力小的粘接剂层的UV带作为粘贴在半导体晶片的带。另外，在下述专利文献4中，在向半导体晶片的背面粘贴带时，将进行了薄化工序的半导体晶片维持在以40℃以上且60℃以下加热而向正面侧凸起地翘曲的状态下，并且对该向正面侧凸起地翘曲的状态下的半导体晶片进行镀覆处理，从而使带剥离后的半导体晶片的翘曲减低。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：日本特开2014
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086667号公报
[0010]专利文献2：日本特开2016
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152317号公报
[0011]专利文献3：日本特开2016
‑
058677号公报
[0012]专利文献4：日本特开2011
‑
222898号公报

技术实现思路

[0013]技术问题
[0014]然而，专利技术者们通过勤奋研究发现，在上述以往的镀覆处理方法中，即使在利用带覆盖不形成半导体晶片的镀层的部位(半导体晶片的背面和外周部)的状态下进行镀覆处理，也会发生如下三个问题。第一个问题是，在半导体晶片的背面与带之间侵入镀覆液，在半导体晶片的外周部中的背面电极生成因镀覆液的“污渍”而导致的外观不良。专利技术者们就这一个问题产生的原因，使用肋拱形状的半导体晶片进行了验证。
[0015]图16、图17是示意地示出从背面侧观察以往的镀覆处理后的半导体晶片的状态的俯视图。在图16的(a)中示出了在剥离粘贴在半导体晶片的外周部的第二带后且剥离第一带101前的半导体晶片110的背面的状态。在图17的(a)中示出了剥离粘贴在半导体晶片的整个背面的第一带后的半导体晶片110的背面电极114的状态。在图16的(b)、图17的(b)中，分别放大示出了利用图16的(a)的框A1、图17的(a)的框A2包围的部分。图18、图19是分别示出由图16的框A1、图17的框A2包围的部分的截面构造的截面图。
[0016]肋拱形状的半导体晶片110是从背面110b侧减薄中央部111的厚度，而使外周部112以预定宽度沿外周保留得比中央部111厚的半导体晶片。按照上述专利文献1、专利文献2所记载的镀覆处理方法，以使第一带101与因半导体晶片110的中央部111与外周部112之间的厚度差而在背面110b产生的台阶113的倾斜面113b、以及半导体晶片110的背面110b的比台阶113更靠外侧的平坦部(以下，称为半导体晶片110的外周部112的背面平坦部)112b紧贴的方式，在半导体晶片110的整个背面110b粘贴第一带101。
[0017]在粘贴第一带101后，以使第二带在半导体晶片110的外周部112的背面平坦部112b中重叠在第一带101上的方式，在半导体晶片110的外周部112粘贴第二带(未图示)。并且，在对半导体晶片110的正面电极进行镀覆处理后，在剥离第二带后剥离第一带101。第一带101是UV带，在通过对第一带101进行UV照射而使第一带101的粘接剂层硬化且使该粘接剂层的粘接力变小后，从半导体晶片110的背面110b剥离第一带101。
[0018]其结果是，在剥离第一带101后的半导体晶片110的背面电极114，确认沿半导体晶片110的端部在整周大范围地产生因镀覆液的“污渍”而导致的外观不良122(阴影部分)(图17的(a))。在该半导体晶片110中，确认在第二带的剥离后在半导体晶片110的外周部112中，在半导体晶片110的背面与第一带101之间局部地侵入并积存镀覆液121(阴影部分)(图16的(b))。在积存镀覆液121的部位(阴影部分)121
’
也产生因镀覆液121而导致的外观不良(图17的(b))。
[0019]在半导体晶片110的背面110b与第一带101之间积存有镀覆液121(阴影部分)的情况下(图18)，推测在UV照射时因从第一带101的粘接剂层产生的气体使第一带101从半导体晶片110浮起的时刻，该镀覆液121在半导体晶片110的背面110b与第一带101之间，从半导体晶片110的外周部112的背面平坦部112b沿台阶113的倾斜面(台边)113b向中央部111侧移动而在背面电极大范围地浸透(吸入)(图19)，从而产生外观不良122。
[0020]第二个问题点是，在半导体晶片的外周部与第二带之间侵入镀覆液，并侵入半导体晶片的外周部，在镀覆处理后的工序中，不能自动读取形成在半导体晶片的外周部的晶片ID(Identification：用于识别半导体晶片的刻印)。第三个问题点是，在半导体晶片的外周部与第二带之间侵入镀覆液，半导体晶片的外周部析出不必要的镀层(异常析出)。
[0021]在半导体晶片的外周部异常析出而成的镀层从半导体晶片剥离而悬浮在镀覆液中，成为镀覆液污染和/或镀覆液组成的经时变化的原因，并成为再附着于半导体晶片而成为正面电极的外观不良的原因。因正面电极和/或背面电极的镀覆液本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体晶片的第一主表面侧通过镀覆处理而形成镀层，所述半导体装置的制造方法包含：第一工序，在所述半导体晶片的第一主表面形成第一电极；第二工序，在所述半导体晶片的第二主表面粘贴第一带，利用所述第一带覆盖所述半导体晶片的第二主表面；第三工序，在所述半导体晶片的外周部粘贴第二带，利用所述第二带覆盖所述半导体晶片的端部；第四工序，通过40℃以上的温度的热处理对处于粘贴有所述第一带和所述第二带的状态下的所述半导体晶片进行加热；以及第五工序，在所述第四工序之后，通过所述镀覆处理在所述第一电极的表面上形成所述镀层。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第四工序中，在80℃以下的温度进行所述热处理。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第四工序中，将所述热处理的时间设为20分钟至40分钟。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第五工序之后，还包括从所述半导体晶片剥离所述第二带的第六工序，所述第二带具有受到紫外线照射后硬化而使粘接力变小的粘接剂层，在所述第三工序中，通过从所述半导体晶片的第一主表面跨到第二主表面而在所述半导体晶片的表面粘接所述粘接剂层而粘贴所述第二带，从而利用所述第二带来覆盖所述半导体晶片的端部，在所述第六工序中，在通过所述紫外线照射使所述第二带的所述粘接剂层硬化后，剥离所述第二带。5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第三工序中，以使所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥裕也，田中俊介，桥本孝一，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：