形成金属布线的方法技术

本发明专利技术提供一种简单地形成具有10μm以下进而小于10μm的线宽的金属布线的方法。本发明专利技术的形成金属布线的方法包括：在基板上形成润湿性控制层的步骤，将含有选自由环烯烃聚合物、聚乳酸及它们的衍生物、以及由聚硅氮烷组成的组中至少一种的高分子材料的高分子溶液涂布于基板并进行干燥的步骤；对润湿性控制层照射具有200nm以下的波长的真空紫外线的步骤；以及在润湿性控制层上涂布金属墨的步骤。以及在润湿性控制层上涂布金属墨的步骤。以及在润湿性控制层上涂布金属墨的步骤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】形成金属布线的方法


[0001]本专利技术涉及在基板上形成金属布线的方法。

技术介绍

[0002]近年来，作为向半导体元件、电子电路等布线的布线技术，开发了印刷电子技术(例如，参照非专利文献1、非专利文献2、非专利文献3、以及专利文献1)。印刷电子技术与光刻法等现有的半导体制造技术相比，能够降低制造成本，因此备受瞩目。
[0003]在非专利文献1中，例如，根据图1(1)，公开了如下技术：对疏水性的聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板隔着掩膜照射波长185nm的真空紫外线，使照射部位成为亲水性后，施加银胶体墨，形成银布线。
[0004]在非专利文献1中，例如，根据图1(2)，公开了如下技术：在基板上通过气相反应形成由疏水性的氟烷基硅烷(FAS)构成的单分子膜(SAM)，同样地隔着掩膜照射波长185nm的真空紫外线，使照射部位成为亲水性后，施加银胶体墨，形成银布线。
[0005]根据非专利文献2的图2，公开了如下技术：通过涂布作为含氟聚合物的全氟环状聚合物(CYTOP)而成膜，对其表面隔着掩膜照射波长172nm的真空紫外线，使照本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成金属布线的方法，其中，包括：在基板上形成润湿性控制层的步骤，将含有选自由环烯烃聚合物、聚乳酸及它们的衍生物、以及聚硅氮烷组成的组中的至少一种的高分子材料的高分子溶液涂布于所述基板并进行干燥；对所述润湿性控制层照射具有200nm以下的波长的真空紫外线的步骤；以及在所述润湿性控制层上涂布金属墨的步骤。2.如权利要求1所述的形成金属布线的方法，其中，所述金属墨是将金属纳米粒子分散于分散介质中的组合物。3.如权利要求2所述的形成金属布线的方法，其中，所述金属纳米粒子由选自由金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铂(Pt)、铁(Fe)、镍(Ni)、锡(Sn)、锌(Zn)、铅(Pb)、钯(Pd)、铝(Al)以及它们的合金组成的组中的金属构成，所述分散介质至少含有水。4.如权利要求3所述的形成金属布线的方法，其中，所述分散介质中的所述水的含量在80体积％以上。5.如权利要求1～4中任一项所述的形成金属布线的方法，其中，所述真空紫外线具有150nm以上且200nm以下的范围的波长。6.如权利要求1～5中任一项所述的形成金属布线的方法，其中，所述真空紫外线具有1mW/cm2以上且100mW/cm2以下的范围的照射能量。7.如权利要求1～6中任一项所述的形成金属布线的方法，其中，在照射所述真空紫外线的步骤中，在5秒以上且1000秒以下的范围内照射所述真空紫外线。8.如权利要求1～7中任一项所述的形成金属布线的方法，其中，在照射所述真空紫外线的步骤中，使用光掩膜或金属掩膜。9.如权利要求2～4中任一项所述的形成金属布线的方法，其中，所述金属墨中的所述金属纳米粒子的浓度为1wt％以上且60wt％以下的范围。10.如权利要求1～9中任一项所述的形成金属布线的方法，其中，在涂布所述金属墨的步骤中，所述涂布通过选自由旋涂法、喷涂法、浸涂法、狭缝涂布法、槽涂法、棒涂法、辊涂法、淋幕式涂布法、喷墨法以及丝网印刷法组成的组中的方法来进行。11.如权利要求1～10中任一项所述的形成金属布线的方法，其中，在涂布所述金属墨的步骤中，在所述润湿性控制层上涂布所述金属墨并进行干燥。12.如权利要求1～11中任一项所述的形成金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：三成刚生，刘旭影，孙晴晴，李万里，
申请(专利权)人：国立研究开发法人物质材料研究机构，
类型：发明
国别省市：