【技术实现步骤摘要】
一种同质种子层调控氧化铪基铁电薄膜电学性能的方法
[0001]本专利技术涉及薄膜与器件制备
，尤其是涉及一种同质种子层调控氧化铪基铁电薄膜电学性能的方法。
技术介绍
[0002]随着大规模集成电路产业不断向小型化发展的趋势，SiO2作为传统的CMOS结构的栅介质已经不能满足目前的需求。寻找新型铁电材料与硅基CMOS集成电路工艺良好的兼容性，使其对于集成铁电学的发展具有重要意义。铪基氧化物纳米薄膜具备高的介电常数、与CMOS集成工艺技术兼容、经特殊工艺处理后具备铁电性，使它成为新一代栅介质的潜在材料。2011年，关于在HfO2薄膜材料中首次发现了铁电性的报道激起将其用为下一代铁电存储器的广泛关注。其出众的小型化能力将克服目前基于锆钛酸铅、钛酸钡等传统铁电材料存储器无法进一步降低尺寸的难题。与此同时，HfO2基铁电薄膜也可以使用半导体工艺完全兼容的氮化钛作为电极。这些优异的性能特征使得铁电HfO2薄膜材料成为了未来非易失存储器材料的理想选择，对于开发下一代具有半导体工艺兼容、可小型化、低功耗的铁电存储器具有重要的意义。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种同质种子层调控氧化铪基铁电薄膜电学性能的方法，其特征在于，所述方法包括：制备氧化铪基种子层前驱体溶液；制备铁电薄膜的薄膜前驱体溶液；用所述种子层前驱体溶液制得氧化铪基种子层；在所述氧化铪基种子层上旋涂所述薄膜前驱体溶液，对所述薄膜前驱体溶液进行热处理后得到氧化铪基铁电薄膜。2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述用所述种子层前驱体溶液制得氧化铪基种子层包括：在有电极的基板上旋涂所述种子层前驱体溶液，生成第一薄湿膜；对制得的所述第一薄湿膜进行干燥、热解、退火处理，得到所述氧化铪基种子层。3.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述在所述氧化铪基种子层上旋涂所述薄膜前驱体溶液，对所述薄膜前驱体溶液进行热处理后得到氧化铪基铁电薄膜包括：步骤一，在所述氧化铪基种子层上旋涂所述薄膜前驱体溶液，得到第二湿膜；步骤二，对制得的所述第二湿膜进行干燥、热解处理；步骤三，重复步骤一和二3
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