半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术为一种半导体装置，其具备：表背导通型半导体元件、在所述表背导通型半导体元件上形成的表侧电极、在所述表侧电极上形成的非电解含镍镀层、和在所述非电解含镍镀层上形成的非电解金镀层，在所述非电解含镍镀层的与所述非电解金镀层相接的一侧存在镍浓度低的层，并且所述镍浓度低的层的厚度比所述非电解金镀层的厚度薄。镀层的厚度薄。镀层的厚度薄。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]在将以表背导通型半导体元件、特别是绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor：IGBT)、二极管等为代表的电力转换用的功率半导体元件安装于组件(module)的情况下，将表背导通型半导体元件的背侧电极焊接于基板，将表侧电极引线接合。但是，最近，从制造时间缩短和材料费用削减的观点出发，逐渐采用将金属电极直接焊接于表背导通型半导体元件的表侧电极的安装方法。在该安装方法中，需要在表侧电极上形成数μm的厚度的镍膜、金膜等。
[0003]但是，在使用蒸镀或溅射这样的真空成膜法形成镍膜、金膜等的情况下，通常只得到1.0μm左右的厚度。如果要将镍膜、金膜等厚膜化，则制造成本上升。因此，作为低成本、高速且可厚膜化的成膜方法，镀敷技术受到关注。
[0004]在镀敷技术中，不必使用利用抗蚀剂和光掩模的图案化工艺、能够只在电极表面的必要部分选择性地形成镀层的非电解镀敷法尤其受到关注。作为非电解镀敷法，一般利用低成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其具备：表背导通型半导体元件、在所述表背导通型半导体元件上形成的表侧电极、在所述表侧电极上形成的非电解含镍镀层、和在所述非电解含镍镀层上形成的非电解金镀层，在所述非电解含镍镀层的与所述非电解金镀层相接的一侧存在镍浓度低的层，并且所述镍浓度低的层的厚度比所述非电解金镀层的厚度薄。2.一种半导体装置，其具备：表背导通型半导体元件、在所述表背导通型半导体元件的表侧面上形成的表侧电极、在所述表背导通型半导体元件的背侧面上形成的背侧电极、在所述表侧电极和所述背侧电极上分别形成的非电解含镍镀层、和在各个所述非电解含镍镀层上形成的非电解金镀层，在所述非电解含镍镀层的与所述非电解金镀层相接的一侧存在镍浓度低的层，并且所述镍浓度低的层的厚度比所述非电解金镀层的厚度薄。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述镍浓度低的层含有选自铋、铊、铅和砷中的至少一种的金析出促进元素。4.一种半导体装置，其具备：表背导通型半导体元件、在所述表背导通型半导体元件上形成的表侧电极、在所述表侧电极上形成的非电解含镍镀层、和在所述非电解含镍镀层上形成的非电解金镀层，在所述非电解含镍镀层与所述非电解金镀层的界面存在选自铋、铊、铅和砷中的至少一种的金析出促进元素。5.一种半导体装置，其具备：表背导通型半导体元件、在所述表背导通型半导体元件的表侧面上形成的表侧电极、在所述表背导通型半导体元件的背侧面上形成的背侧电极、在所述表侧电极和所述背侧电极上分别形成的非电解含镍镀层、和在各个所述非电解含镍镀层上形成的非电解金镀层，在所述非电解含镍镀层与所述非电解金镀层的界面存在选自铋、铊、铅和砷中的至少一种的金析出促进元素。6.根据权利要求1或4所述的半导体装置，其中，所述表侧电极由铝、铝合金或铜形成，所述非电解含镍镀层由镍磷或镍硼形成。7.根据权利要求2或5所述的半导体装置，其中，所述表侧电极和所述背侧电极由铝、铝合金或铜形成，所述非电解含镍镀层由镍磷或镍硼形成。8.一种半导体装置的制造方法，其具备：在表背导通型半导体元件的单...

【专利技术属性】
技术研发人员：砂本昌利，上野隆二，川澄美纱子，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：