一种真空锁过渡腔室制造技术

本发明专利技术涉及微电子技术领域，具体涉及半导体晶片的传输与加工的真空锁过渡腔室。本发明专利技术公开的一种真空锁过渡腔室，包括：包括腔室、腔室上的充气系统和抽气系统、腔室端部的阀门，所述腔室内还设有晶片支撑装置、底座，其中，支撑装置底部与底座连接。本发明专利技术与已有技术相比，大大提高了传输系统的产出率；同时保证了真空锁过渡腔室对于不同晶片尺寸、不同晶片装载高度、不同机械手前端结构具有良好的可调节性、灵活性和兼容性；而且，结构简单，对于真空锁过渡腔室内的洁净程度能做到很好的控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子
，具体涉及半导体晶片的传输与加工的真空锁过渡腔室。
技术介绍
如图1所示，半导体晶片的传输与加工中，晶片从片舱到反应腔室做工艺，完成工艺后，再将晶片从反应腔室传递回片舱。真空锁过渡腔室为晶片传输过程中的重要一步。如图2、图3所示，是目前半导体300mm平台大多数所采用的两种结构。如图4所示，当大气机械手持待工艺晶片准备传输到反应室时，阀门A、B关闭，对真空锁过渡腔室进行充气到大气压；A打开，大气端机械手将晶片传送到真空锁内；A关闭，对真空锁过渡腔室进行抽真空；当真空锁过渡腔室的真空度与真空传输腔室的真空度一致时，阀门B打开，真空机械手从真空锁过渡腔室中取出晶片，到反应室做工艺。做完工艺后晶片传输步骤相反。由此可见，真空锁过渡腔室的一开、一闭的交换循环对整个传输系统的产出率有极大的影响。而腔室的大小、充抽气时间的长短起决定因素。如图2所示，300mm平台方式一中的真空锁过渡腔室可以装载25片或2片晶片，在承载25片晶片的情况下需要有升降装置以保证所要传输的晶片对准晶片传输端口。其缺点腔室体积较大，充抽气时间较长，影响整个传输系统的产出率。另外因为有升降动作，所以对真空锁腔室的洁净程度控制能力较差。而承载两片的真空锁过渡腔室，虽然腔室体积较小，但是由于每次交换晶片的数量较少，所以交换次数较多，从另一个方面影响了产出率。如图3所示，300mm平台方式二中的真空锁过渡腔室没有真空传输腔室，晶片直接通过安装在真空锁内的真空机械手传输到反应室中，其缺点是腔室体积较大，而且每次交换晶片的个数为1～2个，所以依然存在产出率不高的现象。专利技术内容(一)要解决的技术问题本专利技术的目的是提供一种结构简单、产出率高、兼容性好的真空锁过渡腔室。(二)技术方案为了达到上述目的，本专利技术采取以下方案本专利技术的一种真空锁过渡腔室，包括腔室、腔室上的充气系统和抽气系统、腔室端部的阀门，所述腔室内还设有晶片支撑装置、底座，其中，支撑装置底部与底座连接。其中，所述支撑装置包括支撑柱、支架，其中，支撑柱通过螺纹安装在底座上，支架固定在支撑柱上。其中，所述腔室上方设有可视窗，该可视窗与真空锁腔室通过密封圈密封。其中，所述支架为月牙形状。其中，所述可视窗由透明树脂防静电材料制成。(三)有益效果1)与已有技术相比，由于采用以上方案，本专利技术大大提高了传输系统的产出率；2)由于在真空锁过渡腔室内采用了支撑装置，因此，保证了真空锁过渡腔室对于不同晶片尺寸、不同晶片装载高度、不同机械手前端结构具有良好的可调节性、灵活性和兼容性；3)由于支撑装置取代了升降装置，因此，本专利技术结构简单，对于真空锁过渡腔室内的洁净程度能做到很好的控制。附图说明图1是现有半导体晶片的传输与加工流程图；图2是现有300mm平台方式一的平面结构示意图；图3是现有300mm平台方式二的平面结构示意图；图4是现有真空锁过渡腔室结构示意图；图5是本专利技术真空锁过渡腔室结构示意图。图中1、充气系统；2、抽气系统；3、大气机械手；4、真空机械手；5、腔室；A、阀门；B、阀门；6、底座；7、支撑装置；8、支撑柱；9支架；10、可视窗。具体实施例方式以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。如图5所示，本专利技术实施时，包括腔室5、腔室上的充气系统1和抽气系统2、腔室端部的阀门A、B，所述腔室5内还设有晶片支撑装置7、底座6，其中，支撑装置7底部与底座6连接。如图5所示，本专利技术采用四层的晶片支撑装置7，可以在真空锁过渡腔室的一次充抽过程中交换4片晶片。在SEMI标准(半导体行业标准)中规定，300mm晶片传输开口的高度为50mm，另规定每层晶片的间距为10mm。这样，真空锁过渡腔室中，4层晶片可同时对准晶片传输开口，也就是说，能在不采用升降装置的情况下，对各个层的晶片进行传输。一方面，依然保持了较小的腔室容积；另一方面，对晶片的传输在300mm晶片传输系统中，大气机械手3与真空机械手4通常为双臂，也就是说，能同时抓取两片晶片。这样，在真空锁的一次晶片交换中，真空机械手4能事先将两片已做完工艺的晶片放入真空锁腔室中；充气；大气机械手3可以将两片待工艺的晶片放进真空锁腔室中，同时将取出已做完工艺的两片晶片放回片舱。这样，在一次交换中，可以单向交换两片晶片，双向交换四片晶片。如图5所示，支撑柱8螺纹安装在底座6上，而底座6通过螺钉连接固定在真空锁腔室中，每层晶片支架9又逐层坐落在支撑柱8上。每层晶片支架9为两片月牙状结构，安装位置与晶片承载位置同心，180度分布。这样通过螺纹可以在一定范围内调节文架9的水平和与晶片传输平面的相对高度；也可以调整支架的数量，根据实际需要来改变真空锁腔室的实际装载晶片的数量；也可以针对不同机械手的前端形状来更替不同形状的晶片支架9，以保证其良好的兼容性。真空锁腔室上方装有可视窗10，为透明树脂防静电材料制成，与真空锁腔室通过密封圈进行密封。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空锁过渡腔室，包括腔室（５）、设置在腔室上的充气系统（１）和抽气系统（２）、腔室端部的阀门（Ａ、Ｂ），其特征在于：所述腔室（５）内设有晶片支撑装置（７）、底座（６），其中，支撑装置（７）底部与底座（６）连接。

【技术特征摘要】
1.一种真空锁过渡腔室，包括腔室(5)、设置在腔室上的充气系统(1)和抽气系统(2)、腔室端部的阀门(A、B)，其特征在于所述腔室(5)内设有晶片支撑装置(7)、底座(6)，其中，支撑装置(7)底部与底座(6)连接。2.如权利要求1所述的一种真空锁过渡腔室，其特征在于所述支撑装置(7)包括支撑柱(8)、支架(9)，其中，支撑柱(8)通过螺纹安装在底...

【专利技术属性】
技术研发人员：张之山，
申请(专利权)人：北京圆合电子技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]