具有流量控制的平台真空气路系统及其控制方法技术方案

技术编号:3191805 阅读:251 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及半导体晶片处理的平台真空气路系统及其控制方法。本发明专利技术公开的具有流量控制的平台真空气路系统及其控制方法,包括抽气系统、充气系统,负载锁闭室、传输腔室、与负载锁闭室和传输腔室连接的隔膜阀,若干个流量控制器。方法:当大气机械手准备把晶片送入负载锁闭室时,充气气路中的隔膜阀打开,从而向负载锁闭室中快速充入氮气气体;当负载锁闭室压力等于大气传输单元内压力时,第一阀门打开,而氮气继续吹扫使负载锁闭室相对于大气传输单位为正压,此时大气机械手把晶片放入负载锁闭室;在抽气阶段,对负载锁闭室进行抽气;当负载锁闭室内真空度与传输腔室的平衡后,第一阀门打开,真空机械手进入负载锁闭室取出晶片,第一阀门闭合。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子
,特别是半导体晶片处理的平台真空气路系统,本专利技术还涉及平台真空气路系统的控制方法。
技术介绍
在半导体制造中,提高系统的产出率一直是系统设计的首要问题。产出率除了与反应腔室的工艺时间有很大关系外,还与平台系统的真空气路系统的设计有关。在半导体晶片的处理过程中,晶盒中的晶片被大气传输单元内的大气机械手取出,此时负载锁闭室与大气传输腔室之间的阀门打开,然后大气机械手把晶片放入负载锁闭室中,于是该阀门关闭。当负载锁闭室内压力从大气压到高真空后,其与传输腔室之间的阀门打开,然后传输腔室中的真空机械手把晶片从负载锁闭室中取出,再放入各反应腔室中去进行处理(例如刻蚀,物理气相沉积,化学气相沉积等)。当完成各制程后,晶片又按上述路径返回到晶盒。晶片处理系统构成如图1所示,其中大气传输单元6、大气机械手7、负载锁闭室5、传输腔室4和真空机械手17等构成平台系统。在平台系统中,大气传输单元6内部的压力一直等于大气压力,传输腔室4内压力也保持在一固定真空度,而负载锁闭室5内的压力却频繁地在大气压力与高真空之间转换,所以对负载锁闭室5的真空气路处理直接影响到整个系统产能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有流量控制的平台真空气路系统,包括抽气系统、充气系统、负载锁闭室、传输腔室、与负载锁闭室和传输腔室连接的隔膜阀,其特征在于在真空气路中还包括若干个流量控制器。

【技术特征摘要】
1.一种具有流量控制的平台真空气路系统,包括抽气系统、充气系统、负载锁闭室、传输腔室、与负载锁闭室和传输腔室连接的隔膜阀,其特征在于在真空气路中还包括若干个流量控制器。2.如权利要求1所述的一种具有流量控制的平台真空气路系统,其特征在于在充气系统中设有若干个流量控制器。3.如权利要求1或2所述的一种具有流量控制的平台真空气路系统,其特征在于在抽气系统中设有若干个流量控制器。4.如权利要求1所述的一种具有流量控制的平台真空气路系统,其特征在于所述流量控制器为质量流量控制器。5.如权利要求1所述的一种具有流量控制的平台真空气路系统,其特征在于所述流量控制器为压力控制器。6.如权利要求1所述的一种具有流量控制的平台真空气路系统,其特征在于所述充气系统的充气端口设在负载锁闭室侧壁上;所述抽气系统的抽气端口设在负载锁闭室的下部。7.用于权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员:张金斌
申请(专利权)人:北京圆合电子技术有限责任公司
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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