半导体装置和其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术在将半导体元件和布线基板的间隙进行树脂密封而形成的半导体装置和其制造方法中，实现高可靠性的电连接。在布线基板（１）的上面设置电极焊盘（５）和阻焊膜（７），在阻焊膜（７）上形成开口部（７ａ）以使电极焊盘（５）露出，在半导体元件（２）的下面设置电极（４）。并且，经由凸块（３）将电极（４）连接在电极焊盘（５）上。进而，在布线基板（１）和半导体元件（２）之间的空间中除了凸块（３）和阻焊膜（７）的部分上，设置由树脂构成的底部填充树脂（６）。并且，使得在布线基板（１）和半导体元件（２）之间，阻焊膜（７）的厚度（Ｂ）为阻焊膜（７）上的底部填充树脂（６）的厚度（Ａ）以上。另外，使凸块（３）的体积（Ｖｂ）小于开口部（７ａ）的容积（Ｖｓ）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种通过将半导体元件搭载于布线基板上、并利用由树脂构成的底部填充(underfill)树脂密封该半导体元件和布线基板的间隙而制作成的半导体装置及其制造方法，特别是涉及具有倒装片或芯片尺寸封装等安装结构的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
伴随着电子设备的小型化、轻量化及高功能化，作为将LSI(LargeScale Integrated，大规模集成电路)芯片等半导体元件安装到布线基板上的方法，广泛进行倒装片安装。倒装片安装是指，在半导体元件布线图形面上形成凸块并将其与布线基板的电极接合的安装方式。图7(a)～(d)是以其工序顺序表示现有的半导体装置的制造方法的剖视图。首先，如图7(a)所示，准备布线基板1及半导体元件2。在布线基板1的一个表面上形成多个电极焊盘5，在布线基板1的表面中的电极焊盘5的周围的区域设置阻焊膜7。此外，在半导体元件2的一个表面上形成多个电极4。并且，在半导体元件2的电极4上及布线基板1的电极焊盘5上分别形成凸块3。此外，在布线基板1的形成有电极焊盘5的表面上粘附有焊剂8。以覆盖电极焊盘5及形成于该电极焊盘5上的凸块3的方式粘附焊剂8。另外，此时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具有：布线基板，在其表面形成有电极焊盘；半导体元件，被配置在该布线基板上，在其表面形成有电极；凸块，将上述电极连接在上述电极焊盘上；和底部填充树脂，被填充在上述布线基板和上述半导体元件之间，将上述凸块埋入 ，上述布线基板具有阻焊膜，该阻焊膜被配置在形成有上述电极焊盘一侧的表面上，在该阻焊膜上形成有使上述电极焊盘露出的开口部，在上述布线基板和上述半导体元件之间，除了上述电极焊盘的正上方区域以外的区域中的上述阻焊膜的厚度，为上述区域中的配 置在上述阻焊膜上的上述底部填充树脂的厚度以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-3-29 094309/20041.一种半导体装置，其特征在于，具有布线基板，在其表面形成有电极焊盘；半导体元件，被配置在该布线基板上，在其表面形成有电极；凸块，将上述电极连接在上述电极焊盘上；和底部填充树脂，被填充在上述布线基板和上述半导体元件之间，将上述凸块埋入，上述布线基板具有阻焊膜，该阻焊膜被配置在形成有上述电极焊盘一侧的表面上，在该阻焊膜上形成有使上述电极焊盘露出的开口部，在上述布线基板和上述半导体元件之间，除了上述电极焊盘的正上方区域以外的区域中的上述阻焊膜的厚度，为上述区域中的配置在上述阻焊膜上的上述底部填充树脂的厚度以上。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，配置在上述阻焊膜上的上述底部填充树脂的厚度为50μm以下。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，上述凸块的体积小于上述开口部的容积。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，上述阻焊膜的厚度为30μm以上。5.根据权利要求1至4的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，上述凸块由焊锡形成。6.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有在其表面上形成有电极焊盘的布线基板、和在其表面上形成有电极的半导体元件，上述布线基板具有阻焊膜，该阻焊膜被配置在形成有上述电极焊盘一侧的表面上，在其上形成有使上述电极焊盘露出的开口部，所述半导体装置的制造方法的特征在于，具有以下工序在上述电极焊盘上和上述电极上中的至少一个上形成凸块；在上述布线基板上的搭载上述半导体元件的预定区域的至少一部分上粘附液体状的树脂材料；将上述半导体元件按压在上述布线基板上，将上述电极焊盘、上述凸块和上述电极相互连接；...

【专利技术属性】
技术研发人员：大内明，村上朝夫，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]